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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成22行ケ10019審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成23行ケ10258審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10184審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成23行ケ10134審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成23行ケ10130審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 元本PDF |
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|---|
| 事件 |
平成
23年
(行ケ)
10358号
審決取消請求事件
|
|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2012/08/08 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平成２４年８月８日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官 平成２３年（行ケ）第１０３５８号 審決取消請求事件 口頭弁論終結日 平成２４年７月１８日 判 決 原 告 ローベルト ボツシュ ゲーエムベーハー 同訴訟代理人弁護士 加 藤 義 明 木 村 育 代 松 永 章 吾 原 澤 敦 美 同 弁理士 星 公 弘 高 橋 佳 大 被 告 特 許 庁 長 官 同指定代理人 堀 川 一 郎 田 村 嘉 章 槙 原 進 樋 口 信 宏 守 屋 友 宏 主 文 １ 特許庁が不服２００９−１３９１０号事件について 平成２３年６月２１日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 事実及び理由 第１ 請求 主文１項と同旨 第２ 事案の概要 本件は，原告が，下記１のとおりの手続において，特許請求の範囲の記載を下記 ２とする本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について，特許庁が，同請求は 成り立たないとした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は下記３のと おり）には，下記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。 １ 特許庁における手続の経緯 (1) 原告は，発明の名称を「過電圧保護回路を備えた制御形の整流器ブリッジ 回路」とする発明について，平成１１年７月２７日（パリ条約による優先権主張 日：平成１０年（１９９８年）８月５日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする 特許出願（特願２０００−５６４２８８）をした（甲４）。 (2) 原告は，平成２１年４月１日付けで拒絶の査定を受けたので，同年８月５ 日，これに対する不服の審判を請求した（甲９，１０）。 (3) 原告は，平成２３年４月１９日付けで手続補正書（以下，同日付けの補正 を「本件補正」という。甲１３）を提出した。 (4) 特許庁は，上記請求を不服２００９−１３９１０号事件として審理した上， 平成２３年６月２１日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，そ の謄本は同年７月６日原告に送達された。 ２ 特許請求の範囲の記載 本件審決が対象とした本件補正後の請求項１の記載は，以下のとおりである（以 下，請求項１に記載された発明を「本願発明」などという。また，本件出願に係る 本件補正後の明細書（特許請求の範囲につき甲１３，その余につき甲４）を「本願 明細書」という。）。なお，「／」は，原文の改行部分を示す。 【請求項１】ＭＯＳ電界効果トランジスタとして構成された整流器素子を有してお り，／該整流器素子は発電機の相巻線に接続されており，該整流器素子により前記 発電機から送出された電圧がバッテリ（Ｂ）および電気的負荷へ供給される前に整 流され，／前記発電機の電圧のレベルが電圧制御回路を介して励磁巻線を通って流 れる励磁電流に影響することにより制御され，／前記励磁巻線に保護回路が配属さ れており，／該保護回路により前記電気的負荷が迅速に低減する際に前記励磁巻線 に蓄積された磁気エネルギが電気エネルギに変換されて前記バッテリ（Ｂ）へフィ ードバックされ，前記励磁巻線が遮断される，／複数の相巻線と１つの励磁巻線と を有する発電機のための制御形の整流器ブリッジ回路において，／前記保護回路が ２つの半導体スイッチ（Ｖ１１，Ｖ２１）を有しており，該２つの半導体スイッチ は前記励磁巻線に直列に接続されかつ前記バッテリ（Ｂ）に対して並列に接続され ており，／第１の半導体スイッチ（Ｖ１１）および前記励磁巻線（Ｅ）の直列回路 に対して並列に第１のダイオード（Ｖ３１）が配置されており，さらに第２の半導 体スイッチ（Ｖ２１）および前記励磁巻線（Ｅ）の直列回路に対して並列に第２の ダイオード（Ｖ４１）が配置されている／ことを特徴とする複数の相巻線と１つの 励磁巻線とを有する発電機のための制御形の整流器ブリッジ回路 ３ 本件審決の理由の要旨 (1) 本件審決の理由は，要するに，本願発明は，下記アの引用例に記載された 発明並びに下記イ，ウの周知例１及び２に記載された事項に基づいて，当業者が容 易に発明することができたものであるから，特許法29条2項の規定により，特許 を受けることができない，というものである。 ア 引用例：特開平９−１０７６９７号公報（甲１） イ 周知例１：特開昭５９−１９４６９７（甲３） ウ 周知例２：特開平８−２０５５８８（甲１４） (2) なお，本件審決は，その判断の前提として，引用発明及び本願発明と引用 発明との相違点を以下のとおり認定した。そして，本願発明の「保護回路が２つの 半導体スイッチ（Ｖ１１，Ｖ２１）を有しており」という構成は，@「保護回路が 半導体スイッチを２つ以上有しており」（解釈１）という構成と，A「保護回路が 半導体スイッチを２つのみ有しており」（解釈２）という構成の２通りに解釈する ことができるとして，それぞれの解釈をした場合の本願発明と引用発明との一致点 及び相違点を以下のとおり認定した。 ア 引 用発明：ダイオードによって構成される整流回路の素子を有しており， 該整流回路の素子は自動車用交流発電機の固定子巻線の３相出力端子に接続されて おり，該整流回路の素子により前記自動車用交流発電機から送出された電圧がバッ テリへ供給される前に整流され，前記自動車用交流発電機の直流発電電圧が電圧調 整器のロジック回路を介して界磁巻線に流れる界磁巻線電流を調整することにより 制御され，前記界磁巻線に，Ｈ型に構成されるトランジスタを有する回路が接続さ れており，該トランジスタは前記界磁巻線に直列に接続されかつ前記バッテリに対 して並列に接続されている３相の固定子巻線と１つの界磁巻線とを有する自動車用 交流発電機の制御回路 イ 解釈１の場合の一致点：整流器素子を有しており，該整流器素子は発電機の 相巻線に接続されており，該整流器素子により前記発電機から送出された電圧がバ ッテリへ供給される前に整流され，前記発電機の電圧のレベルが電圧制御回路を介 して励磁巻線を通って流れる励磁電流に影響することにより制御され，前記励磁巻 線に所定の回路が配属されており，前記所定の回路が２つの半導体スイッチを有し ており，該２つの半導体スイッチは前記励磁巻線に直列に接続されかつ前記バッテ リに対して並列に接続されている複数の相巻線と１つの励磁巻線とを有する発電機 のための制御形の整流器ブリッジ回路 ウ 解釈２の場合の一致点：整流器素子を有しており，該整流器素子は発電機の 相巻線に接続されており，該整流器素子により前記発電機から送出された電圧がバ ッテリへ供給される前に整流され，前記発電機の電圧のレベルが電圧制御回路を介 して励磁巻線を通って流れる励磁電流に影響することにより制御され，前記励磁巻 線に所定の回路が配属されており， 前 記所定の回路が少なくとも２つの半導体ス イッチを有しており，該少なくとも２つの半導体スイッチは前記励磁巻線に直列に 接続されかつ前記バッテリに対して並列に接続されている複数の相巻線と１つの励 磁巻線とを有する発電機のための制御形の整流器ブリッジ回路 エ 相違点１：本願発明は，整流器素子が「ＭＯＳ電界効果トランジスタ」によ り構成されるのに対し，引用発明は「ダイオード」により構成される点 オ 相違点２：本願発明は，発電機から送出された電圧が電気的負荷にも供給さ れるのに対し，引用発明は，かかる特定がなされていない点 カ 解釈１の場合の相違点３：本願発明は，励磁巻線に，第１の半導体スイッチ 及び前記励磁巻線の直列回路に対して並列に第１のダイオードが配置され，さらに 第２の半導体スイッチ及び前記励磁巻線の直列回路に対して並列に第２のダイオー ドが配置された保護回路が配属され，電気的負荷が迅速に低減する際に前記励磁巻 線に蓄積された磁気エネルギが電気エネルギに変換されてバッテリへフィードバッ クされ，前記励磁巻線が遮断されるのに対し，引用発明は，そのような構成とされ ていない点 キ 解釈２の場合の相違点３：本願発明は，励磁巻線に，２つの半導体スイッチ を有し，第１の半導体スイッチ及び前記励磁巻線の直列回路に対して並列に第１の ダイオードが配置され，さらに第２の半導体スイッチ及び前記励磁巻線の直列回路 に対して並列に第２のダイオードが配置された保護回路が配属され，電気的負荷が 迅速に低減する際に前記励磁巻線に蓄積された磁気エネルギが電気エネルギに変換 されてバッテリへフィードバックされ，前記励磁巻線が遮断されるのに対し，引用 発明は，そのような構成とされていない点 ４ 取消事由 本願発明の容易想到性に係る判断の誤り 第３ 当事者の主張 〔原告の主張〕 (1) 本願発明及び一致点の認定の誤り（解釈１）について ア 本件審決は，本願発明と引用発明の過電圧に対する保護思想の違いと，そこ から発生する作用の違いを看過した結果，半導体スイッチの数に関する認定を誤っ たものである。本件審決は，本願発明の保護回路が，半導体スイッチを２つ以上有 している場合（解釈１）と，２つのみ有している場合（解釈２）とに場合分けして 判断している。 しかし，請求項１には「前記保護回路が２つの半導体スイッチを有しており，該 ２つの半導体スイッチは前記励磁巻線に直列に接続され」と記載され，詳細な説明 においても半導体スイッチが２つだけの場合の実施例を説明している。したがって， 本願発明が，半導体スイッチが２つだけの場合を想定しているのは，請求項及び本 件明細書の記載から明らかである。 また，保護思想及び作用の観点からも，半導体スイッチの数は２つ以外に考えら れない。本願発明のように，残留した励磁エネルギを回路現象により消滅させる場 合には増磁機能のみで足り，半導体スイッチは２つになるからである。被告は，本 願発明と引用発明とを一致させたいために無理にこのような解釈を行ったものと考 えられるが，このような誤った解釈は，本願発明と引用発明の技術的な違いを正し く理解していないことから生じている。 したがって，本願発明の励磁回路の半導体スイッチを４つとする解釈１に基づく 本願発明の認定は誤りであり，解釈１の場合の一致点に関する判断が誤りであるこ とは明白である。 イ 被告は，「請求項１には，「２つのみ」と記載されているわけではないから， 保護回路内に半導体スイッチが２つ以上あればよく，したがって，半導体スイッチ が４つのものも含まれる」とするが，このような解釈であれば，本件審決において， 解釈１と解釈２とに場合分けして判断したことを意味のないものとしている。そし て，被告は，本訴において，励磁巻線は解釈１の場合も解釈２の場合も存在し，増 磁機能を司るスイッチング素子がオフした際に励磁巻線に発生する過電圧に関して は，解釈１と解釈２に差異はない旨の主張をするが，このように，被告の論理が， 本件審決と本訴における主張で異なることからも，被告が，解釈１においても，解 釈２においても，本願発明の真の作用である，発電機の励磁回路にフィードバック 回路を設置することにより励磁巻線に蓄積されたエネルギを早急に消滅させて，フ ィードバック回路を設置した励磁回路とは別回路である発電機出力の過電圧を抑制 するという機能を理解していなかったことは明らかである。 (2) 本願発明の認定の誤り及び相違点の看過（解釈１及び解釈２）について ア 本件審決は，第１のダイオード及び第２のダイオードからなる回路（フィー ドバック回路）の技術的意味について，正しく理解していない。 (ア) 被告は，本願発明のフィードバック回路は，当該回路が設置された励磁回 路の過電圧を防止するためのものであると理解しているようである。しかし，本願 発明のフィードバック回路は，発電機出力の過電圧を防止するためのものであり， このような本件審決の理解は誤りである。 (イ) 本願発明のフィードバック回路は，励磁回路の過電圧を防止するのではな く，発電機出力の過電圧を防止又は抑制し，ひいては発電機出力に接続されている 電気負荷の過電圧保護に資するものである。発電機出力に接続されていた電気負荷， 特に大容量の電気負荷が切り離されると，発電機の供給電力と電気負荷の需要電力 との間にアンバランスが生じ，供給電力量が需要電力量を上回ることにより発電機 出力が過電圧状態になり，残りの電気負荷に過電圧が印加される。 発電機出力を迅速に低減させるには，励磁回路において，第１の半導体スイッチ 及び第２の半導体スイッチを非導通にすることにより励磁エネルギの供給を停止す るとともに，励磁巻線に蓄積された励磁エネルギを早急に消失させて発電量を低減 させる必要がある。なぜなら，半導体スイッチを非導通状態にするだけでは，励磁 巻線に蓄積された磁気エネルギが励磁巻線に残存するため，当該磁気エネルギが引 き続き磁束を形成し，発電量の低減に時間がかかるからである。発電量を低減する ために，この励磁巻線に蓄積された励磁エネルギを早急に消失させるための回路が フィートバック回路の設置目的である。励磁巻線に蓄積された励磁エネルギは，フ ィードバック回路のダイオードを利用した回路現象により早急に消失される。ここ で重要なことは，単に増磁用の励磁エネルギの供給を停止するだけではなく，励磁 巻線に蓄積された励磁エネルギを早急に消失させるという作用である。これにより 効果的に発電量が減少し，発電機出力の過電圧状態を抑制するのである。 (ウ) 本件明細書によれば，本願発明のフィードバック回路が，励磁回路の過電 圧を抑制するためのものではなく，発電機出力の過電圧を抑制するためのものであ ることは明白である。 (エ) 仮に，本件審決が判断するように，励磁回路の過電圧を抑制することを目 的とするのであれば，本願出願時には多数の過電圧抑制手段が既に公知であったの であるから，過電圧抑制手段として本願発明のフィードバック回路に限定される理 由はない。しかし，これらの過電圧抑制手段は，励磁回路の過電圧抑制は可能であ っても，本願発明のフィードバック回路のように，励磁巻線に蓄積された磁気エネ ルギを回路現象によって早急に消失させる機能を有しておらず，したがって，発電 量を低減させて発電機出力の過電圧を抑制する機能は有していない。 (オ) したがって，本件審決が本願発明のフィートバック回路が励磁回路の過電 圧抑制のために設置されていると解釈したのは誤りであり，さらに，励磁回路の過 電圧抑制のために本願発明のフィードバック回路を選択した根拠は本件明細書の内 容を知った上の後知恵によるものである。よって，本願発明は引用発明に基づき容 易に推考できる発明ではない。 イ 本件審決は，解釈１及び解釈２における相違点３の判断において，発電機出 力の過電圧抑制に対する本願発明の保護方法と引用発明の保護方法とを，励磁巻線 への励磁電流の遮断という観点で同じ保護方法であるかのように論じている。しか し，このような理解は，両発明の技術的意味を理解していないことから生じる誤っ たものである。 (ア) 保護思想の相違 引用発明は，発電機の負荷開放時における発電機出力の過電圧に対し，励磁回路 をフィードバック制御し，かつ，励磁回路に減磁電流を流すことにより対処するも のである。一方，本願発明は，励磁回路には増磁電流しか流せず，かつ，フィード バック制御ではなく，第１，２のダイオードから構成されるフィードバック回路の 回路現象によって対処する。 そして，引用発明は，励磁巻線に逆方向の電流（減磁）させることにより励磁エ ネルギを強く消滅させる効果を有するという長所がある。しかし，引用発明は，発 電機出力の電圧を検出し，検出した電圧に基づき制御回路がスイッチング素子の制 御端子に指令を出すというフィードバック制御を採用しているため，効果が発揮さ れるまでに長い時間を要し，発電機出力が急速に過電圧になった場合，当該過電圧 の抑制が間に合わない危険があるという短所を持つ。 一方，本願発明は，上記のようなフィードック制御ではなく，第１，第２のダイ オードにより構成されるフィードバック回路の回路現象によるものであるから，過 電圧に対し引用発明より高速に対応できるという長所がある。 このように，発電機出力の過電圧に対し，引用発明はフィードバック制御による 減磁機能で対処するのに対し，本願発明は，増磁機能しか有さず，かつ，制御では なくフィードバック回路の回路現象で対処するという点において，その思想に大き な相違がある。 (イ) 本願発明は，第１及び第２の半導体スイッチを非導通状態にして増磁エネ ルギの供給を停止し，それにより孤立した励磁巻線に蓄積されたエネルギを，スイ ッチと並行にダイオードを設置することにより放出するルートを確保し（フィード バック回路），バッテリにそのエネルギをフィードバックする。これにより，エネ ルギが消失する。一方，引用発明は増磁用の半導体スイッチをオフさせて増磁エネ ルギの供給を停止させるが，それと同時に減磁用の半導体スイッチをオンさせて減 磁エネルギを供給する（逆方向の電流を供給する）。励磁巻線に蓄えられた増磁エ ネルギと逆極性のエネルギが供給されることによって，増磁エネルギが打ち消され るとともに，減磁エネルギが蓄積される。 そもそも，引用発明の保護思想は「一方向にのみ電流を流す構成（本願発明の励 磁回路に相当する）」を否定した保護思想を基礎としたものであって，この保護思 想が上記相違点を生み出す要因となっている。このように，本願発明と引用発明と は保護思想及び作用に関して大きな相違点があり，この相違点は，本件審決の解釈 １，解釈２にかかわらず，どちらの解釈においても共通する相違点であるが，この 点について，本件審決は一切触れていない。 (ウ) 以上のとおり，本願発明と引用発明とは保護思想及び作用に関し，明らか な違いがある。 (3) 相違点３の判断の誤り（解釈２）について ア 引用発明は，発電機の負荷開放時における発電機出力の過電圧に対し，励磁 回路をフィードバック制御し，かつ，励磁回路に減磁電流を流すことにより対処す るものである。一方，本願発明は，励磁回路には増磁電流しか流せず，かつ，フィ ードバック制御ではなく，第１，２のダイオードから構成されるフィードバック回 路の回路現象によって対処する。 引用発明は，発電機出力の電圧を検出し，検出した電圧に基づき制御回路がスイ ッチング素子の制御端子に指令を出すというフィードバック制御を採用しているた め，効果が発揮されるまでに長い時間を要し，発電機出力が急速に過電圧になった 場合，当該過電圧の抑制が間に合わない危険があるという短所を持つ。一方，本願 発明は，第１，２のダイオードにより構成されるフィードバック回路の回路現象に よるものであるから，過電圧に対し引用発明より高速に対応できるという長所があ る。 引用発明の保護思想は「一方向のみに電流を流す構成」を否定した保護思想を基 礎とするものであって，この思想が相違点を生み出す要因となっている。 イ 本件審決は，半導体スイッチを４つ有する引用発明のＨ型ブリッジ回路を設 置したまま周知例２のフィードバック回路だけを追加することは周知であると判断 している。しかし，これは，本願発明の半導体スイッチが２つのみの場合の解釈２ であるから，半導体スイッチを４つ有する引用発明に周知例２のフィードバック回 路を追加しても，本願発明と同一の構成にならない。 〔被告の主張〕 (1) 本願発明及び一致点の認定の誤り（解釈１）について 請求項１には，「２つのみ」と記載されているわけではないから，保護回路内に 半導体スイッチが２つ以上あればよく，したがって，半導体スイッチが４つのもの も含まれる。また，本件明細書の記載はあくまで一実施例であるから，解釈１に基 づいて相違点３を判断した本件審決に誤りはない。 (2) 本願発明の認定の誤り及び相違点の看過（解釈１及び解釈２）について ア コイル等のインダクタンス分は，電源の供給が停止しても，インダクタンス に蓄積されたエネルギは電源停止と同時に零にはならず，当該エネルギを蓄積し続 ける。そのため，当該エネルギーを何らかの手段で解放しなければスイッチング素 子の損傷等に至るから，電動機・発電機のコイルには，通常記載はなくても並列に ダイオードが接続され，このように蓄積エネルギを解放することは技術常識である。 イ 引用発明は，通常動作時の発電機の界磁側の磁場の制御が目的であって，発 電機の負荷開放時における発電機出力の過電圧に対処することを目的としておらず， 過電圧保護は，コイルに並列にダイオードを接続することで対処することが技術常 識であり，原告の主張は失当である。 (3) 相違点３の判断の誤り（解釈２）について ア 原告は，引用発明のＨ型トランジスタが発電機出力の検出電圧によりフィー ドバック制御されていることを問題視しているようであるが，そもそも本願発明の ２つのトランジスタにおいても，発電機出力の検出電圧によるフィードバック制御 が行われていることは明らかである。 すなわち，特許請求の範囲には，「前記発電機の電圧のレベルが電圧制御回路を 介して励磁巻線を通って流れる励磁電流に影響することにより制御され」と記載さ れ，【０００８】【０００９】の記載によれば，励磁電流の遮断時に励磁巻線に誘 導される逆電圧（励磁巻線に蓄積された磁気エネルギ）をフィードバックするダイ オードの構成は，技術常識であるダイオードの構成に他ならず，励磁巻線に蓄積さ れた磁気エネルギを速やかに解放するという点において何ら相違しない。 イ 発電機の励磁電流を制御するためには，当該電気回路にスイッチング素子を 設ける必要があり，励磁巻線に接続するスイッチング素子の個数は，１個であるか （甲２），２個であるか（本願発明），４個であるか（引用発明）のいずれかであ る。 そして，スイッチング素子の個数を，１個，２個，４個とすることは，いずれも 周知技術であるから，スイッチング素子の個数をいずれの個数とするかは，ダイオ ードの個数の節約と発電機の制御態様との兼ね合いに応じて，当業者が必要に応じ て選択し得るものである。 また，スイッチング素子を２個用いる第１，２のダイオードから構成されるフィ ードバック回路も，周知技術である（乙１〜３）。 そうであれば，引用発明においても，過電圧保護はコイルにダイオードを接続す ることで対処する技術常識の下，解釈２に基づいてスイッチング素子の個数を２個 として上記周知技術のように第１，２のダイオードから構成されるフィードバック 回路とすることは当業者が容易に考えられたことであり，相違点３について，本件 審決の認定・判断に誤りはない。 第４ 当裁判所の判断 １ 本願発明について (1) 本願発明の特許請求の範囲の記載は，前記第２の２のとおりであり，本願 明細書には，以下の記載がある（甲４）。 ア 本願発明は，発電機，特に独立請求項の上位概念に記載の車両内で使用され る三相発電機に対する過電圧保護回路を備えた制御形の整流器ブリッジ回路に関す る（【０００１】）。 イ 本願発明の利点 本願発明の過電圧保護回路を備えた制御形の整流器ブリッジ回路は，従来の技術 に比べて負荷の開放の際に発生する電圧のピークが低減される利点を有する。この 電圧ピークの低減はＭＯＳ電界効果トランジスタを備えた自己制御形の整流器ブリ ッジ回路を使用する場合に必須である（【０００４】）。 この利点は，過電圧保護回路を備えた制御形の整流器ブリッジ回路を請求項１の 特徴部分を組み合わせて使用することにより得られる。過電圧保護回路を備えた制 御形の整流器ブリッジ回路を用いれば，負荷の開放時に発生する過電圧，すなわち 発電機の励磁巻線に蓄積された磁気エネルギに起因する過電圧が迅速に低下される。 これは蓄積されたエネルギをバッテリへフィードバックすることにより行われる （【０００５】）。 本願発明の別の利点は従属請求項に記載された手段によって得られる。ここで特 に有利には，励磁電流のフィードバックにより負荷の開放に起因するロード‐ダン プ電圧の迅速な低下が達成される。その際にロード‐ダンプ電圧に起因する短絡電 流を特に小さく維持することができる。この短絡電流をＭＯＳ電界効果トランジス タによって短絡の場合に制御しなければならない（【０００６】）。 ウ 図面の説明 ２つのトランジスタＶ１１，Ｖ２１により電圧制御回路は励磁巻線Ｅを通って流 れる励磁電流ＩＥを調整し，これにより発電機の出力電圧が所望のレベルを取る。 発電機の出力電圧の低減は励磁電流の遮断により達成される。励磁電流ＩＥの遮断 時には励磁巻線に逆電圧が誘導されるので，図１の回路には２つの半導体弁Ｖ３１， Ｖ４１，例えばダイオードが設けられている。これらのダイオードは励磁電流の遮 断時，すなわちトランジスタＶ１１，Ｖ２１が阻止される際に励磁巻線Ｅに蓄積さ れた磁気エネルギをバッテリＢにフィードバックする。特にロード‐ダンプの場合， すなわち発電機の負荷が極めて迅速に低減される動作状態においては，例えば負荷 の開放又は強度の電気的負荷の遮断により，発生するロード‐ダンプ電圧を迅速に 低下させる必要がある。この低下は半導体弁Ｖ３１，Ｖ４１により特に迅速に達成 される（【０００９】）。 図４に示されたローサイドトランジスタを短絡する際のロード‐ダンプ時の電流 特性に対しては，通常動作中はＩＫ１［Ａ］に強い電流の上昇があり，緩慢にしか 低下しないが，バッテリフィードバックによる遮断の際には最大の電流強度がはる かに小さく，しかも短絡電流は１００ｍｓ後には既に再びゼロまで降下している。 この電流特性はＩＫ２［Ａ］として時間ｔに関して示されている（【００１４】）。 (2) 本願発明の特徴 前記認定のとおり，本願発明は，車両内で使用される三相発電機に対する過電圧 保護回路を備えた制御形の整流器ブリッジ回路に関するものであり，従来の技術に 比べて負荷の開放の際に発生する電圧のピークが低減される利点を有する。 発電機の出力電圧の低減は励磁電流の遮断により達成されるが，励磁電流の遮断 時には励磁巻線に逆電圧が誘導されるので，２つのダイオードが設けられている。 励磁電流の遮断時，すなわちトランジスタＶ１１，Ｖ２１が阻止される際に励磁巻 線に蓄積された磁気エネルギをバッテリにフィードバックする。 特にロード‐ダンプの場合，すなわち発電機の負荷が極めて迅速に低減される動 作状態においては，発生するロード‐ダンプ電圧を迅速に低下させる必要があるが， この低下は半導体弁Ｖ３１，Ｖ４１により特に迅速に達成される。 したがって，本願発明は，励磁電流の遮断によって生じる励磁巻線に誘導される 逆電圧を「過電圧」として保護しようとするものではなく，発電機の負荷が極めて 迅速に低減される動作状態において，発電機の出力電圧に発生するロード‐ダンプ 電圧を「過電圧」として迅速に低下（保護）させるものである。 ２ 引用例に記載された発明について (1) 引用例には次の記載がある（甲１）。 ア 発明の属する技術分野 本発明は車両用交流発電機の充電システムに関する。 イ 発明が解決しようとする課題 従来技術では，バッテリが満充電の時には発電機が発電しないように逆方向の電 流を流すように制御するために，バッテリの充電状況を検出する手段が必要である。 検出手段の一つにバッテリ電圧を検出する手段があるが，バッテリ電圧だけでは負 荷状況により正確な充電状況を把握することはできない。よって，比重等を測定す る必要があり測定器が複雑となる。また，バッテリが満充電以外の時には充電する ように界磁巻線電流を制御しなければならないために逆方向に電流を流すモードは 通常の運転モードではほとんどない。よって，常に界磁巻線電流を流すために界磁 巻線電流による銅損が発生してしまう。本発明の目的は自動車用交流発電機の出力 向上と界磁巻線電流を低減して界磁巻線で発生する銅損を低減できる自動車用交流 発電機の制御方法を提供することにある。 ウ 課題を解決するための手段 上記目的を達成するために，本発明は発電機の爪形磁極ロータの磁極間に比較的 強い永久磁石を配置し，最も使用する回転時で一定負荷電流時（平均使用電流時） に界磁巻線電流が零の状態で，その永久磁石のみで発生する直流発電電圧がバッテ リの充電電圧とほぼ同じ大きさになるように使用する永久磁石の数と種類を選択し たものである。そして，負荷電流の増減及び車速の変化に応じて発電電流を制御す るために界磁巻線電流を増減磁制御するようにした。交流発電機のロータ内部に配 置した補助励磁用の永久磁石が作る磁束の方向は，界磁巻線が作る磁束に対して並 列に配置されるために，界磁巻線に電流を流さなくても固定子巻線に磁束を差交さ せることができる。よって，ロータの速度に応じた誘起電圧を固定子巻線に得るこ とができる。そして，この３相交流電圧を全波整流して直流電圧に変換しこの電圧 でバッテリを充電するように作用する。そして，直流の発電電圧が低いときには界 磁巻線電流を増磁側に流し，発電電圧を上昇させる。また，逆の場合には界磁巻線 電流を減磁側に流し直流発電電圧がバッテリの充電電圧と同じになるように界磁巻 線電流を制御するものである。 次に，図２を用いて発電機の制御回路構成について説明する。バッテリは自動車 用交流発電機のＢ端子及びアース端子に接続され，内部に配置される整流回路にそ れぞれ接続されている。また，アース端子はエンドブラケット及び固定子鉄心に電 気的に接続されている。また，自動車用交流発電機の内部に配置される固定子巻線 の３相出力端子はダイオードによって構成される整流回路に接続される。また，電 圧調整器には自動車用交流発電機の直流発電電圧を検出できるようにバッテリ端子 のＢ端子とアース端子の電圧が発電電圧検出信号として接続される。また，この検 出電圧と基準電圧とを比較する比較器と，Ｈ型に構成されるスイッチング素子を制 御するためのロジック回路が配置されている。界磁巻線はＨ型に構成されるトラン ジスタ等のスイッチング素子に接続され界磁巻線電流をどちらの方向にも流せるよ うに構成されている。よって，界磁巻線に流す電流方向を永久磁石に対して増磁又 は減磁のどちらの方向にも起磁力を発生させることができるようにした。次に動作 について説明する。電圧調整器はＢ端子とアース端子間に発生する直流発電電圧が バッテリを充電するための充電電圧になるように界磁巻線に流れる界磁巻線電流を 調整する役割を持っている。そのために実際の発電電圧を発電電圧検出信号として フィードバックして基準電圧と比べて発電電圧が高い場合には界磁巻線電流を減少 させるように制御する。 界磁巻線はＨ型に構成されるトランジスタ等のスイッチング素子に接続され界磁 巻線電流をどちらの方向にも流せるように構成されている。よって，界磁巻線に流 す電流方向を永久磁石に対して増磁又は減磁のどちらの方向にも起磁力を発生させ ることができるようにした。次に動作について説明する。電圧調整器はＢ端子とア ース端子間に発生する直流発電電圧がバッテリを充電するための充電電圧になるよ うに界磁巻線に流れる界磁巻線電流を調整する役割を持っている。そのために実際 の発電電圧を発電電圧検出信号としてフィードバックして基準電圧と比べて発電電 圧が高い場合には界磁巻線電流を減少させるように制御する。しかし，永久磁石を 爪形磁極間に配置した場合，永久磁石の漏れ磁束によって界磁巻線電流を零にして も発電電圧が発生してしまう。よって，従来のように一方向にのみ電流を流す構成 では高速回転時や低負荷時に発電電圧が上昇し整流ダイオードやバッテリを壊す危 険がある。そこで，高速回転時や低負荷時には永久磁石の磁束を打ち消すように界 磁巻線に電流を流す必要がある。つまり，永久磁石をロータに設けたことで自動車 用交流発電機の回転数が高速になったときにもバッテリの充電電圧以上に直流発電 電圧がならないように逆方向に界磁巻線電流を流すように制御し保護できるように したものである。 (2) 引用発明の特徴 前記認定のとおり，引用発明は，発電機の爪形磁極ロータの磁極間に比較的強い 永久磁石を配置し，最も使用する回転時で一定負荷電流時（平均使用電流時）に界 磁巻線電流が零の状態で，その永久磁石のみで発生する直流発電電圧がバッテリの 充電電圧とほぼ同じ大きさになるように使用する永久磁石の数と種類を選択してい るものである。 そして，界磁巻線は，４つの半導体スイッチを有するＨ型ブリッジ回路に接続さ れ，直流の発電電圧が低いときには界磁巻線電流を増磁側に流し，発電電圧を上昇 させ，逆の場合には界磁巻線電流を減磁側に流し直流発電電圧がバッテリの充電電 圧と同じになるように界磁巻線電流を制御する。 引用発明のように永久磁石を配置すると，界磁巻線電流を零にしても発電電圧が 発生するため，一方向にのみ電流を流す構成では高速回転時や低負荷時に発電電圧 が上昇する危険がある。そこで，高速回転時や低負荷時にもバッテリの充電電圧以 上に直流発電電圧がならないように逆方向に界磁巻線電流を流すように制御し保護 するものである。 ３ 取消事由について (1) 解釈１に基づく判断について ア 本件審決は，本願発明の保護回路が半導体スイッチを２つ以上有している構 成（解釈１）と２つのみ有している構成（解釈２）の２つの解釈があり得るとした 上，解釈１の場合の相違点３は，容易に想到することができると判断した。 イ しかしながら，そもそも，特許請求の範囲には，「２つの半導体スイッチ」 と記載され，本願明細書の発明の詳細な説明にも，２つの半導体スイッチ（トラン ジスタ）がある場合の実施例が記載されており，それを超える数の半導体スイッチ がある場合についての記載はない。 したがって，本願発明は，保護回路が２つの半導体スイッチを有しているのであ って，保護回路が２つ以上の半導体スイッチを有していることを前提とする解釈１ は，保護回路が２つのみの半導体スイッチを有していることを前提とする解釈２と 別個に判断する必要がなく，あえて解釈１に基づく判断をした本件審決の認定判断 は，その点において，誤りである。 ウ 仮に，本願発明について，保護回路が半導体スイッチを２つ以上有している と解釈したとしても，その場合の相違点３の判断については，以下のとおり，誤り がある。 (ア) 本願発明は，前記１のとおり，励磁電流の遮断によって生じる励磁巻線に 誘導される逆電圧を「過電圧」として保護しようとするものではなく，発電機の負 荷が極めて迅速に低減される動作状態において，発電機の出力電圧に発生するロー ド・ダンプ電圧を「過電圧」として迅速に低下（保護）させるものである。すなわ ち，本願発明の「過電圧保護」は，発電機として動作するのに必要な励磁回路の電 流を遮断することによって，発電機の出力電圧を下げる作用を奏するものと解すべ きである。 これに対し，引用発明は，前記２のとおり，高速回転時や低負荷時にもバッテリ の充電電圧以上に直流発電電圧がならないように逆方向に界磁巻線電流を流すよう に制御し保護するものである。 (イ) 本件審決は，本願発明の保護回路が半導体スイッチを２つ以上有している 構成（解釈１）があり得るとした上，解釈１の場合の相違点３は，容易に想到する ことができたと判断した。 そして，被告は，引用発明は，通常動作時の発電機の界磁側の磁場の制御が目的 であって，発電機の負荷開放時における発電機出力の過電圧に対処することを目的 としておらず，過電圧保護は，コイルに並列にダイオードを接続することで対処す ることが技術常識であると主張する。 しかしながら，引用発明のように永久磁石を配置すると，界磁巻線電流を零にし ても発電電圧が発生するため，一方向にのみ電流を流す構成では高速回転時や低負 荷時に発電電圧が上昇する危険がある。そこで，高速回転時や低負荷時にもバッテ リの充電電圧以上に直流発電電圧がならないように逆方向に界磁巻線電流を流すよ うに制御し保護するものであるから，被告の上記主張は理由がない。 そして，仮に引用発明に被告のいう技術常識を適用し，界磁巻線（又は半導体ス イッチ）に並列にダイオードを接続して，界磁巻線に発生する過電圧を急速に低減 させて，界磁巻線に流れる電流を遮断するように構成しても，永久磁石によって生 じる磁界により発電機出力が発生するから，発電機の出力電圧の過電圧を低減させ ることはできず，本願発明にいう「過電圧保護」にはならない。 エ よって，解釈１に基づく本件審決の判断は，誤りである。 (2) 解釈２に基づく判断について ア 本件審決は，本願発明の保護回路が半導体スイッチを２つ以上有している構 成（解釈１）と２つのみ有している構成（解釈２）の２つの解釈があり得るとし， 解釈２の場合の相違点３（本願発明は，励磁巻線に，２つの半導体スイッチを有し， 第１の半導体スイッチ及び前記励磁巻線の直列回路に対して並列に第１のダイオー ドが配置され，さらに第２の半導体スイッチ及び前記励磁巻線の直列回路に対して 並列に第２のダイオードが配置された保護回路が配属され，電気的負荷が迅速に低 減する際に前記励磁巻線に蓄積された磁気エネルギが電気エネルギに変換されてバ ッテリへフィードバックされ，前記励磁巻線が遮断されるのに対し，引用発明は， そのような構成とされていない点）は，容易に想到することができると判断した。 そして，被告は，引用発明においても，過電圧保護はコイルにダイオードを接続 することで対処する技術常識の下，解釈２に基づいてスイッチング素子の個数を２ 個として周知技術（乙１〜３）のように第１，２のダイオードから構成されるフィ ードバック回路とすることは当業者が容易に考えられたことである旨主張する。 イ しかしながら，引用発明の「４つの半導体スイッチを有するＨ型ブリッジ回 路」を「２つの半導体スイッチを有する回路」に変更すると，増磁電流と減磁電流 を流すために用いられるＨ型ブリッジ回路とした引用発明の基本構成が変更され， 減磁電流を流すことができなくなり，引用発明の課題を解決することができなくな るから，仮に被告主張の周知技術があったとしても，このような変更には阻害要因 がある。 そして，４つのスイッチング素子を用いる引用発明に対して，スイッチング素子 の数を変更することなく周知例２に記載された周知技術を適用すると，４つのスイ ッチング素子に４つのダイオードが逆方向に並列接続される構成になり，解釈２に 係る本願発明（保護回路が半導体スイッチを２つのみ有しているもの）の構成とな らないことは明らかである。 ウ よって，解釈２に基づく本件審決の判断は，誤りである。 エ なお，被告は，本訴において，乙１ないし３を周知技術として提出した。本 件審決は，界磁回路が４つの半導体スイッチング素子を有するＨ型ブリッジ回路に 接続された引用発明に周知例１及び２に記載された技術を適用して本願発明を容易 に想到することができたとするものであり，乙１ないし３は，本件審決において引 用されず，これらに基づく容易想到性は判断されなかったものである。そこで，再 度の審判手続においては，乙１ないし３を引用した上，原告に意見を述べる機会を 与えるべきである。 (3) 小括 以上のとおり，本願発明は，本件審決が引用した引用例に基づいてはこれを容易 に想到することができたということはできず，原告の主張する取消事由には理由が あり，審決の結論に影響を及ぼすことは明らかである。 ４ 結論 以上の次第であるから，本件審決は取り消されるべきものである。 知的財産高等裁判所第４部 裁判長裁判官 部 眞 規 子 裁判官 井 上 泰 人 裁判官 齋 藤 巌 |