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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
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| 平成23ワ34237特許権侵害差止等請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成24ワ14227損害賠償請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成24ワ4028特許権に基づく損害賠償請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10197審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 元本PDF |
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|---|
| 事件 |
平成
23年
(ワ)
26676号
特許権侵害行為差止等請求事件
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|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 東京地方裁判所 |
| 判決言渡日 | 2014/09/25 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 民事訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平成２６年９月２５日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官 平成２３年（ワ）第２６６７６号 特許権侵害行為差止等請求事件 口頭弁論終結日 平成２６年７月１７日 判 決 大阪府守口市＜以下略＞ 原 告 三 洋 電 機 株 式 会 社 同訴訟代理人弁護士 尾 崎 英 男 鷹 見 雅 和 日 野 英 一 郎 上 野 潤 一 今 田 瞳 徳島県阿南市＜以下略＞ 被 告 日亜化学工業株式会社 同訴訟代理人弁護士 古 城 春 実 堀 籠 佳 典 牧 野 知 彦 加 治 梓 子 同補佐人弁理士 蟹 田 昌 之 主 文 原告の請求をいずれも棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 事 実 及 び 理 由 第１ 請求 １ 被告は，別紙物件目録記載の半導体レーザダイオード製品（以下「被告製 品」という。）の製造，譲渡，輸出又は譲渡の申出をしてはならない。 ２ 被告は，別紙方法目録記載の製造方法（以下「被告方法」という。）を使 用して被告製品を製造してはならない。 ３ 被告は，被告製品を廃棄せよ。 ４ 被告は，原告に対し，１２億円及びこれに対する平成２３年８月２４日か ら支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。 第２ 事案の概要 本件は，発明の名称を「窒化物系半導体素子」とする特許権（以下「本件 特許権１」という。）及び発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」 とする特許権（以下「本件特許権２」といい，本件特許権１と併せて「本件 各特許権」という。）を有する原告が，被告による被告製品の製造販売等が 本件各特許権の侵害に当たると主張して，被告に対し，特許法100条に基 づく被告製品の製造販売等の差止め及び廃棄並びに特許権侵害の不法行為 （民法709条，特許法102条3項）に基づく損害賠償金又は不当利得金 １２億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日である平成２３年８月２４日 から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求めた 事案である。 １ 前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全趣旨 により容易に認められる事実） (1) 当事者 ア 原告は，電気，通信，電子等の機械器具の製造販売等を業とする株式 会社である。 イ 被告は，半導体及び関連材料，蛍光体及び関連応用製品の製造販売等 を業とする株式会社である。 (2) 本件各特許権 ア 原告は，次の本件各特許権を有している（以下，本件特許権１に係る 特許を「本件特許１」，本件特許権２に係る特許を「本件特許２」とい い，併せて「本件各特許」という。また，それぞれの特許出願の願書に 添付された明細書（ただし，本件特許１については後記(4)ア(ア)の平 成２３年１２月２６日付け訂正請求に係るもの）を「本件明細書１」及 び「本件明細書２」という。）。 (ア) 本件特許権１ 登録番号 第３９３３５９２号 発明の名称 窒化物系半導体素子 出 願 日 平成１５年３月１９日（特願２００３−７４９６６） 優 先 日 平成１４年３月２６日（優先権主張番号 特願２００ ２−８５０８５） 登 録 日 平成１９年３月３０日 (イ) 本件特許権２ 登録番号 第４１８０１０７号 発明の名称 窒化物系半導体素子の製造方法 出 願 日 平成２０年３月２４日（特願２００８−７６８４４） 原出願日 平成１５年３月１９日 優 先 日 平成１４年３月２６日（優先権主張番号 特願２００ ２−８５０８５） 登 録 日 平成２０年９月５日 イ 本件特許権１の特許請求の範囲の請求項１及び５（ただし，後記(4) ア(ア)の平成２３年１２月２６日付け訂正請求に係るもの）並びに本件 特許権２の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである（以 下，それぞれを「本件特許発明１」，「本件特許発明１−２」及び「本 件特許発明２」といい，これらを併せて「本件各特許発明」という。）。 (ア) 本件特許権１の請求項１（本件特許発明１） 「 ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導 体層と，前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え， 前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は， １×１０ ９ｃｍ −２以下であり，前記ｎ側電極と前記第１半導体層との 界面において，０．０５Ωｃｍ ２以下のコンタクト抵抗を有する，窒 化物系半導体素子。」 (イ) 本件特許権１の請求項５（本件特許発明１−２） 「 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され，該 加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が 除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に 記載の窒化物系半導体素子。」 (ウ) 本件特許権２の請求項１（本件特許発明２） 「 ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかから なる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる 第２半導体層を形成する第１工程と，前記第１半導体層の裏面を研磨 することにより厚み加工する第２工程と，前記第１工程及び前記第２ 工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏 面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１ ０ ９ｃｍ −２以下とする第３工程と，その後，前記転位を含む前記第１ 半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ 側電極を形成する第４工程とを備え，前記第１半導体層と前記ｎ側電 極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ ２ 以下とする，窒化物系半導 体素子の製造方法。」 ウ 本件各特許発明を構成要件に分説すると，次のとおりである（以下， 各構成要件を「構成要件Ａ１」などという。）， (ア) 本件特許発明１ Ａ１ ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１ 半導体層と， Ｂ１ 前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え， Ｃ１ 前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密 度は，１×１０ ９ｃｍ−２以下であり， Ｄ１ 前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において，０．０５ Ωｃｍ ２以下のコンタクト抵抗を有する， Ｅ１ 窒化物系半導体素子。 (イ) 本件特許発明１−２（その余の構成要件は本件特許発明１と同じ である。） Ｆ１ 前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され， 該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の 領域が除去された層であることを特徴とする (ウ) 本件特許発明２ Ａ２ ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれか からなる第１半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層 からなる第２半導体層を形成する第１工程と， Ｂ２ 前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第 ２工程と， Ｃ２ 前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した 転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第 １半導体層の裏面の転位密度を１×１０ ９ ｃｍ −２以下とする第３ 工程と， Ｄ２ その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が 除去された第１半導体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工 程とを備え， Ｅ２ 前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０ ５Ωｃｍ ２以下とする， Ｆ２ 窒化物系半導体素子の製造方法。 (3) 被告の行為 ア 被告は，平成１８年１月１日以降，ブルーレイディスクの記録用又は 再生用に使用される半導体レーザダイオード製品である被告製品を製造 し，販売あるいは輸出している。 イ 被告製品の構成は，別紙物件目録記載のとおりである（なお，被告は， 同記載中「ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，」とあ る部分を「ＢＤ用の」とすべき旨主張するが，本件の結論に影響すべき 実質的な争いはないものと認める。）。 ウ 被告製品の製造方法につき，原告が被告方法（別紙方法目録記載の方 法）である旨主張するのに対し，被告は別紙被告主張方法目録に記載の @〜Fの方法である旨主張するところ，同別紙の下線部を除く部分につ いては当事者間に争いがない（以下，同別紙記載の各工程のうち下線部 を除く部分をその番号により「工程@」などという。）。 すなわち，被告製品は，ＧａＮ基板の裏面を鏡面になるまで研磨する 工程A及びBと，その後にＧａＮ基板の裏面をＣＭＰを用いて研磨する 工程Cを含んでいる。ＣＭＰとは，機械的研磨と研磨液による化学作用 の複合作用により，半導体ウエハの表面の精密研磨を行う技術であり， 微細な凹凸や表面ゆがみ（ダメージ）のない極めて良好な面を形成する ことができるものである。 (4) 本件特許１に係る特許無効審判請求及び訂正請求 ア 無効２０１１−８００２０２号事件（甲１９の２，甲２５，３５） (ア) 被告は，平成２３年１０月７日，本件特許発明１及び１−２（た だし，後記訂正請求の前のもの）が特開２００１−１４８３５７号公 報（乙１の２）に記載された発明と同一であり，又はこれに基づいて 容易に発明をすることができた旨主張して，特許無効審判を請求した。 原告は，同年１２月２６日，本件特許１の特許請求の範囲の請求項１ に「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半 導体基板のいずれかからなる第１半導体層」とあるのを「ウルツ鉱構 造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」（構成 要件Ａ１）とする旨，請求項５に「前記第１半導体層は，所定の厚さ になるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする」とあるの を「前記第１半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工され， 該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域 が除去された層であることを特徴とする」（構成要件Ｆ１）とする旨 の訂正請求をした（下線部は訂正箇所である。）。特許庁は，平成２ ４年７月２０日，訂正を認める，無効審判請求は成り立たない旨の審 決をした。 (イ) 被告は上記審決の取消しを求める訴訟を提起したが（知的財産高 等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号），平成２５年１１月１ ４日，請求棄却の判決が言い渡された。これに対しては被告が上告及 び上告受理申立てをしており，本件の口頭弁論終結時において，上記 審決は確定していない。 イ 無効２０１３−８０００９９号事件（甲３７，乙６９，弁論の全趣 旨） 被告は，平成２５年５月３１日，本件特許発明１及び１−２が特開２ ０００−３４９３３８号公報（乙５７）に記載された発明に基づいて容 易に発明をすることができた旨主張して，特許無効審判を請求した。原 告は，その口頭審理期日において無効理由通知がされたことから，同年 １２月２７日，上記ア(ア)の訂正事項に加えて請求項１に「（ただし， 機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して， 露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法 で製造された窒化物系半導体素子を除く）」との文言を付加する旨の訂 正請求をした。その後，この無効審判請求事件は，上記アの審決が確定 していないことから，手続が中止されている。 ウ なお，被告は，本件各特許につき上記以外にも複数の特許無効審判を 請求しているが，本件口頭弁論終結時において，特許を無効とする旨の 審決はされていない。 ２ 争点 本件特許１については前記１(4)ア(ア)及びイの訂正請求に対する判断が 確定していないが，本件訴訟の経過及び当事者の主張に鑑み，特許庁が訂正 を認めた上記ア(ア)の訂正請求後の特許請求の範囲の記載（本件特許発明１ につき構成要件Ａ１〜Ｅ１，本件特許発明１−２につきこれらに加え構成要 件Ｆ１）に基づいて判断することとする（ただし，当裁判所は，後記のとお り，構成要件Ｃ１の充足性を欠くと判断するので，上記各訂正請求の可否は 本件の結論に影響しないものと認める。）。 原告が，被告製品は本件特許発明１及び１−２の技術的範囲に，被告方法 は本件特許発明２の技術的範囲に属する旨主張するのに対し，被告は，本件 特許発明１及び１−２の構成要件Ａ１，Ｂ１及びＥ１並びに本件特許発明２ の構成要件Ａ２，Ｂ２及びＦ２の充足性は認めるが，被告製品及びその製造 方法は，本件各特許発明の特許請求の範囲の記載中，@「転位」の要件を欠 くので本件特許発明１の構成要件Ｃ１，本件特許発明１−２の構成要件Ｃ１ 及びＦ１並びに本件特許発明２の構成要件Ｃ２及びＤ２を充足しない，A 「除去」の要件を欠くので本件特許発明１−２の構成要件Ｆ１及び本件特許 発明２の構成要件Ｄ２を充足しない，B「コンタクト抵抗」の要件を欠くの で本件特許発明１及び１−２の構成要件Ｄ１並びに本件特許発明２の構成要 件Ｅ２を充足しないと主張し，さらに，本件各特許にはいずれも無効理由が あり，特許無効審判により無効にされるべきものであるので，原告は被告に 対して権利行使できない（特許法104条の3第1項）旨主張している。 そうすると，本件の争点は，以下のとおりとなる。 (1) 「転位」の意義及びその充足性 (2) 「除去」の意義及びその充足性 (3) 「コンタクト抵抗」の意義及びその充足性 (4) 特許無効理由の有無 (5) 損害ないし不当利得の額 ３ 争点に関する当事者の主張 (1) 「転位」の意義及びその充足性 （原告の主張） ア 本件各特許発明の「転位」とは，学術用語のとおり，「結晶中にある 線状の結晶格子の乱れ」であり，原子レベルの欠陥をいう。また，「転 位密度」とは，単位断面積（１ｃｍ ２）当たりを通過する転位の本数を いう。他方，「結晶欠陥」とは，線欠陥である「転位」の上位概念であ る。 半導体レーザを製造するためにＧａＮ基板を機械研磨する際，その研 磨条件次第ではクラック等の損傷も発生するが，それらの損傷よりも深 い位置にまで「転位」を含む原子レベルの結晶欠陥が発生する。本件各 特許発明の特徴は，ＧａＮ基板裏面を研磨してｎ側電極を設けた半導体 素子において，ｎ側電極のコンタクト抵抗が高くなり，その原因が基板 の研磨時に生成した転位であることを発見した点にある。 イ 原告が入手した被告製品を測定したところによれば（甲１５），電極 との界面から０．５μｍの深さにおける転位密度は３．４〜４．８×１ ０ ５ｃｍ −２以下であり，また，電極が付いた状態の被告製品につき３か 所の断面を観察したところ，電極との界面から基板内部（０．５μｍ以 上の深さ）にわたって，転位を確認することができなかった。 これらのことからすれば，基板の電極との界面近傍における転位密度 も，上記測定結果と同等となると推測される。 ウ 被告が提出した工程A及びBの研磨工程が終わった時点における基板 裏面近傍の断面写真（乙２１）には，研磨面から深さ０．２μｍ程度ま で暗線状のコントラストがあり，「転位」が認められる。そして，工程 Cでは，上記基板の裏面がＣＭＰにより１〜数μｍ除去されるから，研 磨によって生じた転位が確実に除去されている。なお，工程Cが終わっ た時点のものとして被告が提出する基板裏面近傍の断面写真（乙５０） に認められるコントラストは，工程A及びBが終わった時点において認 められる暗線状のコントラストとは異なるから，転位ではない。 エ 以上によれば，被告方法は，ＣＭＰにより新たな転位を発生しない状 態で研磨することによって，工程A及びBで生じた転位を除去するもの である。そして，被告製品のＧａＮ基板とｎ側電極との界面近傍におけ る転位密度は半導体素子を作成する前の基板の転位密度である８×１０ ６ ｃｍ −２以下となっているから，被告製品は構成要件Ｃ１及びＦ１を， 被告方法は構成要件Ｃ２及びＤ２をいずれも充足する。 （被告の主張） ア 半導体レーザ素子の製造過程において機械研磨をしたことにより発生 する結晶欠陥ないしダメージ層を除去することは従来技術として存在し ており，被告はこの従来技術により被告製品を製造しているにすぎない。 そして，通常の学術用語にいう「転位」は結晶欠陥に含まれるから，本 件各特許発明がこの従来技術と異なるとすれば，その特許請求の範囲に 記載された「転位」及び「転位密度」の意味は不明確であるというほか なく，被告製品及びその製造方法が本件各特許発明の技術的範囲に属す ることの立証があるということはできない。 イ 原告は，工程A及びBが終わった時点の断面写真（乙２１）に「転 位」が示されていると主張するが，これに写っている結晶欠陥は黒いモ ヤモヤとして示されるダメージ層であり，その中から線状の結晶欠陥で ある「転位」を識別することはできない。これが「転位」に当たるとす る原告の主張は恣意的なものであり，「転位」が発生していることの立 証はない。 また，仮に上記写真に「転位」が写っているというのであれば，工程 Cの後の断面写真（乙５０）にも同様の結晶欠陥が写っているから，被 告製品は本件各特許発明の技術的範囲外にあることになる。 ウ したがって，被告製品は構成要件Ｃ１及びＦ１を充足せず，被告製品 の製造方法は構成要件Ｃ２及びＤ２を充足しない。 (2) 「除去」の意義及びその充足性 （原告の主張） 工程Cにおいては，工程A及びBにより生じた「転位」を除去している から，被告製品は構成要件Ｆ１を，被告方法は構成要件Ｃ２及びＤ２を充 足する。なお，「除去」の手段はエッチングに限られるものでない。 （被告の主張） 本件各特許の明細書が「除去」の手段として開示しているのは，エッチ ングという研磨ではない手段のみであり，それ以外の手段を示唆する記載 はない。これに対し，工程CにおけるＣＭＰは機械的作用による研磨を含 むものであるから，「除去」に該当しない。 (3) 「コンタクト抵抗」の意義及びその充足性 （原告の主張） ＧａＮ基板の裏面にｎ側電極を設けたＧａＮ系半導体素子においてコン タクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ ２以下」であることは，本件の発明者によ って初めて実現されたものである。そして，レーザとして実用化された製 品がその性能を発揮するためにはレーザ素子のコンタクト抵抗が「０．０ ５Ωｃｍ ２以下」である必要があるから，実用化された被告製品のコンタ クト抵抗は上記数値の範囲内にある。 また，工程Eにおける被告製品のＧａＮ基板とｎ電極との界面における コンタクト抵抗は，１０ −４〜１０ −５ｃｍ−２のオーダーとなっている。 したがって，被告製品は構成要件Ｄ１を，被告方法は構成要件Ｅ２をそ れぞれ充足する。 （被告の主張） 被告は，被告製品の全てについてコンタクト抵抗を測定したことがない から，被告製品のコンタクト抵抗が本件各特許発明の数値以下となってい るかについては不知である。 また，これが上記数値以下であるとしても，本件特許発明２のコンタク ト抵抗（構成要件Ｅ２）は転位を除去すること（構成要件Ｃ２）の結果と して得られたものであることが必要であるが，被告製品においてはそのよ うな因果関係は認められない。 (4) 特許無効理由の有無 （被告の主張） ア 本件各特許発明は，いずれも以下の公刊物のいずれかに記載された発 明と同一であり，又はこれに基づいて容易に発明をすることができたも のであるから，新規性又は進歩性を欠く。 (ア) 特開２００１−１４８３５７号公報（乙１の２） (イ) 特開２００１−１７６８２３号公報（乙９） (ウ) 特開２００３−５１６１４号公報（乙２の１０）。ただし，本件 各特許発明について優先権の利益が認められるのであれば，特許法２ 9条の2に違反する。 (エ) 特開平５−３４３７９０号公報（乙３５） (オ) 特開２０００−３４９３３８号公報（乙５７） イ 本件特許１については，特許請求の範囲の「界面近傍」の意味が不明 であるので，記載不備（明確性要件の違反）がある。 （原告の主張） 争う。 (5) 損害ないし不当利得の額 （原告の主張） 被告が平成１８年１月１日から平成２３年８月１１日までの間に製造あ るいは販売した被告製品の販売価格の合計は少なくとも２４０億円であり， 本件各特許発明の実施について原告が受けるべき金銭の額はその５％を下 らない。したがって，民法709条及び特許法102条3項あるいは民法 703条に基づき原告が被告に対し請求することのできる損害賠償金又は 不当利得金は，少なくとも１２億円である。 （被告の主張） 争う。 第３ 当裁判所の判断 １ 争点(1)（「転位」の意義及びその充足性）について (1) まず，本件特許１につき検討する。 本件特許発明１及び１−２の構成要件Ｃは，第１半導体層のｎ側電極と の界面近傍における「転位密度」が１×１０ ９ｃｍ −２以下であることであ るが，この「転位密度」は「転位」の密度を測定したものであるから，特 許請求の範囲にいう「転位」の意義につき検討した上で，被告製品が上記 構成要件を充足するかどうかを判断することとする。 (2) 後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。 ア 転位とは，半導体素子等の結晶に関係する技術分野において用いられ る学術用語であり，その有する普通の意味は，結晶中にある線状の結晶 格子の乱れ（科学大辞典。甲１８），結晶中に存在する線状の格子欠陥 であり，原子配列の乱れが線状に連続している部分（半導体・金属材料 用語辞典。乙２の８），結晶中のひずみに起因する線欠陥の一種で，原 子面の片側に線状のダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥（半導体用語大 辞典。乙２の９）というものである。 イ ＧａＮ基板は，本件特許権１の出願日（優先権主張日をいう。以下同 じ。）以前から，半導体素子の材料として用いられていた。ＧａＮ基板 には，その成長過程で発生する転位（貫通転位）が存在するが，半導体 素子の高性能化のために転位密度を下げることが要求されており，上記 の当時，機械研磨前の転位密度が１×１０ ４ 〜１０ ８ ｃｍ −２ 程度のＧａ Ｎ基板が存在していた。（乙１の３〜９） ウ 半導体素子を製造するに際してＧａＮ基板等の基板（ウエハ）に機械 研磨を施した場合には，研磨される面に応力が加わるので，ある程度の 深さまでクラック，ゆがみ，結晶欠陥等の損傷が生じることが避けられ ない。これが加工変質層，ダメージ層，表面ゆがみ層等と呼ばれるもの （以下「加工変質層」という。）であるが，機械研磨により加工変質層 が生じること，加工変質層が存在すると半導体素子の性能に悪影響を及 ぼすこと，したがって，基板を研磨した後に研磨面に生じた加工変質層 を完全に除去すべきことは，上記出願日以前から，本件各特許発明が属 する技術分野の当業者に広く知られていた。（乙２の１１，乙９〜１１， ２３〜３４） エ 本件明細書１には以下の趣旨の記載がある。（甲３，１９の２） (ア) ｎ型ＧａＮ基板を用いた従来の窒化物系半導体素子は，基板の上 面に，ｎ型層，ｎ型バッファ層，ｎ型クラッド層，ｎ型光ガイド層， ＭＱＷ活性層，ｐ型層，ｐ型光ガイド層，ｐ型クラッド層及びｐ型コ ンタクト層を順次形成し，ｐ型コンタクト層の上面上にｐ側電極を形 成した後，基板の裏面を所定の厚みになるまで研磨してｎ側電極を形 成するものであるが，基板の裏面を機械研磨する際に裏面近傍に応力 が加わるため，裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生する という不都合があった。その結果，ｎ型ＧａＮ基板と，ｎ型ＧａＮ基 板の裏面上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するとい う問題点があった。（段落【０００４】〜【０００９】） (イ) 本件特許１に係る発明は，上記の課題を解決するためにされたも のであり，窒化物系半導体基板の窒素面と電極とのコンタクト抵抗を 低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供することを目的とす る。（段落【００１３】） (ウ) 本件特許１に係る発明は，上記目的を達成するため，課題解決の 手段として特許請求の範囲に記載の構成を採用したものであり，これ によりコンタクト抵抗が低減された良好な素子特性を有する窒化物系 半導体素子を得ることができるという効果を奏する。（段落【００２ ４】，【００２５】） (エ) 発明の実施の形態においては，ｐ側電極を形成した後にｎ型Ｇａ Ｎ基板の裏面を機械研磨し，その後，反応性イオンエッチング（ＲＩ Ｅ）法により基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去する。その結果， 上記機械研磨に起因して発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏 面近傍の領域を除去することができる。上記エッチングによる効果を 確認するため，エッチング前後における基板の裏面の結晶欠陥（転 位）密度を測定したところ，エッチング前には１×１０ １０ ｃｍ −２ 以 上であったのが，エッチング後には１×１０ ６ｃｍ −２以下にまで減少 していることが判明した。（段落【００４３】〜【００４６】） (3) 上記事実関係によれば，本件特許１の特許請求の範囲にいう「転位」 とは，原子レベルの線状の結晶欠陥（上記(2)ア）のうち，@ 半導体素子 製造過程での機械研磨によって発生し，かつ，A 結晶中の表面から深い 位置に発生したものをいうと解するのが相当である。その理由は，次のと おりである。 まず，上記@の点についてみるに，本件特許１に係る発明は，ｎ型Ｇａ Ｎ基板の裏面を機械研磨すると結晶欠陥が発生し，コンタクト抵抗が増加 するという問題点があったことから，これを解決することを課題とするも のである（上記(2)エ）。また，本件特許権１の出願日以前から，半導体 素子の材料となるＧａＮ基板の転位密度は，機械研磨の前は１×１０ ４〜 １０ ８ｃｍ −２程度であったというのであり（同イ），構成要件Ｃ１に規定 された転位密度の上限値（１×１０ ９ｃｍ −２）を下回っているから，機械 研磨がされない場合には上記課題は存在しないことになる。そうすると， 構成要件Ｃ１は半導体素子製造過程での機械研磨によって生じた転位の密 度に関するものとみることができる。 次に，上記Aの点についてみるに，半導体素子の製造に当たり基板を機 械研磨すると加工変質層と呼ばれるクラック，結晶欠陥等が生じること及 びこれを完全に除去すべきことは本件特許権１の出願日以前から周知であ ったというのであるから（同ウ），機械研磨により生じた転位であっても 加工変質層中の結晶欠陥に相当するものは，従来技術においても除去され ていたとみることができる。そうすると，発明により解決すべき課題に照 らすと，構成要件Ｃ１に規定された「転位」は，結晶中の加工変質層より 深い位置（具体的な深さについては追って検討する。）に生じたものを指 すと解すべきものとなる。なお，本件特許権１の出願日当時，加工変質層 中の転位その他の結晶欠陥とコンタクト抵抗の数値等の関係について具体 的な知見が明らかにされていなかったとしても，加工変質層は全て除去す べきものとされており，これに伴って加工変質層の深さの範囲内にある転 位も除去されていたことになるから，上記知見の有無は上記Aのとおり解 すべきことの妨げにならないと考えられる。 「転位」の意義についての以上の解釈は，本件特許１に係る審決取消訴 訟（前記前提事実(4)ア(イ)）において，特許請求の範囲にいう「転位」 とは「基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層のうち，結晶中の深く まで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味する」旨判示し，これを 前提に本件特許１に無効理由がないとした知的財産高等裁判所の判断（甲 ３５）に沿うものと解される。 (4) 上記(3)の「転位」の意義に照らすと，被告製品が構成要件Ｃ１を充足 するというためには，(ａ) 被告製品の製造過程において機械研磨により 結晶中の深い位置に原子レベルの線状の結晶欠陥が発生したこと，(ｂ) 被告製品の第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が１× １０ ９ｃｍ−２以下であることが必要となる。 この点につき，被告は，製造過程の被告製品のＧａＮ基板の研磨面近傍 の断面を観察した写真であるとして，工程A及びB（機械研磨）を終了し た時点のＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）による分析像（乙２１の図１。 以下「乙２１写真」という。）と，工程C（ＣＭＰ）を終了した時点のＴ ＥＭ（透過電子顕微鏡）による分析像（乙５０の写真１−１〜３。以下 「乙５０写真」と総称する。）を提出し，被告製品には構成要件Ｃ１の 「転位」が認められない旨主張する。これに対し，原告は，乙２１写真に は約０．２μｍの深さまで伸びた暗線状のコントラストが認められ，「転 位」が存在するといえるが，乙５０写真では暗線状のコントラストが観察 されず，転位密度が１×１０ ９ｃｍ −２以下であるから，被告製品は構成要 件Ｃ１を充足する旨主張し，これに沿う大学准教授の見解書（甲３３，３ ４）を提出するので，以下，その主張の当否につき検討する。 ア 一般的な学術用語としての転位に該当する典型的な線状の結晶欠陥 （前記(2)ア参照）であれば，ＳＴＥＭないしＴＥＭ観察により線状の 画像が明瞭に認められる（甲２３，２４，３０，乙６，２１参照）のに 対し，乙２１写真において原告が「転位」であると指摘する箇所は，画 像処理を行ってコントラストを強調すれば線状に見える余地があるとは いえ（甲３４参照），上記の典型的な場合に比較すると不鮮明なものに とどまる。 また，本件明細書１には結晶欠陥（転位）密度をＴＥＭ分析により測 定した旨の記載があり（段落【００４６】），その発明者らはＴＥＭを 用いて「転位」の存在を確認したと推測されるものの，当時のＴＥＭ画 像等は証拠として提出されておらず（その存在自体不明である。），発 明者らが「転位」と認識したものと乙２１写真に現れたものが同一であ ると認めるべき証拠はない。 そうすると，乙２１写真によって，被告製品の製造過程において機械 研磨により原子レベルの線状の欠陥が発生したと認めることは困難であ る。 イ さらに，乙２１写真に線状の結晶欠陥の存在を示す暗線状のコントラ ストが認められるとしても，これが構成要件Ｃ１にいう「転位」に当た るというためには結晶中の深い位置，すなわち，従来技術において除去 されるものとされた加工変質層より深い位置に発生したことを要する。 そこで，乙２１写真に現れた深さ約０．２μｍのコントラストがこれ に当たるかについてみるに，後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば，加 工変質層の深さは研磨剤の材質及び粒径等の加工条件によって異なり， 例えば粒径に応じて約０．１〜１．７μｍの範囲となり，又は９μｍ未 満となる旨の報告があること（乙３１），ＧａＮ基板を機械研磨すると， Ｎ面における約０．２〜０．３μｍの表面下層は激しくダメージを受け， 多くの欠陥を含んでいると評価されたこと（乙３４），基板を機械研磨 した後にＲＩＥ法により１〜２μｍ程度エッチングするという技術が本 件特許権１の出願日前に公知であったこと（乙２の１１）が認められる。 また，本件明細書１には，発明の実施の形態として，機械研磨後にＧ ａＮ基板の裏面をＲＩＥ法によりエッチングすると，機械研磨により発 生した結晶欠陥を含む領域が除去されることによりコンタクト抵抗が低 下する，エッチングの深さが０．５μｍの場合のコンタクト抵抗は０． ０５Ωｃｍ ２（すなわち，構成要件Ｄ１に規定された最大値）であるが， １μｍエッチングするとコンタクト抵抗が更に低くなる，０．５μｍの エッチングでは結晶欠陥を含む領域を十分に除去することができないと 考えられるので，約１．０μｍ以上の厚み分を除去することが好ましい 旨の記載がある（段落【００５６】，【００５９】，【表１】）。 これら事実関係に照らすと，乙２１写真に現れた深さ約０．２μｍの コントラストは，加工変質層と呼ばれる領域にとどまっていると考えら れるのであって，結晶中の深い位置に存在すると認めるに足りないから， 本件特許発明１及び１−２にいう「転位」に当たるとはいえないと解す べきである。 ウ 以上によれば，被告製品が前記(ａ)の点を満たすと認めるに足りる証 拠はないから，(ｂ)の点について検討するまでもなく，被告製品につい て「転位」が存在すると認めることはできず，被告製品が構成要件Ｃ１ を充足するとは認められないと判断することが相当である。 (5) したがって，被告製品が本件特許発明１及び１−２の技術的範囲に属 するとの原告の主張を採用することはできない。 (6) 次に，本件特許２について検討する。 本件特許発明２は，研磨により発生した「転位」を含む第１半導体層の 裏面近傍の領域を除去して裏面の「転位密度」を１×１０ ９ｃｍ −２以下と すること（構成要件Ｃ２）を発明の内容とする。そして，本件特許権２は 本件特許権１の特許出願からの分割出願によるものであること（甲２〜５， 弁論の全趣旨），本件明細書２には，前記(2)エ及び(4)イの本件明細書１ の記載と同旨の記載があること（甲５）に照らすと，本件特許発明２の 「転位」については本件特許発明１及び１−２と同様に解するのが相当で ある。 そうすると，本件特許１について判示したのと同様の理由により，被告 製品の製造方法において「転位」が発生し，これを含む領域を除去したと 認めることはできないから，本件特許２についても，被告による特許権侵 害はないと判断すべきものとなる。 ２ 結論 以上によれば，原告の請求は，その余の点について判断するまでもなく， いずれも理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決す る。 東京地方裁判所民事第４６部 裁判長裁判官 長 谷 川 浩 二 裁判官 清 野 正 彦 裁判官 植 田 裕 紀 久 （別紙） 物 件 目 録 ピーク波長の仕様がＢＤ規格に定められた範囲内の，ＧａＮ系基板を用いた半 導体レーザ素子を組み込んだ半導体レーザダイオード製品。ただし，基板の裏面 と対向する表面側にｎ電極を形成している製品は含まない。 （別紙） 方 法 目 録 以下の工程からなる，別紙物件目録に記載の製品に組み込まれた，半導体レ ーザ素子の製造方法 (1) 厚さがおよそ４００μｍのｎ型ＧａＮ基板ウエハを準備する。 (2) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの第１の面（表面）の上に，ｎ型半導体層（ｎ型ク ラッド層，ｎ型光ガイド層），活性層，キャップ層，ｐ型半導体層（ｐ型光 ガイド層，ｐ型クラッド層）をこの順に積層する。 (3) ｐ型半導体層の上にマスクを形成し，このマスクを用いてｐ型半導体層を エッチング除去して，素子の長手方向にストライプ状のリッジ部を形成する。 (4) リッジ部の両側から素子の両側面を絶縁層で保護し，リッジ部の上面及び 側面から絶縁層の一部を覆ってｐ電極を形成する。 (5) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの第２の面（裏面）を機械研磨して，ｎ型ＧａＮ基 板ウエハをおよそ１００μｍの厚みにする。 (6) ｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面に化学的機械的研磨（ＣＭＰ，Chemical Mechanical Polishing），反応性イオンエッチング（ＲＩＥ，Reactive Ion Etching）などを施し，ｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面近傍の領域を除去する。 (7) 上記除去工程後のｎ型ＧａＮ基板ウエハの裏面にｎ電極を形成する。 (8) 各素子の共振器端面を形成するために，ｎ型ＧａＮ基板ウエハを，ストラ イプ状のリッジ部に垂直な方向に劈開して，バー状に分割する。 (9) バー状になったｎ型ＧａＮ基板ウエハをリッジ部のストライプ方向に平行 に分割して半導体レーザ素子にする。 （別紙） 被 告 主 張 方 法 目 録 @ 厚さ４００μｍ程度のＧａＮ基板の上面上に，活性層を含むＧａＮ半導体 層を形成する工程， A 上記ＧａＮ基板の裏面を基板の厚さが１００μｍ程度になるまで研磨する （粗く削る）工程， B 上記Aの工程の後に，粒径の異なる研磨剤を複数使用してＧａＮ基板の裏 面を鏡面になる（透明にする）まで研磨する工程， C 上記Bの工程の後に，ＣＭＰを用いてＧａＮ基板の裏面を１〜数μｍ程度 研磨する（ダメージ層を除去する）工程， D 上記CのＣＭＰによる研磨の後，ＧａＮ基板の裏面上にｎ側電極を形成す る工程とを備え， E ＧａＮ基板とｎ側電極との界面近傍における，本件各特許発明にいう「転 位密度」は明らかに１×１０ ９ｃｍ −２以下であり，ＧａＮ基板とｎ側電極と のコンタクト抵抗は商品化されたレーザ装置の有するコンタクト抵抗値にな っている F ＧａＮ系半導体素子の製造方法。 |