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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成21行ケ10107審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10282審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10351審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10350審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10235審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 関連ワード | 発明者 / 技術的思想 / 方法の発明 / 製造方法 / 頒布された刊行物 / 進歩性(29条2項) / 容易に発明 / 引用発明の認定 / 周知技術 / 技術常識 / 発明の詳細な説明 / 技術的意義 / 置き換え / 容易に想到(容易想到性) / 実施 / 拒絶査定 / 請求の範囲 / 変更 / 独立特許要件 / |
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| 元本PDF |
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| 事件 |
平成
23年
(行ケ)
10056号
審決取消請求事件
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|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2011/09/28 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平成２３年９月２８日 判決言渡 平成２３年（行ケ）第１００５６号 審決取消請求事件（特許） 口頭弁論終結日 平成２３年９月２１日 判 決 原 告 株 式 会 社 島 津 製 作 所 訴訟代理人弁理士 喜 多 俊 文 同 江 口 裕 之 同 阿 久 津 好 二 被 告 特 許 庁 長 官 指 定 代 理 人 江 成 克 己 同 田 部 元 史 同 田 村 正 明 主 文 １ 特許庁が不服２０１０−１７２号事件について平成２３年１月６ 日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 事 実 及 び 理 由 第１ 請求 主文同旨 第２ 事案の概要 １ 本件は，原告が，名称を「周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法」とす る発明につき特許出願をしたところ，拒絶査定を受けたので，これに対する不 服審判請求をし，平成２２年１月６日付けで特許請求の範囲の変更を内容とす る手続補正（以下「本件補正」という。）をしたが，上記補正却下の上，請求 不成立の審決を受けたことから，その取消しを求めた事案である。 ２ 争点は，上記補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。） が下記引用例に記載された発明及び周知技術から容易想到（特許法29条2項） であったとして本件補正を却下したことが違法か，である。 記 引用例：特開２００２−７２２６６号公報（発明の名称「タンタル酸リチウム 単結晶の強誘電分極反転を利用した光機能素子」，公開日 平成１４年 ３月１２日，甲１。以下，これに記載された発明を「引用発明」という。） 第３ 当事者の主張 １ 請求の原因 (1) 特許庁における手続の経緯 原告は，平成１６年１月２１日，名称を「周期的分極反転領域を持つ基板 の製造方法」とする発明につき特許出願（特願２００４−１２７８４号，公 開特許公報は特開２００５−２０８１９７号〔甲７〕）をし，平成２０年１ ２月２６日（第１次補正，請求項の数３，甲９）及び平成２１年９月１日（第 ２次補正，甲１２）にそれぞれ手続補正をしたが，平成２１年９月２４日に 第２次補正の却下及び拒絶査定を受けたので，平成２２年１月６日，これに 対する不服の審判請求と本件補正（第３次補正，請求項の数２。甲１６。） をした。 特許庁は，同請求を不服２０１０−１７２号事件として審理した上，平成 ２３年１月６日，本件補正を独立特許要件を欠くとして却下した上，「本件 審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は同年１月１８日 原告に送達された。 (2) 発明の内容 本願に係る発明の内容は，次のとおりである。 ア 第１次補正時（平成２０年１２月２６日，甲９，請求項の数３）のもの ・【請求項１】 単一分極されたＣ板の定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成 に近いタンタル酸リチウム単結晶からなる基板の＋Ｃ面および−Ｃ面 に電極を設け，少なくとも一方の電極は周期電極とし，前記電極間に電 界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を１［秒間］以上印加し，前 記基板に周期的分極反転領域を形成することを特徴とする周期的分極 反転領域を持つ基板の製造方法。 ・【請求項２】 請求項１に記載の周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法におい て，前記基板のＬｉ２Ｏ／（Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が，０．４ ９５以上０．５０５未満であることを特徴とする周期的分極反転領域を 持つ基板の製造方法。 ・【請求項３】 請求項１に記載の周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法におい て，前記基板のＬｉ２Ｏ／（Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が，０．４ ９５以上０．５０５未満であり，且つ，前記基板には，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓ ｃ，Ｉｎのうちの少なくとも１種類がドープされていることを特徴とす る周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法。 イ 本件補正時（第３次補正，平成２２年１月６日，甲１６，請求項の数２。 下線は補正部分） ・【請求項１】 ＭｇＯをドープした，単一分極されたＣ板の定比組成（ストイキオメ トリ）または定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶からなる基板の ＋Ｃ面および−Ｃ面に電極を設け，少なくとも一方の電極は周期電極と し，前記電極間に電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を１［秒 間］以上印加し，前記基板に周期的分極反転領域を形成することを特徴 とする周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法。（本願補正発明） ・【請求項２】 請求項１に記載の周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法におい て，前記基板のＬｉ２Ｏ／（Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が，０．４ ９５以上０．５０５未満であることを特徴とする周期的分極反転領域を 持つ基板の製造方法。 (3) 審決の内容 ア 審決の内容は，別添審決写しのとおりである。その要点は，本願補正発 明は上記の引用例及び周知技術に基づいて当業者（その発明の属する技術 の分野における通常の知識を有する者）が容易に発明をすることができた から特許を受けることができない（特許法29条2項）ので本件補正は独 立特許要件を満たさず，本件補正前の請求項１に係る発明（第１次補正時 のもの）も同様に特許を受けることができない，というものである。 イ なお，審決が認定した引用発明の内容，同発明と本願補正発明との一致 点，相違点は，次のとおりである。 (ｱ) 引用発明の内容 「＋ｚ面および−ｚ面を有する，Ｔａ過剰で定比組成に近いモル分率 ０．４９５〜０．５０のタンタル酸リチウム単結晶またはＬｉ過剰で定 比組成に近いモル分率０．５００〜０．５０５のタンタル酸リチウム単 結晶からなる基板の＋ｚ面および−ｚ面に電極を設け，一方の電極は櫛 形電極及び平行電極とし，他方の電極は全面電極とし，櫛形電極と平行 電極の間，および櫛形電極と全面電極との間に電界を印加し，前記基板 に周期的分極反転領域を形成する周期的分極反転領域を持つ基板の製 造方法。」 (ｲ) 一致点 「単一分極されたＣ板の定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成 に近いタンタル酸リチウム単結晶からなる基板の＋Ｃ面および−Ｃ面 に電極を設け，少なくとも一方の電極は周期電極とし，前記電極間に電 界を印加し，前記基板に周期的分極反転領域を形成する周期的分極反転 領域を持つ基板の製造方法。」 (ｳ) 相違点１ 「本願補正発明は『ＭｇＯをドープした・・・タンタル酸リチウム単結 晶』と特定されているのに対し，引用発明は該特定を有しない点。」 (ｴ) 相違点２ 「本願補正発明は『電極間に電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電 界を１［秒間］以上印加し』と特定されているのに対し，引用発明は該 特定を有しない点。」 (4) 審決の取消事由 しかしながら，本願補正発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が 容易に発明をすることができたとする審決には，以下のとおり誤りがあるか ら，違法として取り消されるべきである。 ア 取消事由１（相違点１についての判断の誤り） (ｱ) 引用発明の認定の誤りによる相違点１の判断の誤り 審決は，「引用発明において，本願補正発明の相違点１に係る構成を 備えることは，周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たことで ある。」（９頁３〜５行）と判断しているが，誤りである。 ａ 「引用例にはＭｇを添加してはならない旨の記載はない。」との認 定の誤り 審決は「引用例全体の記載をみても，引用例にはＭｇを添加しては ならない旨の記載はない。」（８頁１０〜１１行）との認定に基づき， 「容易に想到し得た」との判断に至っているが，この認定は誤りであ る。 すなわち，引用発明（甲１）の技術的思想は，「従来の各種結晶は， Ｍｇなどの添加物を加えると，光機能素子を再現性よく作成するのが 難しくなる」という課題を解決し，「Ｍｇなどの添加物を加えること なく，電圧印加法を用いて周期的分極反転構造を精度よく生成する」 ことを目的として，「従来の基板材料に代えて，Ｌｉ過剰のストイキ オメトリ組成のＬＴ結晶を採用する」ことで，「Ｍｇなどの添加物を 加えなくても耐光損傷閾値が高くなる」という作用効果を奏するとこ ろにあり，ＭｇＯを添加（ドープ）しないことを前提とするものであ る。したがって，引用発明は，その技術的思想上，Ｍｇを添加しては ならないことを前提として成り立っているものである。 ｂ 「光損傷に強くするためのＭｇ添加は必要でないというもの」との 認定の誤り 審決は，上記前提について「ただし，これは光損傷に強くするため のＭｇ添加は必要でないというもの」（８頁９〜１０行）とも認定す る。 しかし，引用発明は，単に光損傷の効果を得るためにＭｇ添加が必 要でないという点にとどまらず，分極反転特性の制御の面から，Ｍｇ Ｏを添加しないことを前提とした技術的思想である。 この点を再度詳細に説明すると，引用発明の課題は，「耐光損傷性 に優れるものの，分極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存するため，無 添加の定比組成に近いＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持つ光機能 素子を再現性よく作成するのが難しくなる」，「Ｍｇを含んだＬＴ単 結晶の生産において，Ｍｇ元素を結晶内に均一に分布させ光学的品質 を劣化させずに結晶を育成するためには，無添加結晶の場合に較べて 結晶育成速度を遅くしなければならず，生産性が悪くなるという問題 があった。さらに，Ｍｇを含んだ結晶では分極反転特性が無添加結晶 とは異なるため，制御性が悪くなるという問題があった」，「また定 比組成に近くＴａ成分過剰のＬＴ結晶に少量ＭｇＯを添加した単結 晶では反転周期が短くなり，反転構造が複雑になる」というものであ って，分極反転特性の制御の面からＭｇを添加することなく，Ｔａ成 分過剰とするのみとしているのである。 ｃ 引用発明を技術的思想として把握していないことについての誤り 引用発明の認定に際しては，仮に各構成要素が記載されていたとし ても，それをひとまとまりの構成ないし技術的思想として把握できる か否かを判断する必要がある（知財高裁平成１８年（行ケ）第１０１ ３８号事件判決参照）。 この点，審決は，引用発明のＭｇＯ添加に関する課題について本質 的な技術的思想の認定を明らかに誤っているのであって，その誤った 認定を前提として周知技術の適用を論じているから，引用発明の認定 の誤りは，審決の結論に影響を及ぼすことは明らかである。 ｄ 甲３記載の周知技術の技術的思想の認定及びその適用の誤り 仮に引用発明に周知技術を適用するならば，引用発明の課題を解決 して，積極的にＭｇを添加してもよい旨の示唆等が周知技術に存在す ることが必要になるのは当然である。 この点，甲３（特開平６−１６５００号公報，発明の名称「タンタ ル酸リチウム単結晶，単結晶基板および光素子」，公開日 平成６年 １月２５日）の構成は，「光透過性及び耐光損傷特性に優れたタンタ ル酸リチウム単結晶を提供」することを課題として，Ｍｇを所定量添 加するものであるところ，Ｍｇの添加によって「耐光損傷特性」が改 善する効果が得られることは，「ＭｇＯを添加した定比組成に近いＬ Ｔ単結晶は，耐光損傷性に優れるものの」との記載から明らかなよう に，引用発明で既に前提として記載されており，引用発明はそれでも なお，Ｍｇをドープしない構成を採用するものである。 引用発明は，「波長変換光機能素子」であり，「最も重要な技術は， 周期的分極反転構造を精度よく生成する」ことにある。すなわち，「波 長変換光機能素子」は，周期的分極反転構造により，入射光を所望の 波長の光に変換することができる素子であり，この周期が不均一にな ると，たとえ光透過性が向上したとしても，そもそもの波長変換素子 としての機能を果たさないことは当業者に明らかである。 したがって，引用発明が「分極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存す るため，無添加の定比組成に近いＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持 つ光機能素子を再現性よく作成するのが難しくなる」との課題，すな わち周期的分極反転構造を再現性よく作成できないという課題の存 在を前提としているにもかかわらず，単に甲３にＭｇＯドープによる 光透過性の効果が記載されていることのみをもって，当業者が，引用 発明にＭｇＯをドープしたはずであるとは到底いえない。 ｅ 甲４記載の周知技術の技術的思想の認定の誤り及びその適用の誤 り 甲４（特開２００１−２８７９９９号公報，発明の名称「タンタル 酸リチウム単結晶，およびその光素子，およびその製造方法」，公開 日 平成１３年１０月１６日）記載の発明における技術的思想は，Ｍ ｇＯを添加した一致溶融組成ＬＴの場合，外部から自発分極と反対方 向の電場を加えた時の自発分極の反転の制御が悪く，さらに，分極反 転幅比を１：１に作成することがより困難であるとの課題を解決し， 分極反転周期特性及び電気光学特性に優れた定比組成ＬＴ結晶を育 成するとの目的を達成するために，定比組成に近いもののある程度の Ｔａ余剰により不定比欠陥を有するタンタル酸リチウム単結晶に，Ｍ ｇ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｉｎのいずれかの元素をトータル量で０．１〜３ｍ ｏｌ％添加する構成を採用することで，Ｌｉの欠陥部分を前記第三の 元素により埋めるところにあり，かかる技術的思想は，「ＭｇＯを添 加した定比組成に近いＬＴ単結晶は，耐光損傷性に優れるものの，分 極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存するため，無添加の定比組成に近 いＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持つ光機能素子を再現性よく作 成するのが難しくなる」，「これまでに若干のＴａ過剰成分側（Ｌｉ ２ Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５ ＋Ｌｉ２Ｏのモル分率が０．４９５〜０．５０)）に ある結晶では，安定して光損傷に強い結晶を提供するためには，Ｍｇ などの添加物を加えることが必要であった。」との記載，すなわち， 引用発明の従来技術に相当する。 引用発明は，当該従来技術に対し，「しかし，Ｍｇを含んだＬＴ単 結晶の生産において，Ｍｇ元素を結晶内に均一に分布させ，光学的品 質を劣化させずに結晶を育成するためには，無添加結晶の場合に較べ て結晶育成速度を遅くしなければならず，生産性が悪くなる」ことを 課題として，Ｍｇ，ＭｇＯをドープしない構成を採用するものである。 よって，当該課題を無視して，当業者が引用発明にＭｇＯをドープし たはずであるとは到底いえない。 なお，被告は，甲３及び甲４は，光損傷に強くする目的及びそれ以 外の種々の目的でタンタル酸リチウム単結晶にＭｇＯをドープする ことを示す周知技術として挙げた文献であり，実際にそれが記載され ているので，審決の認定に誤りはない旨の主張をするが，たとえ甲３ 及び甲４にＭｇＯドープをすることが記載されていたとしても，甲３ は「２８０〜４００ｎｍ帯における光透過率を向上させた」（請求項 ４）ものであり，甲４は「Ｍｇ．．．をトータル量で０．１〜３ｍｏ ｌ％の範囲で融液に添加することにより，非線形光学定数ｄ３３および 電気光学特性ｒ ３３ を低下させないで小さな分極反転電圧が得られ」 （段落【００２１】）るものであることから，引用発明とは各々目的 が異なる。このように目的が異なる技術を引用発明に適用する動機付 けとなるものは何もない。 (ｲ) 小括 以上のとおり，審決は，引用発明の認定を誤り，また甲３及び甲４に 記載された発明の技術的思想を正解することなく，甲３及び甲４から形 式的にＭｇＯをドープする構成を取り出して引用発明に容易に適用で きるとしたものである。該判断は，審決の結論に影響を及ぼす重大な瑕 疵であり，かかる判断に基づく審決は，違法として取り消されるべきで ある。 なお，付言すると，「Ｔａ過剰定比結晶」と「Ｌｉ過剰定比結晶」の いずれをも含むというのが審決の認定であるとすれば，引用発明は， 「Ｔａ過剰定比結晶」と「Ｌｉ過剰定比結晶」のいずれについても分極 反転領域を形成できる製造方法の発明であることになる。そのような製 造方法の発明を引用例から認定できないことは前述のとおりではある が，仮に認定できるとしても，そのうちの一方のみではなく，Ｔａ,Ｌ ｉのどちらが過剰であるか否かにかかわらず，ＭｇＯを添加する工程を 設けることが容易であることを示さなければ，進歩性欠如の論理付けが できるとはいえない。 そして，取消事由１のうち，引用発明の「Ｌｉ過剰定比結晶」にＭｇ Ｏをドープすることが容易とはいえない点については，被告も明確な反 論をしないところである。 そうすると，取消事由１は，引用発明の「Ｌｉ過剰定比結晶」にＭｇ Ｏを添加することが容易ではないとする点において理由がある。その 際，引用発明に「Ｔａ過剰定比結晶」が含まれ，その結晶にＭｇＯをド ープすることが容易であるかどうかは，取消事由１の結論に影響を及ぼ さないから，被告の反論は失当である。 イ 取消事由２（相違点２のうち「直流電界」とすることについての判断の 誤り） (ｱ) 引用発明と周知技術を示す刊行物(甲２，５，６)との関係について 引用発明は，「分極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存するため，無添 加の定比組成に近いＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持つ光機能素子 を再現性よく作成するのが難しくなる」ことを課題とする。また，全て の実施例等は，パルス電圧を印加するものとして記載されている。 一方，審決が引用する甲２（特開２００３−２９５２４２号公報，発 明の名称「光波長変換素子」，公開日 平成１５年１０月１５日）記載 の発明は，「パルス電圧のみ又は直流電圧のみの印加による分極反転構 造の課題を解決するために，直流電圧にパルス電圧を重畳する」点に特 徴を有するところ，当該文献に触れた当業者が，引用発明の印加電圧を 直流電圧にしたであろうとの推測は得られないというべきである。 また，甲５（特開平９−１２７５６４号公報，発明の名称「光デバイ ス」，公開日 平成９年５月１６日）記載の発明は，「直接電界印加法 では，疑似位相整合に要求される精度を出すことが困難である」との課 題を解決するために，「分極反転の周期構造が繰り返される方向と光伝 搬方向とが０°より大きく設定」するという技術的思想が認められるに すぎず，当該文献に触れた当業者が，引用発明の印加電圧を直流電圧に したであろうとの推測は得られないというべきである。 さらに，甲６（特開平４−３３５６２０号公報，発明の名称「分極反 転制御方法」，公開日 平成４年１１月２４日）記載の発明における技 術的思想は，結晶破壊を起こさないように，高温中で電圧印加を行うと， 強誘電体材料の表面が汚れるおそれがあるとの課題を解決するために， 対象とする強誘電体材料に応じて電極幅等を適切に選定する点にある ことから，当該文献に触れた当業者が，引用発明の印加電圧を直流電圧 にしたであろうとの推測は得られないというべきである。 仮に，審決による周知技術の認定を前提としても，当該文献に触れた 当業者が，引用発明の印加電圧を直流電圧にしたであろうとの推測が得 られない場合は，引用発明に当該周知技術として認定した事項を適用す ることが容易であるとすることはできない。被告は，「直流電圧」を印 加することが甲２，甲５及び甲６に記載されていることを主張するのみ で，引用発明の印加電圧を直流電圧にしたであろうとの推測が成り立つ ことの主張立証はみられず，被告の上記主張は失当である。 (ｲ) 出願当時の技術水準 本願出願当時（平成１６年１月２１日），パルス電圧を印加して，分 極反転構造を形成するかについて活発な研究がされているものの，直流 電圧を印加することを開示した文献は確認できないことからみて，出願 当時の技術水準では，分極反転構造を形成するためには，パルス電圧を 印加することが相当程度の技術常識として定着していたことが推認さ れる。 なお，被告は，直流電界と単一パルスが同義であるとするが，これら は技術的に相違するものであり，同義に扱うのは，苦し紛れの詭弁にす ぎない。 そもそも直流は，定電圧電源から出力されるものであり，パルスは， 所定のパルス幅の電圧を出力するための発生回路を有するパルス電源 でなければ生成できない。単一パルスというのは，パルスの個数が１つ だけであるという意味にすぎず，直流と異なることは技術的に当然であ る。 特に，パルス電圧を印加することにより基板に周期的分極反転領域を 形成する方法では,必要な精度でデューティ比を調整するために,数百 μ秒のオーダーでパルス幅を制御する必要があるという認識があった ために，パルスを単一とするか複数回に分けるかは別として，パルス電 源を使用していたのである。 (ｳ) 小括 したがって，審決は，引用発明並びに甲２，甲５及び甲６記載の発明 の課題の相違を十分認識することなく，また，本願出願当時の技術常識 を的確に把握せずに，甲２，甲５及び甲６の記載から直流電圧の印加に 関する記載のみを形式的に取り出して引用発明におけるパルス電圧と 置き換えようとするものであって，審決の判断が失当であることは明ら かである。 ウ 取消事由３（相違点２のうち電界強度と印加時間に関する判断の誤り） (ｱ) 数値範囲の意図する技術的思想の示唆の存在の立証を欠く認定の誤り いわゆる数値範囲が含まれている発明の容易想到性を判断した先例 として，例えば，知財高裁平成２１年（行ケ）第１０３３０号事件判決 がある。これは「引用発明及び周知例に接した当業者が，本願発明の数 値範囲に到達しようとするとき，その数値範囲の意図する技術的思想に ついての示唆がそれらの文献にない場合は，当業者が当該数値範囲に設 計的に至るということはできない。」旨の判示をしている。 審決は，直流電界の強度と印加時間は，基板に所望する周期的分極反 転領域が形成されるように適宜定めるべき設計事項であるとしている が，本願補正発明の数値範囲の意図する技術的思想の示唆が，引用例及 び周知例にあることの立証をしていない以上，進歩性を否定する根拠を 欠いている。 (ｲ) 本願補正発明の数値範囲の意図する技術思想 本願補正発明の数値範囲の意図する技術的思想は，「従来のパルス電 圧を印加することにより基板に周期的分極反転領域を形成する方法で は，必要な精度でデューティ比を調整するために，数百［μ秒］のオー ダーでパルス幅を制御する必要があったという課題を解決するために， 定比組成又は定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶にＭｇＯをド ープした結晶からなる基板に周期電極を配置した上，当該電極に電界強 度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を１［秒間］以上印加することに より，分極反転構造の横方向への広がりが抑制された均一な分極反転構 造を非常に粗い時間管理でも得ることができる」というものである。 特に，ＭｇＯをドープした結晶からなる基板に，電界強度が１［ｋＶ ／ｍｍ］以下の直流電界を印加することにより，分極反転構造の横方向 への広がりが抑制された分極反転構造が形成されるという原理自体，い ずれの文献にも開示，示唆がない。 したがって，審決に立証がないことはもとより，実質的にも，数値範 囲の意図する技術的思想が引用例及び周知例に示されているとはいえ ず，かかる数値範囲に至ることが設計事項であるとした審決の判断は誤 りである。 (ｳ) 技術常識に基づく困難性の看過 引用例における「両ｚ面に電極を形成した後，電圧を印加し，電流値 の変化から分極反転電圧を測定した。」との記載（甲１の段落【００６ ３】)，甲２における「分極反転が生じると，櫛形電極２と平面電極３ との間に，強誘電体の自発電極の大きさと電極面積とに比例した電流 （「反転電流」と称する）が流れる。」との記載（甲２の段落【０１３ ４】），及び，甲２３における「分極反転電流は約１ｋＶ／ｍｍから流 れ始め，約２．０ｋＶ／ｍｍで完了している。」との記載などからみて， 「周期的分極反転領域が形成」されたかどうかは，反転電流が流れたか どうかによって判断するのが一般的である。この点，甲２３における「分 極反転電流は約１ｋＶ／ｍｍから流れ始め」との記載から理解できるよ うに，本願発明の電界強度（１ｋＶ／ｍｍ以下）では，反転電流が観測 されないとされており，甲２０〜甲２３（学術文献）の全記載をみても， 本願出願当時，パルス電圧を印加して，分極反転構造を形成するかにつ いて活発な研究がなされているものの，直流電圧を印加する文献は確認 できず，かつ，本願出願前に，１ｋＶ／ｍｍ以下の電界強度において反 転電流が観測されるとの記載は認められない。 したがって，本件出願当時，本願補正発明の電界強度条件下において 分極反転領域が形成されたかどうかを確認できなかったものと推測さ れる。 しかも，甲６の図１３等から明らかなように，周期的構造が所望の形 状に形成されたかどうかを判断するためには，断面写真などで観察を行 うことが必要となることからすれば，本願補正発明のように１ｋＶ／ｍ ｍ以下の直流電界を印加した場合には，反転電流が観測できないため に，分極反転領域が形成されたかどうかを確認できないにもかかわら ず，電界の印加を停止し，断面写真を撮影するという極めて困難な手順 を踏まなければ，本願補正発明に至ることはできないのであるから，当 業者が本願補正発明の条件に至ることは相当困難であったというべき である。 以上のとおり，審決が引用した各刊行物には，本願補正発明における 数値範囲の意図する技術的思想が開示されていないことはもとより，設 計指標がないままに「基板に所望する周期的分極反転領域が形成され」 ているかどうかを確認しながら，場当たり的に実験を行ったとしても， 本願補正発明の条件に至るには相当の困難を伴うというべきである。 なお，被告が主張する「甲２３のＦｉｇ．３は，電界強度１．１ｋＶ ／ｍｍで反転電流が観測されることを示している」という事実は，本願 出願後の甲２３（レーザー研究，第３２巻３号 ２００４年［平成１６ 年］３月）にようやく記載があり，かつ，「１ｋＶ／ｍｍ以下の電界強 度において反転電流が観測されるとの記載は認められない。」との事実 を覆すものではない。 また，甲２３は審決で引用していないことはもとより，本願出願後に 頒布された刊行物であるから，そもそもの引例適格を欠くものであり， 甲２３に基づく被告の反論は失当である。 このほか，被告は本願補正発明の属する技術分野についての技術的理 解を誤っている。 すなわち，被告は，「電界強度を強くかつ印加時間を長くすれば分極 反転領域形成の確実さが増すことは自明である。」とするが，高電界を 長時間印加すれば，周期的分極反転領域が横方向に広がり，隣接する分 極反転領域と接してしまうなどして，所望の結晶が得られない。そうで あるからこそ，各文献に記載の発明においては，印加するパルスの幅を 厳格に制御しているのである。 しかも，被告は，裏付けとして甲２４（平成２３年４月１４日付けＡ の「陳述書」）を引用し，「図の番号の順に実験を進めたとすれば」と するが，甲２４が，長時間の電界印加によっても横方向への広がりが抑 制されていることを確かめるための実験であることは甲２４の記載か ら明らかであるから，「まず電界強度を強くかつ印加時間を長く設定 し,その後徐々に電界強度を弱くかつ印加時間を短く設定して実験し た」のとは逆の順で行ったであろうことは，当然に理解できることであ る。 被告の判断は，技術的に誤った認定及び極めて恣意的な判断に基づい ており，進歩性の判断において排除されなければならない典型例であ る。 (ｴ) 小括 したがって，審決による電界強度と印加時間に関する判断には重大な 瑕疵があり，結論に及ぼす影響が重大である。 エ 取消事由４（格別な効果の看過） (ｱ) 本願補正発明の効果 本願補正発明の効果は，本願明細書（公開特許公報，甲７）に「実施 例２によれば，１［秒間］以上のいずれの時間でも，直流電圧印加領域 全体に渡って均一な周期で分極反転構造が得られた。・・・直流電圧印 加時間の変化に対するデューティ比の変化は小さく，数十［秒］のオー ダーで直流電圧印加時間を制御しても十分な精度でデューティ比を調 整できる」（段落【００１７】）と明記されているように，本願明細書 から明確に把握できる。 さらに，かかる効果は，本願補正発明の発明者による陳述書（甲２４） の添付書類における図５，図６ａ〜図６ｄの断面写真からも明らかであ る。 (ｲ) 審決で引用された各刊行物の効果 一方，審決で引用された各刊行物には，ＭｇＯをドープしたＳＬＴに １ｋＶ／ｍｍ以下の直流電界を１秒以上印加した場合に，分極反転構造 の横方向への広がりが抑制されることを示唆する記載は認められず，本 願補正発明の奏する効果は，引用文献から予想することができないもの である。 したがって，審決の「本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基づ いて，当業者が容易に発明をすることができた」との判断は誤りであっ て，審決は取り消されるべきである。 ２ 請求原因に対する認否 請求の原因(1)ないし(3)の各事実は認めるが，(4)は争う。 ３ 被告の反論 審決の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。 (1) 取消事由１に対し ア(ｱ) 原告は，引用発明の技術思想は「従来の各種結晶は，Ｍｇなどの添加 物を加えると，光機能素子を再現性よく生成するのが難しくなる」とい う課題を解決し，「Ｍｇなどの添加物を加えることなく，電圧印加法を 用いて周期的分極反転構造を精度よく生成する」ことを目的として， 「従来の基板材料に代えて，Ｌｉ過剰のストイキオメトリ組成のＬＴ結 晶を採用する」ことで，「Ｍｇなどの添加物を加えなくても耐光損傷閾 値が高くなる」という作用効果を奏するところにあり，ＭｇＯを添加し ないことを前提とするものである旨主張するので，以下検討する。 (ｲ) 引用例（甲１）には，ＴａとＬｉのモル分率が，多量のＴａ成分過剰 の約０．４８５，若干Ｔａ成分が過剰な側０．４９５〜０．５０，Ｌｉ 成分が過剰の定比組成に近い０．５０より大きい，と異なる３種類のタ ンタル酸リチウム単結晶が記載されている（段落【００４３】，【００ ４４】参照）（１番目の単結晶は，定比０．５から乖離しているから， 以下「非定比結晶」といい，２番目の単結晶は，定比０．５に近いがＴ ａ過剰であるから，以下「Ｔａ過剰定比結晶」といい，３番目の単結晶 は，定比０．５に近いがＬｉ過剰であるから，以下「Ｌｉ過剰定比結晶」 という。）。 一方，審決が引用例（甲１）に記載されているとした引用発明は，「＋ ｚ面および−ｚ面を有する，Ｔａ過剰で定比組成に近いモル分率０．４ ９５〜０．５０のタンタル酸リチウム単結晶またはＬｉ過剰で定比組成 に近いモル分率０．５００〜０．５０５のタンタル酸リチウム単結晶か らなる基板の＋ｚ面および−ｚ面に電極を設け，一方の電極は櫛形電極 及び平行電極とし，他方の電極は全面電極とし，櫛形電極と平行電極の 間，および櫛形電極と全面電極との間に電界を印加し，前記基板に周期 的分極反転領域を形成する周期的分極反転領域を持つ基板の製造方 法。」である。 よって，審決の認定した引用発明のタンタル酸リチウム単結晶は， 「Ｔａ過剰で定比組成に近いモル分率０．４９５〜０．５０のタンタル 酸リチウム単結晶またはＬｉ過剰で定比組成に近いモル分率０．５００ 〜０．５０５のタンタル酸リチウム単結晶」であり，「Ｔａ過剰定比結 晶」と「Ｌｉ過剰定比結晶」を含む。 また，引用例では，「Ｔａ過剰定比結晶」には，「安定して光損傷に 強い結晶を提供するためには，Ｍｇなどの添加物を加えることが必要で あった。」（段落【００７０】参照）のであるから，原告が引用発明の 課題に関して「引用例記載の発明は，・・・Ｍｇなどの添加物を加える ことなく」とした点は，引用発明のタンタル酸リチウム単結晶を「Ｌｉ 過剰定比結晶」のみに限るものであり，誤りである。 なお，審決では，引用例にはＭｇを添加してはならない旨の記載の事 実がないことを指摘するとともに，引用発明として認定したタンタル酸 リチウム単結晶全体についてＭｇ添加が除外されているわけではない ことを示したものである。 (ｳ) このように，引用発明のタンタル酸リチウム単結晶は，「Ｌｉ過剰の 定比組成に近いＬＴ結晶」つまり「Ｌｉ過剰定比結晶」のみに限られな いのであるから，原告による引用発明の「技術思想」，「課題」及び「作 用効果」の認定はすべて誤っている。特に，「Ｍｇなどの添加物を加え なくても耐光損傷閥値が高くなるという作用効果を奏する」ことは， 「Ｌ ｉ過剰定比結晶」のみにいえることであり，引用発明のタンタル酸リチ ウム単結晶は「Ｌｉ過剰定比結晶」のみに限られないのであるから，「引 用発明の技術思想は・・・ＭｇＯを添加しないことを前提とするもので ある。」との主張は誤りである。 イ 甲３及び甲４は，「タンタル酸リチウム単結晶からなり，周期的分極反 転領域を持つ基板の製造方法において，光損傷に強くする目的及びそれ以 外の種々の目的でタンタル酸リチウム単結晶にＭｇＯをドープすること」 が周知技術であることを示す例として挙げた文献である。 審決で，引用例（甲１）の「なお，これまでに若干のＴａ過剰成分側（Ｌ ｉ2Ｏ／(Ｔａ2Ｏ５＋Ｌｉ2Ｏのモル分率が０．４９５〜０．５０）にある結 晶では，安定して光損傷に強い結晶を提供するためにはＭｇなどの添加物 を加えることが必要であった。」との記載（段落【００７０】）を引用し て検討したとおり，同周知技術は引用例（甲１）にも記載されている。 しかし，上記記載は，光損傷に強くする目的でＭｇＯをドープすること に関するものであるので，審決は，それ以外の目的でもＭｇＯをドープす ることが記載された例として甲３及び甲４を挙げたものである。そして， 甲３及び甲４には，審決で述べたとおり，「タンタル酸リチウム単結晶か らなり，周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法において，光損傷に強 くする目的及びそれ以外の種々の目的でタンタル酸リチウム単結晶にＭ ｇＯをドープすること」が記載されている。 よって，引用発明において，本願補正発明の相違点１に係る構成を備え ることがＭｇＯをドープすることに関する周知技術に基づいて当業者が 想到容易であったとの判断に係る周知技術が記載された文献として，甲３ 及び甲４を審決で引用した点に誤りはない。 (2) 取消事由２に対し ア 甲２，甲５及び甲６の記載事項について 甲２，甲５及び甲６には，原告が主張する各事項がそれぞれ記載されて いる。しかし，審決は，これら各発明を参照するために甲２，甲５及び甲 ６を引用したのではなく，「タンタル酸リチウム単結晶からなり，周期的 分極反転領域を持つ基板の製造方法において，電極間に直流電界を印加し て分極反転させること」が周知技術であることを示すために，同周知技術 が甲２，甲５及び甲６に記載されていることから引用したのである。 例えば，甲２には，「次に，直流電源４のみを使用して，直流電圧のみ を印加して分極反転領域の形成を試みた例を説明する。この場合には，図 １(a)の構成で，直流電源４によって櫛形電極２を介してＬｉＴａＯ３基板 １に直流電圧を印加する。パルス電源５は使用せずに，平面電極３は接地 する。」（段落【０１４０】）と直流電圧のみを印加することが明記され ている。 よって，甲２，甲５及び甲６を引用して，本願補正発明と引用発明との 相違点２のうち｢直流電界｣とすることを容易想到とした審決の判断に誤 りはない。 イ 甲２０ないし甲２３から認められる技術水準について（取消事由３に対 する反論を含む。） (ｱ) 前記アのとおり，本願補正発明と引用発明の相違点２のうち「直流電 界」とすることを容易想到と判断するために必要な周知技術は甲２，甲 ５及び甲６に記載されているのであるから，原告が「出願当時の技術水 準」を示す証拠と主張する甲２０ないし甲２３を検討し，それらにいか なる技術事項が記載され，それが「出願当時の技術水準」を示すか否か， 及び上記周知技術とどう関係するかを判断する必要はないが，念のため 検討する。 (ｲ) 確かに，甲２０及び甲２１には，ＭｇＯをドープしたタンタル酸リチ ウム単結晶に，概ね２ｋＶ／ｍｍ以上の電界強度でパルス電圧を印加す ることが記載されているが，これが出願当時の技術水準を示すものとは いえない。 まず，本願補正発明でいう直流電界は，１秒間以上の幅を持つ電界強 度が１ｋＶ／ｍｍ以下である単一パルスともいえるから，甲２０の０． ２２ｓ，２．４ｋＶ／ｍｍの単一パルス（１２６３頁 27P-W-8）及び甲 ２１の０．９ｓ，２．１ｋＶ／ｍｍの単一パルス（１０６７頁 30a-YK-4） と格別相違しない。 また，タンタル酸リチウム単結晶を用いた周期的分極反転領域を持つ 基板の製造手段の簡素化には，パルス電界印加より直流電界印加が望ま しく，電源は，より低電圧が望ましいことは技術常識である（本願明細 書の段落【０００６】参照）。 このほか，甲２４（陳述書）に添付された「発明考案の説明書」２頁 の「Ｅ．作用・・・従来のような絶縁油内で印加するなどの放電対策が 必要ない。」との記載は，高電圧であると放電が起きやすいことを示し ている。一方，甲２０及び甲２１は，学会で発表する論文であるから， その基となる実験では，他の研究者の検証に耐える優れた特性の試料を 得ることが，製造手段の簡素化より重視されるべきとも考えられる。 してみれば，甲２０及び甲２１に，概ね２ｋＶ／ｍｍ以上の電界強度 でパルス電圧を印加することが記載されているからといって，１ｋＶ／ ｍｍ以下の電界強度で１秒間以上の直流電圧を印加することを試みる ことが，学術論文を執筆する研究者以外も含むタンタル酸リチウム単結 晶を用いた基板の製造に携わる当業者にとって，技術常識に反していた とはいえない。 (ｳ) 甲２２には，Ｍｇ；ＳＬＴウエハに０．６ｋＶ／ｍｍの電界を単一パ ルスで印加することで分極反転を行うことが記載されているが，これが 出願直後の技術水準を示すものとはいえない。 前記のとおり，本願補正発明でいう直流電界は，１秒間以上の幅を持 つ電界強度が１ｋＶ／ｍｍ以下である単一パルスともいえるから，甲２ ２の単一パルスと，格別相違しない。 また，平成１５年３月開催の学会の講演予稿集である甲２０及び同年 秋催の学会の講演予稿集である甲２１には，ＭｇＯをドープしたタンタ ル酸リチウム単結晶に，概ね２ｋＶ／ｍｍ以上の電界強度でパルス電圧 を印加することが記載されている。そして，平成１６年３月開催の学会 の講演予稿集である甲２２には，Ｍｇ；ＳＬＴウエハに０．６ｋＶ／ｍ ｍの電界を単一パルスで印加することで分極反転を行うことが記載さ れている。 してみれば，より低い電界強度を目指す方向で研究が進められたとい える。そして，本願出願日である平成１６年１月２１日の２か月後に開 催された学会の発表に係る講演予稿集である甲２２に０．６ｋＶ／ｍｍ の電界を単一パルスで印加することが記載されており，講演予稿集投稿 に先立って実験計画立案，機材準備，実験，データ分析，執筆等の時間 が必要であることにかんがみれば，１ｋＶ／ｍｍ以下の電界強度でパル ス電圧を印加することが本願出願前時の技術水準であったといえる。 (ｴ) 甲２３の記載（１８２頁左欄下から３行目〜同右欄１行目）及びＦｉ ｇ．２，３からすれば，甲２３には徐々に強度が増す三角波による実験 結果が示されているのであって，約１ｋＶ／ｍｍから分極が始まるとと もに分極反転電流が流れ始めていることは，約１ｋＶ／ｍｍで反転分極 できることを意味する。 よって，甲２３の上記記載は，例えば，三角波のスロープが１ｋＶ／ ｍｍに達したときに電界強度をそのままの値に維持して所定時間継続 する，つまり三角波の代わりに１ｋＶ／ｍｍの電界強度の台形波パルス とし，直流と相違ないものとしても反転分極でき得ることを示唆してお り，甲２３の記載が「ＭｇＯがドープされたＳＬＴ(定比組成ＬｉＴａ Ｏ３)において，１ｋＶ／ｍｍ以下の電界強度では，分極反転電流が観測 されないと考えられていた。」ことを示すとはいえない。 なお，三角波のスロープが５ｋＶ／ｍｍ／ｓであり，約２．５ｋＶ／ ｍｍまでグラフが描かれていることは，約０．５ｓ電界を印加したこと を意味するから，甲２３の記載は，直流電界を約１ｋＶ／ｍｍで約０． ５秒印加すれば反転分極でき得ることを示唆している。 (ｵ) 以上のとおり，「出願当時の技術水準では，分極反転構造を形成する ためには，パルス電圧を印加することが相当程度の技術常識として定着 していたことが推認される。」とはいえない。 特に，本願補正発明でいう直流電界は，１秒間以上の幅を持つ電界強 度が１ｋＶ／ｍｍ以下である単一パルスともいえるから，甲２０ないし 甲２２の単一パルスと，格別相違しない。 (3) 取消事由３に対し ア「本願補正発明の数値範囲の意図する技術的思想の示唆の存在を欠く認定 の誤り」について (ｱ) 本願明細書の段落【０００６】の記載からすると，本願補正発明の技 術的意義（技術思想）は，直流電界を用いることで，パルス電圧では必 要な電圧を印加するための複雑な構成（短いパルス幅のパルス電圧を出 力できる電源など）を不要にし，かつ直流電界を用いても従来の材質の 基板では約２０［ｋＶ／ｍｍ］以上の強電界が必要であったところ，定 比組成又は定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶の基板とするこ とで，周期的分極反転領域を基板に形成するための直流電界を２０［ｋ Ｖ／ｍｍ］よりは十分に小さい値とする点にあると解される。 本願明細書に，１［ｋＶ／ｍｍ］よりは大きいが２０［ｋＶ／ｍｍ］ よりは十分に小さい３［ｋＶ／ｍｍ］の直流電界を用いて，ＭｇＯをド ープしていないものの定比組成又は定比組成に近いタンタル酸リチウ ム単結晶の基板に周期的分極反転領域を形成する実施例６についての 記載（段落【００２５】）があることは，これを裏付ける。 また，本願補正発明では，最低限必要な直流電圧印加時間は電界強度 に応じて自ずと定まる（段落【００２０】）ところ，本願明細書（甲７） には，印加時間は１秒間より大きい１８０秒間であるが電界強度は１ｋ Ｖ／ｍｍより小さい０．５ｋＶ／ｍｍである実施例３について， 【０ 段落 ０１８】に記載がある。 すなわち，本願明細書には，電界強度が１ｋＶ／ｍｍ以外の実施例と しては，電界強度が０．５ｋＶ／ｍｍで電圧印加時間が１８０秒間の実 施例しかなく，本願明細書には，原告が主張する「定比組成又は定比組 成に近いタンタル酸リチウム単結晶にＭｇＯをドープした結晶からな る基板に周期電極を配置した上，当該電極に電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］ 以下の直流電界を１［秒間］以上印加することにより，分極反転構造の 横方向への広がりが抑制された均一な分極反転構造を非常に粗い時間 管理でも得ることができるというものである。」という技術思想を裏付 ける実施例はない。 むしろ，本願補正発明で印加時間１秒間以上電界強度１ｋＶ／ｍｍ以 下とあるのは，電界強度が小さい点では実施例３の方が優れているもの の，ある特定のモル分率と厚さの基板を用いた実施例２を，印加時間が 短く電界強度２０ｋＶ／ｍｍよりは十分に小さい例として提示した程 度のことであって，本願補正発明の技術的意義（技術的思想）は，「従 来のパルス電圧を印加することにより基板に周期的分極反転領域を形 成する方法では，必要な精度でデューティ比を調整するために，数百μ 秒のオーダーでパルス幅を制御する必要があるのでパルス電圧ではな く直流電界を用いることとし，かつ従来の材質の基板では直流電界を用 いても約２０ｋＶ／ｍｍ以上の強電界が必要であったところ，定比組成 又は定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶にＭｇＯをドープした 結晶からなる基板を用いることにより，周期電極を配置した上，当該電 極に電界強度が約２０ｋＶ／ｍｍよりは十分に小さい直流電界を，その 電界強度から自ずと定まる最低印加時間以上印加することにより，基板 の厚みにも依存する分極反転構造の横方向への広がりの範囲で，均一な 分極反転構造を得ることができるというもの」と解される。 (ｲ) このように，原告による本願補正発明の技術的思想についての認定は 誤っており，また，その前提となる本願補正発明の作用効果についての 認定も，後記(4)記載のとおり誤っている。 例えば，原告が，本願補正発明の数値範囲である「直流電界印加１秒 間以上，電界強度１ｋＶ／ｍｍ以下」の意図する技術的思想と主張する 点のうち，「従来のパルス電圧を印加することにより基板に周期的分極 反転領域を形成する方法では，必要な精度でデューティ比を調整するた めに，数百[μ秒]のオーダーでパルス幅を制御する必要があったという 課題を解決する」ことができるのは，パルス電圧印加ではなく直流印加 を採用したためであり，「分極反転構造の横方向への広がりが抑制され た均一な分極反転構造を非常に粗い時間管理でも得ることができる」こ とは，印加時間を変えて実施された実施例２のみについていえても，１ 秒間と桁数においてかけ離れた２０秒間又は１８０秒間という単一の 時間しか印加していない実施例１，実施例３ないし実施例５にもいえる か否か不明であって，「電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を １［秒間］以上印加すること」との因果関係は不明である。 (ｳ) 一方，審決で検討したとおり，「定比組成又は定比組成に近いタンタ ル酸リチウム単結晶にＭｇＯをドープした結晶からなる基板を用いる」 点は引用例（甲１）に記載されており，「直流印加を採用する」点は甲 ２，甲５及び甲６に記載されている。 そして，「電界強度が１ｋＶ／ｍｍ以下の直流電界を１秒間以上印加 すること」は，出願当時の技術水準からみて何ら格別のものではなく， 例えば甲２３にもその点の示唆があるものである。 イ 技術常識に基づく困難性の看過について 原告が甲２０ないし甲２３の記載を引用して主張する「出願当時の技術 水準」の認定が当を得ないことは，前記(2)イのとおりである。 特に，甲２３のＦｉｇ．３は，電界強度１．１ｋＶ／ｍｍで反転電流が 観測されることを示している。 また，電界強度を強くかつ印加時間を長くすれば分極反転領域形成の確 実さが増すことは自明であるため，まず電界強度を強くかつ印加時間を長 く設定し，その後徐々に電界強度を弱くかつ印加時間を短く設定する実験 が計画できるのであって，やみくもに電界強度と印加時間を変える場当た り的な実験を行う必要はない。 甲２４（陳述書）はこれを裏付けるものであり，甲２４に添付された「発 明考案の説明書」の図面をみると，図４の実験は（印加電圧２ｋＶを基板 厚０．４ｍｍで割って）５ｋＶ／ｍｍ印加時間３ｍｓｅｃで行い，図５の 実験は１ｋＶ／ｍｍ印加時間２秒で行い，図６の実験は１ｋＶ／ｍｍ印加 時間１秒，５秒，１０秒，３０秒で行い，図７の実験は０．５ｋＶ／ｍｍ 印加時間９０秒，１８０秒で行っている。図の番号の順に実験を進めたと すれば，概ね，まず電界強度を強くかつ印加時間を長く設定し，その後徐 々に電界強度を弱くかつ印加時間を短く設定して実験したことになる。 ウ 以上のとおり，取消事由３に係る原告の主張はいずれも失当であり，相 違点２のうち電界強度と印加時間に関する審決の判断に誤りはない。 (4) 取消事由４に対し ア 本願明細書（甲７）の段落【００１７】の記載は，「実施例２によれば」 で始まる実施例２のみに関する記載である。そして，ここには「１［秒間］ 以上のいずれの時間でも」及び「直流電圧印加時間が長いほど」とあるが， このことがいえるのは，実施例２では，印加時間を１，５，１０，３０秒 間と１秒間以上で複数変えて行ったからである。 一方，実施例２以外の実施例（実施例１，実施例３ないし実施例６）で は，単一の印加時間（２０秒間又は１８０秒間）で実施しているところ， これらは，１秒間とは大きく乖離している。そのため，例えば，実施例３ と同様に電界強度を０．５ｋＶ／ｍｍと低くし，印加時間を実施例３の１ ８０秒間以外に１秒間以上の複数の値に変化させた際に，デューティ比の 変化が小さくなるかは不明である。 よって，原告の主張する本願補正発明の作用効果のうち「電圧印加時間 が長くなっても，デューティ比の変化が小さい(分極反転構造の横方向へ の広がりが抑制される)という作用」は，実施例２の奏する作用とはいえ ても，本願の請求項１に係る発明（本願補正発明）の奏する作用とはいえ ない。 イ(ｱ) タンタル酸リチウム単結晶を反転分極する際に，均一な周期で分極反 転構造を得ることができるか否かは，基板の厚みにも依存することは技 術常識である。 例えば，引用例（甲１）の段落【００２０】，【００２１】の記載か らすれば，基板が１〜２ｍｍから３ｍｍと厚くなると均一な周期で分極 反転構造を得ることが困難になっている。 一方，本願明細書に記載された実施例１ないし実施例６では，０.４ ｍｍの厚みの基板のみが用いられている。そして，本願補正発明は，基 板の厚みを特定していないから，本願補正発明は，基板の厚み０.４ｍ ｍ以外も含む。 よって，原告の主張する本願補正発明の作用効果は，基板の厚みが０. ４ｍｍの実施例１ないし実施例６の奏する作用効果とはいえても，本願 補正発明の奏する作用効果とはいえない。 (ｲ) また，タンタル酸リチウム単結晶を反転分極する際に，均一な周期で 分極反転構造を得ることができるか否かは，基板の面積にも依存するこ とは技術常識である（例えば，引用例（甲１）の段落【００２０】参照）。 一方，本願明細書には，基板の面積についての記載がないが，実施例 １ないし実施例６は当然に一定の面積の基板を用いて実施されている。 そして，本願補正発明は，基板の面積を特定していない。 よって，原告の主張する本願補正発明の作用効果は，一定の面積の基 板を用いた実施例１ないし実施例６の奏する作用効果とはいえても，本 願補正発明の奏する作用効果とはいえない。 (ｳ) 本願明細書に記載された実施例６は，電界強度が３ｋＶ／ｍｍでＭｇ Ｏが未ドープであること以外は，電界強度が１ｋＶ／ｍｍでＭｇＯがド ープされた実施例４と同様の条件で実施されている。本願補正発明は， 「ＭｇＯをドープした」と特定されているから，ＭｇＯが未ドープであ る実施例６は本願補正発明に含まれないが，本願明細書の段落【００２ ５】には，「実施例６によれば，直流電圧印加領域全体に渡って均一な 周期で分極反転構造が得られた。」との記載がある。 よって，原告の主張する本願補正発明の作用のうち「直流電圧印加領 域全体に渡って均一な周期で分極反転構造が得られ」る点は，Ｍｇをド ープするか否かとは関係なく得られると解される。また，本願明細書の 段落【０００９】の「後述の実施例で示すように，Ｍｇをドープするこ とにより，必要な電界強度を下げることが出来た。」との記載は，Ｍｇ Ｏをドープすることが，必要な電界強度を下げることに寄与することを 意味する。 ウ 以上のとおり，原告の「本願補正発明は，所定の材料に電界強度が１［ｋ Ｖ／ｍｍ］以下の直流電界を１［秒間］以上印加することにより，直流電 圧印加領域全体に渡って均一な周期で分極反転構造が得られ，しかも電圧 印加時間が長くなっても，デューティ比の変化が小さい(分極反転構造の 横方向への広がりが抑制される)という作用を奏し，その結果，非常に粗 い時間管理でもってデューティ比を容易に調整できるという効果を奏す る。」との主張は，本願明細書に基づかないものであって失当である。 このように，引用発明において，周知技術に基づいて本願補正発明の相 違点を備えるとした本願補正発明に，原告の主張する効果は認められない のであるから，本願補正発明は当業者の予測し得る程度のものといわざる を得ない。 以上のとおり，本願補正発明の構成を採用することによる効果の予測性 についての審決の判断に誤りはなく，取消事由４に係る原告の主張は失当 である。 第４ 当裁判所の判断 １ 請求の原因(1)（特許庁における手続の経緯），(2)（発明の内容），(3)（審 決の内容）の各事実は，当事者間に争いがない。 ２ 容易想到性の有無 審決は，本願補正発明は引用発明及び周知技術から容易に想到できるとし， 一方，原告はこれを争うので，以下検討する。 (1) 本願補正発明の意義 ア 本願明細書（公開特許公報〔甲７〕，第１次補正書〔甲９〕，第３次補 正書〔甲１６〕）には，以下の記載がある。 (ｱ) 特許請求の範囲 【請求項１】 前記第３．１(2)のとおり。 (ｲ) 発明の詳細な説明 ・【技術分野】 「本発明は，周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法に関し，さら に詳しくは，パルス電圧を印加するための複雑な構成や強電界を印加 するための複雑な構成を必要とせずに周期的分極反転領域を持つ基 板を製造することが出来る周期的分極反転領域を持つ基板の製造方 法に関する。」（甲７，段落【０００１】） ・【発明が解決しようとする課題】 「上記従来の技術は，いずれもパルス電圧を印加する必要があり，パ ルス電圧を印加するための複雑な構成（短いパルス幅のパルス電圧を 出力できる電源など）が必要になる問題点がある。 なお，特許文献２の［００４０］〜［００４３］には，直流電圧の みを印加した例が説明されているが，約２０［ｋＶ／ｍｍ］以上の直 流電界を印加しており，強電界を印加するための複雑な構成（高電圧 を出力できる電源など）が必要になる問題点がある。 そこで，本発明の目的は，パルス電圧を印加するための複雑な構成 や強電界を印加するための複雑な構成を必要とせずに周期的分極反 転領域を持つ基板を製造することが出来る周期的分極反転領域を持 つ基板の製造方法を提供することにある。 （甲７， 【０００６】 」 段落 ） ・【課題を解決するための手段】 「第１の観点では，本発明は，単一分極されたＣ板の定比組成（スト イキオメトリ）または定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶から なる基板の＋Ｃ面および−Ｃ面に電極を設け，少なくとも一方の電極 は周期電極とし，前記電極間に電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直 流電界を１［秒間］以上印加し，前記基板に周期的分極反転領域を形 成することを特徴とする周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法 を提供する。 従来，周期電極の直下に形成される分極反転領域部が横方向に速い 速度で広がるため，パルス電圧を印加する必要があると考えられてい た（特許文献２の［００４３］参照）。 しかし，本願発明者らが鋭意研究した結果，単一分極されたＣ板の 定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成に近いタンタル酸リチ ウム単結晶からなる基板において分極反転領域部が横方向に広がる 速度は，従来考えられていたよりもはるかに遅く，直流電界のみの印 加でも周期的分極反転領域を持つ基板を好適に製造可能であること を見出し，本発明を完成した。 すなわち，上記第１の観点による周期的分極反転領域を持つ基板の 製造方法では，定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成に近い タンタル酸リチウム単結晶からなる基板を用い，電界強度１［ｋＶ／ ｍｍ］以下の直流電界を，１［秒間］以上印加して，分極反転領域を 形成する。このため，パルス電圧を印加するための複雑な構成や強電 界を印加するための複雑な構成を必要としない。そして，後述の実施 例で示すように周期的分極反転領域を形成することが出来る。」（甲 ９，段落【０００７】） ・「第２の観点では，本発明は，上記構成の分極反転領域を持つ基板の 製造方法において，前記基板のＬｉ２Ｏ／（Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモ ル分率が，０．４９５以上０．５０５未満であることを特徴とする分 極反転領域を持つ基板の製造方法を提供する。 上記第２の観点による周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法 では，後述の実施例で示すように，周期的分極反転領域を好適に形成 することが出来た。」（甲７，段落【０００８】） ・「第３の観点では，本発明は，上記構成の分極反転領域を持つ基板の 製造方法において，前記基板のＬｉ２Ｏ／（Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモ ル分率が，０．４９５以上０．５０５未満であり，且つ，前記基板に は，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｉｎのうちの少なくとも１種類がドープされ ていることを特徴とする分極反転領域を持つ基板の製造方法を提供 する。 後述の実施例で示すように，Ｍｇをドープすることにより，必要な 電界強度を下げることが出来た。 そこで，上記第３の観点による周期的分極反転領域を持つ基板の製 造方法では，Ｍｇまたはそれと同等のＺｎ，Ｓｃ，Ｉｎのうちの少な くとも１種類をドープする。これにより，必要な電界強度を下げるこ とが出来る。」（甲７，段落【０００９】） ・【発明の効果】 「本発明の周期的分極反転領域を持つ基板の製造方法によれば，パル ス電圧を印加するための複雑な構成や強電界を印加するための複雑 な構成を必要とせずに周期的分極反転領域を持つ基板を製造するこ とが出来る。」（甲７，段落【００１０】） ・「実施例２によれば，１［秒間］以上のいずれの時間でも，直流電圧 印加領域全体に渡って均一な周期で分極反転構造が得られた。また， 直流電圧印加時間が長いほど，分極反転構造のデューティ比（分極反 転構造に占める分極反転領域１０の割合）が大きくなった。・・・」 （甲７，段落【００１７】） イ 以上の記載によれば，本願補正発明は，パルス電圧や強電界を印加する ための複雑な構成を必要とせずに周期的分極反転領域を持つ基板を製造 することを目的とし，「ＭｇＯをドープした，単一分極されたＣ板の定比 組成又はこれに近いタンタル酸リチウム単結晶からなる基板の＋Ｃ面及 び−Ｃ面に電極を設け，少なくとも一方の電極は周期電極とし，前記電極 間に電界強度が１［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を１［秒間］以上印加し， 前記基板に周期的分極反転領域を形成する」との構成を採ることで，直流 電圧印加領域全体に渡って均一な周期で分極反転構造が得られるように したものと認められる。 (2) 引用発明の意義 ア 一方，引用例（甲１）には，以下の記載がある。 (ｱ) 特許請求の範囲 ・【請求項１】「タンタル酸リチウム単結晶の分極構造を周期的に反転さ せ，可視から近赤外域の波長を持った入射レーザの波長を短波長化ある いは長波長化させる光機能素子において，Ｌｉ過剰のストイキオメトリ 組成に近いＬｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が０．５００〜 ０．５０５であるタンタル酸リチウム単結晶を基板に用いたことを特徴 とする光機能素子。」 ・【請求項２】ないし【請求項６】 省略 (ｲ) 発明の詳細な説明 ・【発明が解決しようとする課題】 「また，一致溶融組成ＬＴ結晶は，ＬＮ単結晶よりも耐光損傷性は大き いとされているが，使用する光の波長や強度によっては，それでも，ま だ，耐光損傷性が十分ではない場合が多い。・・・」（段落【００２８】） ・「このために，これまでに若干のＴａ過剰成分側（Ｌｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５ ＋Ｌｉ２Ｏのモル分率が０．４９５〜０．５０)にある結晶では，安定し て光損傷に強い結晶を提供するためには，Ｍｇなどの添加物を加えるこ とが必要であった。しかし，Ｍｇを含んだＬＴ単結晶の生産において， Ｍｇ元素を結晶内に均一に分布させ，光学的品質を劣化させずに結晶を 育成するためには，無添加結晶の場合に較べて結晶育成速度を遅くしな ければならず，生産性が悪くなるという問題があった。また，ＭｇＯを 添加した定比組成に近いＬＴ単結晶は，耐光損傷性に優れるものの，分 極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存するため，無添加の定比組成に近い ＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持つ光機能素子を再現性よく作成す るのが難しくなるという新たな問題もでてきた。」（段落【００２９】） ・【課題を解決するための手段】 「本発明者は，前記従来の問題を解決するため，ストイキメトリ組成（判 決注：「ストイキオメトリ組成」の誤記と解される。以下同じ。）のＬ Ｔ結晶の特性究明を鋭意継続していたところ，Ｌｉ過剰のストイキメト リ組成のＬＴ結晶が分極反転構造の制御性を向上し，さらに耐光損傷性 を向上するという光機能素子として優れた特性を有することを見出し た。」（段落【００３３】） ・「すなわち，本発明の光機能素子は，タンタル酸リチウム単結晶の分極 構造を周期的に反転させ，可視から近赤外域の波長を持った入射レーザ の波長を短波長化あるいは長波長化させる光機能素子において，Ｌｉ過 剰のストイキオメトリ組成に近いＬｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモ ル分率が０．５００〜０．５０５であり，タンタル酸リチウム単結晶を 基板に用いたことを特徴とする。」（段落【００３４】） ・【発明の実施の形態】 「なお，これまでに若干のＴａ過剰成分側（Ｌｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ ２ Ｏのモル分率が０．４９５〜０．５０)にある結晶では，安定して光損 傷に強い結晶を提供するためにはＭｇなどの添加物を加えることが必 要であった。これに対して，Ｌｉ成分過剰なタンタル酸リチウム単結晶 では，Ｍｇなどの添加物を加えなくても耐光損傷閾値が高いということ は，実用上大きな利点である。」（段落【００７０】） ・「この理由は，Ｍｇを含んだＬＴ単結晶の生産において，Ｍｇ元素を結 晶内に均一に分布させ光学的品質を劣化させずに結晶を育成するため には，無添加結晶の場合に較べて結晶育成速度を遅くしなければなら ず，生産性が悪くなるという問題があった。さらに，Ｍｇを含んだ結晶 では分極反転特性が無添加結晶とは異なるため，制御性が悪くなるとい う問題があったが，本発明によりこれらの問題を解決することが可能と なった。」（段落【００７１】） ・【発明の効果】 「以上詳しく述べたように，本発明によれば，結晶基板にＬｉ過剰のス トイキオメトリ組成に近いＬｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率 が０．５００〜０．５０５であるタンタル酸リチウム単結晶を用いるこ とで，分極反転制御性に優れた素子が実現できるため，光機能素子特性 の大幅な向上が期待できる。」（段落【００９９】） ・「さらに，結晶基板にＬｉ過剰のストイキオメトリ組成に近いＬｉ２Ｏ ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が０．５００〜０．５０５であるタ ンタル酸リチウム単結晶を用いることで，耐光損傷性に優れ，光強度１ ０３ｋＷ／?以上の波長４０７ｎｍの連続発振レーザ照射に対して安定 に動作させることができるため，優れた性能の光機能素子を提供するこ とができる。・・・」（段落【０１００】） イ 以上の記載によれば，従来技術では，安定して光損傷に強い結晶を提供 するためには，Ｍｇなどの添加物を加えることが必要であったが，Ｍｇを 含むＬＴ単結晶は生産性が悪いことに加え，ＭｇＯを添加した定比組成に 近いＬＴ単結晶は耐光損傷性に優れるものの，分極反転構造を持つ光機能 素子を再現性よく作成するのが難しいという問題があったため，引用発明 では，これらの問題を解決するため，結晶基板にＬｉ過剰のストイキオメ トリ組成に近いＬｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分率が０．５００ 〜０．５０５であるタンタル酸リチウム単結晶を用いることで，Ｍｇなど の添加物を加えなくても，耐光損傷閾値が高く，分極反転制御性に優れた 素子を実現し，光機能素子特性の大幅な向上を可能としたものと認められ る。 (3) 周知例とされた文献の技術内容 ア 甲３（特開平６−１６５００号公報）には以下の記載がある。 ・【請求項１】「Ｍｇを重量比で０．１ｗｔ％以上含有し，Ｆｅを重量比 で１０ｐｐｍ以下にしたことを特徴とするタンタル酸リチウム単結 晶。」 ・【請求項２】「請求項１に規定されるタンタル酸リチウム単結晶に，結 晶の分極方向を周期的に反転させた構造を作成したことを特徴とする タンタル酸リチウム単結晶基板。」 ・【請求項４】「ＭｇＯを１モル％以上添加することにより２８０〜４０ ０ｎｍ帯における光透過率を向上させたことを特徴とするタンタル酸 リチウム単結晶。」（特許請求の範囲） イ 甲４（特開２００１−２８７９９９号公報）には以下の記載がある。 ・【課題を解決するための手段】 「本発明者らは，前記目的を達成すべく鋭意研究の結果，可視光域で実 質的に吸収を持たないＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｉｎの何れかの元素をトータ ル量で０．１〜３ｍｏｌ％の範囲で融液に添加することにより，非線形 光学定数ｄ３３および電気光学特性ｒ３３を低下させないで小さな分極反 転電圧が得られ，Ｌｉの欠陥部分を前記第三の元素により埋めることが でき，定比組成に近いもののある程度の不定比欠陥を有するタンタル酸 リチウム単結晶であっても，Ｌｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）のモル分 率が０．５００の完全ＬＴ単結晶が持つ大きさと同じ非線形光学定数や 周期的分極構造の作成に必要な印加電圧，および電気光学定数を実現す ることを発見，さらには，本手段がＬｉ２Ｏ／(Ｔａ２Ｏ５＋Ｌｉ２Ｏ）の モル分率が０．４９０以上０．５００未満という広い範囲のタンタル酸 リチウム単結晶に対して有効であることを知見，ここに本発明をなした ものである。」（段落【００２１】） ウ 甲２（特開２００３−２９５２４２号公報）には以下の記載がある。 ・「次に，直流電源４のみを使用して，直流電圧のみを印加して分極反転 領域の形成を試みた例を説明する。この場合には，図１(a)の構成で， 直流電源４によって櫛形電極２を介してＬｉＴａＯ３基板１に直流電 圧を印加する。パルス電源５は使用せずに，平面電極３は接地する。」 （段落【０１４０】） ・「厚さが０．２ｍｍの基板１に直流電圧を印加すると，基板１には直流 電界が印加される。約２０ｋＶ／ｍｍ以上の電界強度に相当する電圧が 印加された時点で，反転電流が流れて分極が反転した。さらに，基板１ の厚さに対する分極反転特性を測定したところ，基板１の厚さが０．５ ｍｍ以下では分極反転領域の形成が可能であったが，厚さが０．５ｍｍ 以上になると基板１に割れが生じて，分極反転領域の形成が困難になっ た。これは，基板１の厚さが増加するとともに分極反転領域の形成に必 要な電界強度を得るために印加すべき電圧レベルが増加するために，厚 い基板に分極反転領域を形成しようとすると基板１の結晶の破壊電圧 を越えた電圧が印加されることにより，基板１に割れが生じたと考えら れる。」（段落【０１４１】） エ 甲５（特開平９−１２７５６４号公報）には以下の記載がある。 ・【請求項１】「光を伝搬させる強誘電体から成る基板に，自発分極を交 互に反転させた周期構造を形成し，該周期構造の繰り返される方向と光 の伝搬方向とが所定角度θ（０°＜θ＜９０°）を成すとともに，前記 周期構造の反転周期Λが下記式（Ａ）を満足することを特徴とする光デ バイス。 Λ＝２π×ＣＯＳθ／（β（２ω）−２β（ω）） ・・・ （Ａ） （ただし，ω，２ω：光の周波数，β：波数（周波数ωもしくは２ωの 関数））」 ・【請求項２】「請求項１の光デバイスであって，前記基板がニオブ酸リ チウム，タンタル酸リチウム，もしくはチタン酸リン酸カリウムの単結 晶であることを特徴とする光デバイス。」（特許請求の範囲） ・「さらに，この疑似位相整合型のＳＨＧ素子の要素技術である周期分極 反転構造の作製方法として，Ｔｉの拡散法，Ｌｉ２Ｏの外拡散法，Ｓｉ Ｏ２の装荷熱処理法等が提案されている。特に，強誘電体基板の両主面 に所望の電極を形成し，直流電圧またはパルス状の電圧を印加すること により，局所的に基板の分極方向を反転させる直接電界印加法は，室温 で微細かつ深い分極反転構造が作製できることから注目されている・・ ・」（段落【０００３】） オ 甲６（特開平４−３３５６２０号公報）には以下の記載がある。 ・【請求項１】「単分域化された強誘電体材料に，その分極方向に第１及 び第２の電極を配置し，少なくとも第１の電極は最終的に得る分極反転 構造のパターンに対応するパターンに形成され，１５０℃未満の温度下 において，上記第１及び第２の電極間に，上記強誘電体材料の自発分極 の負側を負電位，正側を正電位となるように１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ ／ｍｍの電圧を印加して，分極反転構造を形成するようにしたことを特 徴とする分極反転制御方法。」 ・「即ち，ＬＮ単結晶に対して分極反転領域を形成し得る印加電圧はほぼ １０ｋＶ／ｍｍ程度以上であることがわかる。しかしながら，ＬＮ単結 晶以外の例えばＫＴＰ，ＬｉＴａＯ３等の電気伝導度が比較的大なる強 誘電体材料を用いる場合は分極反転が比較的生じ易いため，１ｋＶ／ｍ ｍ以上程度の電圧印加によって良好な分極反転構造を得ることができ る。」（段落【００５０】） ・「尚，１ｋＶ／ｍｍ未満の電圧印加によって分極反転領域が形成される 場合はその後の安定度が低く，温度等の外部環境の変化に伴ってこの分 極反転が元に戻ってしまう恐れがある。例えば分極反転構造によって位 相整合をなし，かつ基板に電圧を印加して電気光学効果によって導波路 の屈折率を部分的に変化させる電気光学装置等に本発明を適用する場 合は，動作時の電圧印加によって分極反転領域が消滅する恐れがある。 従って安定な分極反転構造を形成するために，印加電圧は１ｋＶ／ｍｍ 以上とする。」（段落【００５１】） (4) 取消事由の検討 ア 取消事由１（相違点１についての判断の誤り）について (ｱ) 前記(2)によれば，引用発明は，タンタル酸リチウム単結晶（以下「Ｌ Ｔ単結晶」という。）のうち，Ｔａ過剰で定比組成に近いモル分率０． ４９５〜０．５０のもの（以下「Ｔａ過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶」 という。）を基板に用いた周期的分極反転構造を持つ光機能素子におい て，Ｍｇ又はＭｇＯを添加すると，以下の@，Aの問題点があることを 開示している。 @ 安定して光損傷に強い結晶を提供するためにＭｇを添加すると，Ｍ ｇ元素を結晶内に均一に分布させ光学的品質を劣化させずに結晶を 育成するために，無添加結晶の場合に比べて結晶育成速度を遅くしな ければならず，生産性が悪くなること A ＭｇＯを添加した定比組成に近いＬＴ単結晶は，耐光損傷性に優れ るものの，分極反転の制御性がＭｇＯ濃度に依存するため，無添加の 定比組成に近いＬＴ単結晶よりも分極反転構造を持つ光機能素子を 再現性よく作成するのが難しくなること そして，引用発明は，上記問題点の解決を課題とし，Ｌｉ過剰で定比 組成に近いモル分率０．５００〜０．５０５のＬＴ単結晶（以下「Ｌｉ 過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶」という。）で周期的分極反転構造を 持つ基板を形成することにより，上記の課題を解決し，「Ｍｇなどの添 加物を加えなくても耐光損傷閾値が高い」ことや，「分極反転制御性に 優れた素子が実現できる」ことという作用効果を奏するものである。 このように，引用発明は，定比組成に近いＬＴ単結晶を基板に用いた （周期的分極反転構造を持つ）光機能素子において，定比組成に近いＬ Ｔ単結晶へのＭｇ又はＭｇＯの添加により生じる上記問題点@及びA を解決すべき課題とし，Ｌｉ過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶を用いる ことで，Ｍｇ又はＭｇＯを添加せずとも耐光損傷閾値が高く，分極反転 制御性に優れた素子を実現したものである。 (ｲ) ところで，前記(3)ア，イによれば，ＬＴ単結晶からなる周期的分極 反転構造を持つ基板を製造するに際し，ＭｇＯを添加して光透過率を向 上させることや，Ｍｇを添加して，非線形光学定数及び電気光学特性を 低下させずに小さな分極反転電圧を得ることは，甲３及び甲４にみられ るように周知技術といえる。 そして，審決は，引用発明において，本願補正発明の相違点１に係る 構成を備えることは，上記の周知技術に基づいて，当業者が容易に想到 し得たものと判断した。 しかし，前記(ｱ)のとおり，引用発明は，Ｔａ過剰で定比組成に近い ＬＴ単結晶へのＭｇ又はＭｇＯの添加により生じる前記問題点@及び Aを解決すべき課題とし，Ｌｉ過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶を用い ることで，Ｍｇ又はＭｇＯを添加せずに済むようにし，上記問題点を解 決したものである。 このように，引用発明が，Ｍｇ又はＭｇＯの添加によって発生する問 題点の解決を課題としていることからすれば，ＬＴ単結晶がＴａ過剰の 組成かＬｉ過剰の組成かにかかわらず，定比組成に近いＬＴ単結晶にＭ ｇ又はＭｇＯを添加することは，上記課題解決の阻害要因になると解す るのが自然であって，被告が主張するように，Ｔａ過剰の組成かＬｉ過 剰の組成かによって区別して阻害要因を検討するのは不自然である。 また，甲３及び甲４には，定比組成に近いＬＴ単結晶からなる周期的 分極反転構造を持つ基板を製造するに際し，Ｍｇ又はＭｇＯを添加する ことが記載されているにとどまり，それにより前記問題点@，Aが生じ 得ること及びその解決方法については，記載も示唆もされていない。 そうすると，引用発明において，上記の周知技術を適用し，Ｔａ過剰 で定比組成に近いＬＴ単結晶又はＬｉ過剰で定比組成に近いＬＴ単結 晶にＭｇ又はＭｇＯを添加することには，阻害要因があるといわざるを 得ず，引用発明において，相違点１に係る構成とすることが，上記の周 知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであると認めること はできない。 (ｳ) なお，被告は，審決の「引用例全体の記載をみても，引用例にはＭｇ を添加してはならない旨の記載はない。」との記載について，「引用例 にはＭｇを添加してはならない旨の記載の事実がないことを指摘する とともに，引用発明として認定したタンタル酸リチウム単結晶全体につ いてＭｇ添加が除外されているわけではないことを示した」旨主張す る。 しかし，前記(2)アの記載からすれば，引用例の記載に接した当業者 は，Ｔａ過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶へのＭｇ又はＭｇＯの添加に より生じる問題点@及びAを解決するために，Ｌｉ過剰で定比組成に近 いＬＴ単結晶を用いることで，Ｍｇ又はＭｇＯを添加せずに済むことに 想到するものと解するのが自然かつ合理的であるから，引用例の記載か ら「引用発明として認定したタンタル酸リチウム単結晶全体についてＭ ｇ添加が除外されているわけではない」とする被告の主張は合理的でな く，採用することができない。 (ｴ) 以上のとおり，審決における相違点１の判断には誤りがあり，原告主 張の取消事由１は理由がある。 なお，念のため，取消事由２以下についても併せて検討する。 イ 取消事由２ないし４（相違点２についての判断の誤り）について 前記(3)ウないしオのとおり，甲２及び甲５には，ＬＴ単結晶のような 強誘電体材料からなる周期的分極反転領域（構造）を持つ基板を製造する に際し，直流電界を印加する方法が開示され，また，甲６には，強誘電体 材料に１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電圧を印加して，分極反転構造 を形成するようにしたことが開示されている。 そして，審決は，引用発明において，本願補正発明の相違点２に係る構 成を備えることは，周知技術（甲２，甲５及び甲６）に基づいて，当業者 が容易に想到し得たものと判断した。 しかし，前記アのとおり，引用発明において，Ｔａ過剰で定比組成に近 いＬＴ単結晶又はＬｉ過剰で定比組成に近いＬＴ単結晶にＭｇ又はＭｇ Ｏを添加することは，周知技術（甲３，甲４）に基づいて当業者が容易に 想到し得たものではない。 また，甲２，甲５及び甲６には，「ＭｇＯをドープした」定比組成又は 定比組成に近いＬＴ単結晶からなる基板に，直流電界を印加することによ り，周期的分極反転領域を形成することは記載も示唆もされておらず，上 記直流電界の強度や印加時間を，本願補正発明のように設定することにつ いても記載も示唆もない。 そして，原告が出願当時の技術水準を示すための文献として提出した証 拠のうち，出願時公知であった甲２０（第５０回応用物理学関係連合講演 会 講演予稿集，２００３年［平成１５年］３月）及び甲２１（第６４回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集，２００３年［平成１５年］９月） を考慮してもなお，上記直流電界の強度や印加時間の設定が単なる設計事 項にすぎないとはいえない。 さらに，甲２，甲５及び甲６には，本願補正発明のように，直流電圧印 加領域全体にわたって均一な周期で分極反転構造が得られ，パルス電圧を 印加するための複雑な構成や強電界を印加するための複雑な構成を必要 とせず周期的分極反転領域を持つ基板を製造することができるという効 果を奏することについて，記載も示唆もされていない。 なお，被告は，「直流電圧印加領域全体にわたって均一な周期で分極反 転構造が得られる」との効果は本願補正発明の効果ではないとも主張する が，本願補正発明が同効果を奏することは，本願明細書の記載からみて明 らかである。 そうすると，引用発明において，相違点２に係る構成とし，それにより 本願補正発明と同様の作用効果を得ることは，周知技術（甲２，甲５，甲 ６）に基づいて当業者が容易に想到し得たものということはできない。 以上のとおり，審決における相違点２の判断にも誤りがあり，原告主張 の取消事由２ないし４も理由がある。 ３ 結論 以上のとおり，原告主張の取消事由１ないし４はいずれも理由があり，その 誤りは結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取消しを免れない。 よって，原告の請求を認容して，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所 第１部 裁判長裁判官 中 野 哲 弘 裁判官 東 海 林 保 裁判官 矢 口 俊 哉 |