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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成23行ケ10021審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成21行ケ10107審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成21行ケ10420審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成22行ケ10351審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成23行ケ10058審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 関連ワード | 創作性(創作) / 進歩性(29条2項) / 容易に発明 / 寄せ集め / 技術常識 / 先行技術 / 優先権 / 優先日 / 置き換え / 容易に想到(容易想到性) / 加工 / 拒絶査定 / 請求の範囲 / 変更 / |
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| 元本PDF |
裁判所収録の全文PDFを見る
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| 事件 |
平成
22年
(行ケ)
10302号
審決取消請求事件
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|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2011/09/13 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平成２３年９月１３日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官 平成２２年（行ケ）第１０３０２号 審決取消請求事件 口頭弁論終結日 平成２３年８月３０日 判 決 原 告 三星モバイルディスプレイ株式會社 訴訟代理人弁護士 松 本 直 樹 弁理士 八 田 幹 雄 藤 田 健 都 祭 正 則 長 谷 川 俊 弘 貴 志 浩 充 山 田 牧 人 荒 木 一 秀 被 告 特 許 庁 長 官 指 定 代 理 人 後 藤 亮 治 小 松 徹 三 樋 口 信 宏 田 村 正 明 主 文 原告の請求を棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。 事 実 及 び 理 由 第１ 原告の求めた判決 特許庁が不服２００８−６０５９号事件について平成２２年５月１２日にした審 決を取り消す。 第２ 事案の概要 本件は，特許出願拒絶査定に対する不服審判請求を不成立とする審決の取消訴訟 である。争点は，本願発明の進歩性の有無である。 １ 特許庁における手続の経緯 原告は，２００２年（平成１４年）１０月７日及び２００３年（平成１５年）４ 月１７日の優先権（大韓民国）を主張して，平成１５年１０月７日，名称を「フラ ットパネルディスプレイ」とする発明について本件特許出願（特願２００３−３４ ７８８６号，公開公報は特開２００４-１３３４５５号〔甲１３〕）をし，平成１９ 年１１月１５日付けで特許請求の範囲の変更等を内容とする補正（甲１５）をした が，拒絶査定を受けたので，これに対する不服の審判請求をした。 特許庁は，上記請求を不服２００８−６０５９号事件として審理し，その中で原 告は平成２０年３月１０日付け及び平成２２年３月２日付けで特許請求の範囲の変 更等を内容とする補正（甲１０，１６）をしたが，特許庁は，平成２２年５月１２ 日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は平成２２年５ 月２５日原告に送達された。 ２ 本願発明の要旨(請求項１の記載) 「発光素子と， 前記発光素子を駆動するためのソース／ドレイン領域を具備する第１及び第２の トランジスタと， を含み， 前記第１及び第２のトランジスタは導通したときのそれぞれのソース領域からド レイン領域にかけての抵抗値が互いに相違し， 前記第１のトランジスタは，前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタで あり，前記第２のトランジスタは，前記駆動トランジスタのオン／オフをスイッチ するためのスイッチングトランジスタであり，前記駆動トランジスタは，ソース領 域からドレイン領域にかけての半導体層が，前記スイッチングトランジスタのソー ス領域からドレイン領域にかけての半導体層よりも大きい抵抗値を有し， 前記駆動トランジスタは，前記半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層に おける前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲ ート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し， 前記オフセット領域が，前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有す る低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または 不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である， ことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。」 ３ 審決の理由の要点 (1) 刊行物１（特開２００１−３４５１７９号，甲１）には，実質的に次の発 明(引用発明)が記載されていることが認められる。 「ＥＬ素子６０３と， 前記ＥＬ素子を駆動するためのソース領域１３，ドレイン領域１４を具備するス イッチング用ＴＦＴ６０１，および，ソース領域３１，ドレイン領域３２を具備す る電流制御用ＴＦＴ６０２と， を含み， 前記電流制御用ＴＦＴ６０２は前記ＥＬ素子６０３を駆動するための駆動トラン ジスタであり， 前記スイッチング用ＴＦＴ６０１は，前記電流制御用ＴＦＴ６０２のオン／オフ をスイッチするためのスイッチング用のＴＦＴであり， 前記電流制御用ＴＦＴ６０２は，過剰な電流が流れて前記ＥＬ素子６０３が劣化 しないよう，そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計され，電流値が小さく設定されて いる， 有機ＥＬディスプレイ。」 (2) 本願発明と引用発明との一致点と相違点は次のとおりである。 【一致点】 「発光素子と， 前記発光素子を駆動するためのソース／ドレイン領域を具備する第１及び第２の トランジスタと， を含み， 前記第１のトランジスタは，前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタで あり，前記第２のトランジスタは，前記駆動トランジスタのオン／オフをスイッチ するためのスイッチングトランジスタである， フラットパネルディスプレイ。」 【相違点１】 本願発明は，前記第１及び第２のトランジスタは導通したときのそれぞれのソー 「 ス領域からドレイン領域にかけての抵抗値が互いに相違し」ているのに対し，引用 発明は明確でない点。 【相違点２】 本願発明では，第１のトランジスタである「前記駆動トランジスタは，ソース領 域からドレイン領域にかけての半導体層が」 第２のトランジスタである ， 「前記スイ ッチングトランジスタのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層よりも大 きい抵抗値を有し」ているのに対し，引用発明では，明確でない点。 【相違点３】 本願発明は「前記駆動トランジスタは，前記半導体層に対するゲート電極と，前 記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領 域と，前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを 具備し， 前記オフセット領域が，前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有す る低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または 不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」のに対し，引用 発明の電流制御用ＴＦＴ６０２は，過剰な電流が流れてＥＬ素子６０３が劣化しな いよう，そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計されて導通したときに流れる電流値が 小さく設定されている点。 (3) 以下の理由により，本願発明は当業者が容易に発明をすることができたも のである。 @ 引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２が導通した時の電流値を小さ くする技術手段として，引用発明におけるチャネル長（Ｌ）を長めに設計する技術 手段に代えて， 「半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート 電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ド レイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が， 前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープさ れた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗 領域である」周知の技術手段（例えば刊行物２〔特開２００２−５０７６１号公報， 甲２〕，刊行物３〔特開２０００−２９４７８７号公報，甲３〕）を採用し，相違点 ３に係る構成と為すことに格別の困難性は認められない。 A 引用発明の電流制御用ＴＦＴ６０２は，そのチャネル長（Ｌ）が長めに 設計されているから，導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての半導 体層の抵抗値は，チャネル長（Ｌ）が長めに設計されていないものに比して相対的 に大きくなっている。 他方，引用発明のスイッチング用ＴＦＴ６０１は，導通したときにデータライン １２０に印加されるデータ信号の電位に応じてキャパシタ１５３を充電し，遮断し たときにキャパシタ１５３の充電電位を保つ機能を有するものであるから，ソース 領域からドレイン領域にかけての抵抗値は，導通したときはスキャン信号が印加さ れている間に充電が完了するように小さい抵抗値が，遮断したときは次のスキャン 信号が印加されるまで充電電位を保持できるよう大きい抵抗値が望ましいことは当 業者に明らかである。 そして，トランジスタの特性値は，そのトランジスタが使用される場所や求めら れる機能に応じて当業者が適宜設定する設計事項であり，このことは，有機ＥＬデ ィスプレイのトランジスタについても，変わるものではない。 さらに，電流制御用ＴＦＴ６０２が導通したときのソース領域からドレイン領域 にかけての半導体層の抵抗値と，スイッチング用ＴＦＴ６０１が導通したときのソ ース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値とは，直接的に関連するも のではないから，引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２は，導通したときのソ ース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値を，スイッチング用ＴＦＴ ６０１の抵抗値よりも大きくすることは当業者が適宜為し得る事項であり，相違点 １，相違点２に係る構成と為すことに困難性は無い。 B 本願発明が奏する作用効果は，引用発明と周知の技術手段とに基づいて， 当業者が予測しうる程度のものである。 第３ 原告主張の審決取消事由 １ 取消事由１（刊行物２及び３についての認定の誤り） (1) 目的が違う 審決は，相違点３について， 「周知の技術手段」による相違だとして「格別の困難 性は認められない。」とし，その根拠として刊行物２及び刊行物３をあげる。 しかし，刊行物２は， 「オフリーク電流を小さくする」ことを目指している。つま り，トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のゲート電圧が所定値以下であるために，チャ ネルが接続しておらずドレインとソースとの間に電流が流れない状態（すなわち「オ フ」状態）になっている際にも，多少の漏れ電流（リーク電流）があり得るが，こ れを減らすことを主旨としている（そのためにオフセット領域を設ける） これに対 。 して，導通があるべき状態（ゲート電圧が所定値以上の状態）においての電流（オ ン電流）は，基本的に沢山流れるのが望ましい。ところが，オフセット領域を一定 以上の長さで設けると，このオン電流が減少してしまう。これは望ましくない状態 である。 そこで刊行物２は， 「・・・ソースもしくはドレイン部分と，チャネル部分の間隔 は２μｍ以下が適当であり，これ以上の長さではオン電流が小さくなってしまう。」 としている。 「２μｍ以下が適当」でそれなら「オン電流が小さく」はならないとし ているのであり，この勧めに従う限り，発光素子に流れる電流を減らすことにはな らない。つまり本願発明や刊行物１の目的を実現しない。 刊行物３もほぼ同様である。刊行物３は， 「従来のＬＤＤ構造はＴＦＴの高耐圧化 およびオフ電流低減に顕著な効果がある」とした上で，その問題点として， 「ＴＦＴ の駆動電流（以下，オン電流と呼ぶ）が低下してしまうという問題点を有している。」 としている。オン電流を減らす手段としてこうした構造を説明しているのではない。 刊行物３自体は，ゲート電極下に同様の構造を設けることで，オン電流を減らさず に済むというのを発明内容とし，オン電流を減らす手段としてのＬＤＤ構造ないし オフセット領域を説くのではなく，単に電流減少の可能性を指摘して，避けること を提案しているのであり，これを根拠にして「周知」というのは間違っている。 以上のとおり，刊行物２及び３の記載は，いずれもオフセット領域によってオン 電流を減らすことを積極的に使うという内容ではなく，むしろそうなるのを避ける ことを説いている。ここから，本願発明のように（特に，刊行物１との重要な相違 である相違点３のように） オン電流を減らすのに使うという考えは出てこない。 ， 審 決は，これが刊行物２及び３により認められる「周知の技術手段」だと認定するが， 誤りである。 (2) トランジスタの使い方の違い 刊行物２のトランジスタは，本願発明や刊行物１の場合とは使い方が違う。 刊行物２は液晶を駆動する場合であり，基本的には継続的に電流を流さない。 これに対し，本願発明の駆動トランジスタは，発光素子の駆動に使用されるもの であり，定電流の供給のために飽和領域で用いられる。 刊行物３は，ＴＦＴ単体を説明しており，どのような使い方をするのか具体的な 言及がなく，刊行物３に記載された技術を刊行物１の駆動トランジスタに組み合わ せるということは直ちに可能なことではない。 ２ 取消事由２（相違点３の判断の誤り） (1) 組み合わせる動機付けがない 審決は，刊行物２及び３のＬＤＤ領域関係記載を，オン電流を制限するためにソ ースおよびドレイン間の抵抗を高める「周知」の構成であるかのように取り出した 上，刊行物１のオン電流を制限するための構成である「より長いチャネル長」と置 き換えている。しかし，刊行物２及び３に記載された発明は基本的にはできる限り オン電流を大きくしようとしているのであり，たとえ電流が減る可能性に言及して いるにしても，それを刊行物１とこのように組み合わせる動機がない。 前記のとおり，刊行物２及び３に記載されたオフセット領域又はＬＤＤ領域は， オン電流を制限することを目的としたものではなく，むしろ，オン電流がより大き くなるように工夫されている中で，せいぜい，オン電流が減少してしまう構成のあ りうることが，避けるべき状況として言及されているにすぎない。こうした避ける べきとされる状況を取り上げて，これを刊行物１と組み合わせるというのが審決の ロジックであるが，間違いである。 そして，刊行物１記載の発明と刊行物２又は３記載の発明とを組み合わせるとい うのであれば，それなりの動機付けが必要であるが，審決には何ら動機付けが示さ れていない。 また，刊行物１は開口率をできるだけ大きくするという課題には気付いていない ところ，このような課題に気付いていない状態で，ＬＤＤ領域を形成するという刊 行物２及び３に記載された技術を採ろうとすると工数が大きくなることを敬遠して 採用を躊躇するはずである。すなわち，ゲートを長くすればトランジスタが大きく なるので，開口率が減るというデメリットがあり，ＬＤＤ領域を形成すれば濃度が 異なる領域を形成するためにマスクが必要となって，工数が増えるというデメリッ トがある。これらは当業者の技術常識である。 (2) 組合せになっていない 先行技術の組合せで，それぞれのあるべき使い方に従ってあるべき効果を発揮さ せるだけのものは，単なる寄せ集めであり，進歩性ある発明とはいえないものの典 型である。本願発明はこれとはまったく違う。 刊行物２及び３の記載は電流制限を利用する内容ではなく，避けるべき現象（の 可能性）への言及にすぎない。これを利用すること自体，これらの先行技術には見 られない本願発明の内容である。 上記(1)では動機付けがないと主張したが，そもそも本願発明と刊行物２及び３の 記載内容を組み合わせて本願発明になるというものですらない。 (3) 本願発明の引用発明に対する利点（異質の効果）の看過 刊行物１にあるように，チャンネルを長くすることでも電流を制限できるが，オ ン電流を制限するについて，これは効率的ではない。ＭＯＳ型ＦＥＴの原理から明 らかなように，ゲート電極によって誘起されるチャンネルには，オンのときにはキ ャリア（ｎ型ＦＥＴなら電子，ｐ型ＦＥＴならホール）が存在していて，これによ って十分に導通があるわけだから，それを長くするだけで電流を制限しようとする なら，かなり長いチャンネルとなることが考えられる。 これに対してオフセット領域はゲート電極から外れた箇所であり，そこにはほと んどキャリアが無いのであるから，僅かな長さでも抵抗は大きく大きな電圧降下を 生じる。これにより，僅かな面積で十分な電流制限効果を得ることができ，もって， 高い開口率が得られる。 本願発明は，電流を制限するのにオフセット領域を使うので所用面積が小さく， これにより開口率を高めることができる。これは，刊行物１には示唆のない利点で ある。すなわち，本願発明は， 「各画素当たりの駆動トランジスタが占める面積を増 大することなく，有機電界発光素子を流れる電流量のみを調節することにより，開 口率の減少という問題を解決し，信頼性を向上させることができるという効果を奏 する。（本願明細書の段落【００６６】。 」 ）」ものである。 審決は，「本願発明が奏する作用効果は，引用発明と周知の技術手段とに基いて， 当業者が予測しうる程度のものである。 としたが， 」 上記の異質な効果を看過してい る。 (4) 後知恵 オフセット領域の働きは，そこでの電圧降下により実効的なドレイン電圧が小さ くなるということである。オフセット領域はキャリアが僅かしか存在しないので高 抵抗であり，電圧降下があるのは間違いない。ところがＭＯＳＦＥＴでは，一定の 以上の電圧では，ドレイン電圧が変動してもドレイン電流はほとんど変動しない。 またトランジスタの使い方としてこうした領域（飽和領域。ピンチオフ領域などと もいう。）の電圧で使用するのが当然のこととなっている。したがって，オフセット 領域を設けても，それで電流が十分に小さくなるのは決して当然ではない。 しかし，それでも条件によってはドレイン電圧の変化によりそれなりの電流の変 動が生ずるもので，これにより，オフセット領域の効果として結局はドレイン電流 が制限される。それも，チャンネルを長くするのに比べて，効率的にオン電流を制 限することができる。 この結論は，比較として提示されれば，電子デバイスの当業者が当然に納得する べきものであるが，電流を制限しようという必要のために，オフセット領域を設け るのが当然だというような関係にはない。結論から見て当たり前だというのは，後 知恵にすぎない。オフセット領域を使うのは，そのような当たり前ではない一つの 工夫である。それによって現実的なものを作り出している本願発明が，特許に値す るものであることはもちろんである。 第４ 被告の反論 １ 半導体の技術分野における技術常識につき (1) 半導体の抵抗につき 長さＬ，幅Ｗ，厚さＴ，不純物がドーピング濃度ＮＤで均一にドープされたｎ形 拡散層の半導体試料を想定した場合，その抵抗Ｒは， Ｒ＝（１／ｑμｎＮＤ）Ｌ／ＷＴ である（ｑは電子電荷，μｎは電子の移動度。この式は，半導体の教科書に説明さ れている基本的な式である。乙１）また， 。 ｐ形拡散層の半導体試料の場合も同様に， Ｒ＝（１／ｑμｐＮＡ）Ｌ／ＷＴ である。（μｐは正孔の移動度，ＮＡはドーピング濃度） すなわち，半導体試料の抵抗は，長さＬ，幅Ｗ，ドーピング濃度（ＮＤもしくは ＮＡ）の関数であって， ・長さＬが長いほど，抵抗が大きくなる ・幅Ｗが狭いほど，抵抗が大きくなる ・ドーピング濃度（ＮＤもしくはＮＡ）が低いほど，抵抗が大きくなる 傾向があり，これは技術常識である。 そして，半導体試料の両端に一定の電圧を印加した場合，半導体試料に流れる電 流は抵抗に反比例するから， ・長さＬが長いほど，流れる電流が小さくなる ・幅Ｗが狭いほど，流れる電流が小さくなる ・ドーピング濃度（ＮＤもしくはＮＡ）が低いほど，流れる電流が小さくなる ことも，技術常識である。 半導体に不純物をドーピングした拡散層の不純物濃度は，その深さ方向に必ずし も均一にはならないが，かかる拡散層は，薄い試料を多数重ね合わせてできあがっ ていると考えることができる。一般に，ＴＦＴは，半導体に不純物をドーピングし て，ソース，ドレイン等の領域を作成するから，前記技術常識はＴＦＴを構成する 半導体にも当てはまるものである。 (2) ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴの電気的特性につき チャネル領域と高濃度ドレイン領域の間に，高濃度ドレイン領域と同一の導電形 を有する不純物が低濃度にドープされた領域（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒ ａｉｎ領域，ＬＤＤ領域ともいう。）が設けられたＴＦＴは，刊行物１，刊行物２， 刊行物３にも記載されているように，極めて周知のＴＦＴである。 ア ＬＤＤ領域が設けられていないＴＦＴの電気的特性 ＴＦＴは，ゲート電極に印加される電位により発生される縦方向の電界，ソース 電極とドレイン電極に印加される電位により発生される横方向の電界の影響を受け て，ソース領域，チャネル領域，ドレイン領域内のキャリアの分布状態が変化し， そのキャリアの分布状態に応じて，ソース−ドレイン電極間の電圧−電流特性，相 互コンダクタンスなどの電気的特性が変化するものである。 ここで，多数キャリアの密度は不純物の濃度にほぼ等しい（乙１の７１頁１０行 〜１１行参照）から，ＴＦＴの各電極に電位が印加されない状態におけるキャリア の分布は，ソース領域，チャネル領域，ドレイン領域の各領域の長さ，幅，ドーピ ング濃度等によって規定され，各電極に電位が印加された状態でのキャリアの分布 状態も，各領域の長さ，幅，ドーピング濃度の影響を受けるものであることは明ら かである。 そして，ＴＦＴのゲート電極に十分な電圧を印加したオン状態における電流（オ ン電流）は，ソース電極とドレイン電極との間を，ソース領域，チャネル領域，ド レイン領域の各領域を経由して流れるものであるから，オン状態のＴＦＴは，各領 域が抵抗体として直列に接続されたものと近似することができる。すなわち，ＬＤ Ｄ領域が設けられていないＴＦＴのオン電流値は，各電極（ゲート電極，ソース電 極，ドレイン電極）に印加される電位や各領域間の相互作用があるとしても，各領 域の長さＬ，幅Ｗ，ドーピング濃度の影響を受け，その影響が前記(1)の半導体に流 れる電流と，概略，同様の傾向を示す。このことは，技術常識である。 イ ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴの電気的特性 ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴのオン電流は，ソース電極とドレイン電極との間 を，ソース領域，チャネル領域，ＬＤＤ領域，ドレイン領域を経由して流れるもの であり，ＬＤＤ領域が設けられていないＴＦＴとの違いは，オン電流がチャネル領 域とドレイン領域間に設けられたＬＤＤ領域を通過する点である。したがって，Ｌ ＤＤ領域が設けられていないＴＦＴと同様に，ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴのオ ン電流値も，各電極（ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極）に印加される電位 や，各領域間の相互作用があるとしても，ソース領域，チャネル領域，ＬＤＤ領域， ドレイン領域の各領域の長さＬ，幅Ｗ，ドーピング濃度の影響を受け，その影響が， 上記(1)で述べた半導体に流れる電流と，概略，同様の傾向を示すものであることも， 技術常識である。このことは，刊行物２，刊行物３，特開平９―２１９５２５号公 報（乙２），特開平１０−１８９９９８号公報（乙３）の記載からも読み取ることが でき，これらの記載及び前記(1)の技術常識によれば，チャネル領域と高濃度ソース ／ドレイン領域との間に高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形のＬＤＤ領域 が設けられたＴＦＴにおいて， ・ＬＤＤ領域の長さが長くなるほど，ＴＦＴとしてのオン抵抗が大きくなり，オ ン電流が小さくなる（言い換えれば，ＬＤＤ領域が設けられていないＴＦＴと，Ｌ ＤＤ領域が設けられたＴＦＴを比較した場合，ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴの方 が，ＴＦＴとしてのオン抵抗が大きくなり，オン電流が小さくなる） ・ＬＤＤ領域の幅が狭くなるほど，ＴＦＴとしてのオン抵抗が大きくなり，オン 電流が小さくなる ・ＬＤＤ領域のドーピング濃度が低くなるほど，ＴＦＴとしてのオン抵抗が大き くなり，オン電流が小さくなる 傾向があり，これは技術常識である。 ２ 本願発明につき 本願発明は，駆動トランジスタを通じてＥＬ素子に流れる電流量を制御して適正 な輝度を得るとともに，ＥＬ素子の長寿命化を図ることを目的とするもので，駆動 トランジスタの多重ゲートのドーピング濃度又は幾何学的な形状を変更するか，あ るいは駆動トランジスタのドレイン領域及びドレインオフセット領域のドーピング 濃度または幾何学的な形状を変更して形成することで，駆動トランジスタが導通し たときの抵抗値を増大させてＥＬ素子を流れる電流量が小さくなるよう制御したも のである。 また，本願明細書の段落【００２９】【００３７】【００５６】【００６５】の ， ， ， 記載によれば，本願明細書に記載されている発明は，駆動トランジスタが導通した ときの抵抗値を増大させてＥＬ素子を流れる電流量を小さくすることを目的とし， その目的を達成する手段を具体化するにあたり，パラメータを変更する箇所に関し て，多重ゲート，ドレイン領域，ドレインオフセット領域のソース電極からドレイ ン電極に至るまでの種々の領域におけるパラメータを変更可能であるものとし，抵 抗値を増大させるパラメータに関して，幾何学的形状である長さＬｄ，幅Ｗｄを変 更すること，ドーピング濃度を変更可能とするものである。 そして，本願発明は，駆動トランジスタが導通したときに流れる電流量を小さく するための具体的手段として，ドレインオフセット領域のドーピング濃度を変更す ることを選択したものといえる。 ３ 取消事由１（刊行物２及び３についての認定の誤り）に対し (1) 刊行物２には，ソース領域−ドレイン領域間に，チャネル領域に加えてＬ ＤＤ領域を設けることにより，ソース領域−ドレイン領域間にチャネル領域がある だけで，ＬＤＤ領域が設けられていないＴＦＴに比べてオン電流が小さくなること， ｐ型ＴＦＴでｐ−構造（高濃度ドレイン領域〔ｐ型〕と同一の導電形〔ｐ−構造〕） のＬＤＤ部分を有するＴＦＴに関し，ＬＤＤ部分の長さが長いほどＯＮ電流値が小 さくなること，ＬＤＤ部分の不純物の添加量（不純物濃度）が低いほどＯＮ電流値 が小さくなることが記載されている。また，刊行物３には，ＴＦＴに対して，ゲー ト電極下のチャネル領域とソース／ドレイン領域との間にソース／ドレイン領域と 同一導伝型（導電形）のＬＤＤ領域を設けることにより，ソース領域−ドレイン領 域間にチャネル領域があるだけのＴＦＴに比べて，オン電流が小さくなることが記 載されている。 (2) そして，前記の技術常識を有する当業者が，刊行物２及び３の記載に接す れば，ＴＦＴのオン電流を小さくするために，ＴＦＴに対してゲート電極と高濃度 ソース／ドレイン領域との間に高濃度ソース／ドレイン領域と同じ導電形のＬＤＤ 領域を設けることは，認識し得る事項である。 したがって，審決が「薄膜トランジスタが導通したときに流れる電流値を小さく する手段として， 『半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲー ト電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記 ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域 が，前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドー プされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高 抵抗領域である』手段は，周知の技術手段である。（１０頁７行〜１４行）と認定 」 したことに誤りはない。 (3) また，原告は，トランジスタの使い方の違いを主張するが，トランジスタ が飽和領域で動作しているのか否かに関わらず，トランジスタのゲート電極とドレ イン領域の間に高抵抗領域であるオフセット領域を設けることで，トランジスタを 流れる電流が減少する現象は，当業者にとって自明な事項であって技術常識である。 ４ 取消事由２（相違点３についての判断の誤り）に対し (1) 引用発明に刊行物２又は刊行物３記載の発明とを組み合わせる動機付け が存在しないとの主張につき 審決は，引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２が導通した時の電流値を小さ 「 くする技術手段として，引用発明におけるチャネル長（Ｌ）を長めに設計する技術 手段に代えて， 『半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート 電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ド レイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が， 前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープさ れた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗 領域である』周知の技術手段を採用し，上記（相違点３）に係る構成と為すことに 格別の困難性は認められない。（１１頁８行〜１７行）と判断した。 」 そして，前記のとおり，ＴＦＴのオン電流を小さくする手段として， 「半導体層に 対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高 濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けら れるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が，前記高濃度ソース／ドレ イン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされた低濃度不純物領域ま たは不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」技術手段は， 周知である。 したがって，引用発明において， 「電流制御用ＴＦＴ６０２が導通した時の電流値 （オン状態の電流値）を小さくする」手段として， 「チャネル長（Ｌ）を長めに設計 する技術手段」に代えて，上記周知の技術手段の適用を試みることは，当業者の通 常の創作能力の発揮であり，十分に，動機付けがあるといえる。したがって，審決 の判断に誤りはない。 また，刊行物１には，ＴＦＴのチャネル長を長めにしてＴＦＴに流れる電流を小 さくすることが記載されている。そして，前記の技術常識によれば，ＴＦＴのオン 状態の電流を小さくする手段として，ソース−ドレイン領域間のチャネル領域の長 さを長くすることに代えて，ソース−ドレイン領域間の領域に対してドーピング濃 度を低くすることは，当業者が当然に想到し得たことである。しかるに，刊行物２ 及び３に記載されているように，ＴＦＴのソース−ドレイン電極間のドレイン領域 の一部にドレイン領域よりもドーピング濃度を低くしたＬＤＤ領域を設けた構造が， 周知の構造であるところ，その構造を採用することによりオン電流が小さくなると の記載に接した当業者であれば，ソース−ドレイン領域間の領域に対してドーピン グ濃度を低くするための具体的構成として，刊行物２及び３に記載された周知の構 造を採用することに，格別の困難性は認められない。 (2) 作用効果の看過しているとの主張につき ア 開口率の定義 特開２００１−２０２０３４号公報（乙４）に記載されているように，有機ＥＬ 表示装置における開口率は， 「画素領域に対する，ＴＦＴを含む各画素の駆動回路の 領域を除いた領域である発光領域の占める割合」である。 イ ＴＦＴとして，ＬＤＤ領域を設けた構造を採用したことによる効果 ＴＦＴにおいて，ドーピング濃度を変更することは，不純物の添加工程における 添加量を変更することのみで可能な事項であって，トランジスタのサイズに格別影 響を与えるものではない。したがって，ドーピング濃度を低くした領域であるＬＤ Ｄ領域を設けたＴＦＴと通常のＴＦＴとの間において，トランジスタのサイズに格 別の違いがないことは自明の事項である。 したがって，引用発明において， 「電流制御用ＴＦＴ６０２が導通した時の電流値 （オン状態の電流値）を小さくする」との解決すべき課題に対して，チャネル長 「 （Ｌ） を長めに設計する技術手段」に代えて，ソース−ドレイン電極間でドレイン領域よ りもドープ濃度の低い領域を設ける技術である上記周知の技術手段を採用すること により，ＴＦＴのサイズを大きくすることなく，ＴＦＴのオン状態の電流を小さく することができることは，当該構成を採用したことにより，当業者であれば上記自 明の事項から当然に予測し得る事項である。 そして，上記の開口率の定義によれば，有機ＥＬ表示装置において，駆動トラン ジスタなどのＴＦＴのサイズを大きくしないことは，開口率を減少させないことに ほかならない。 よって，審決が「本願発明が奏する作用効果は，引用発明と周知の技術手段とに 基いて，当業者が予測しうる程度のものである。（１２頁１５行〜１６行）とした 」 判断に誤りはない。 (3) 後知恵の主張につき 前記のとおり，ＴＦＴのオン電流に関する電気的特性は，オン電流の通過するソ ース−ドレイン電極間の全領域の影響を受けるものである。原告の飽和領域につい ての説明は，ＬＤＤ領域とは異なるチャネル領域についての説明であり，チャネル 領域のみを取り出して，チャネル領域に流れる電流がピンチオフによって制限され るからといって，そのことのみをもって，ソース領域，チャネル領域，ＬＤＤ領域， ドレイン領域を流れる電流の動作特性を説明したことにはならない。 すなわち，例えば，刊行物２の表１の高濃度ドレイン領域（ｐ型）と同一の導電 形（ｐ−構造）のＬＤＤ部分を有するＴＦＴに関する（３）と（４）の表において， ドレイン印加電圧がＶｄｓ＝−１Ｖの場合とＶｄｓ＝−１４Ｖの場合のＯＮ電流値 を比べると，ドレイン印加電圧の絶対値が大きい（Ｖｄｓ＝−１４Ｖ）場合のＯＮ 電流値の絶対値の方が，ドレイン印加電圧の絶対値が小さい（Ｖｄｓ＝−１Ｖ）場 合のＯＮ電流値の絶対値よりも大きい。すなわち，ＬＤＤ領域が設けられたＴＦＴ を全体として見た場合に，オン電流値を変化させるためのパラメータとして，ドレ イン印加電圧があることが開示されている。 第５ 当裁判所の判断 １ 取消事由１（刊行物２及び３についての認定の誤り）について (1) 本願発明 本願明細書（甲９，１０）の記載によれば，本件出願にかかる各発明は，アクテ ィブマトリクス型フラットパネルディスプレイに関するもので，各単位画素当たり の有機電界発光素子（ＥＬ）を流れる電流量を制御して適正輝度の発光が可能であ り，かつ長寿命化が可能な有機電界発光ディスプレイを提供することなどを目的と するものであり，そのために，駆動トランジスタの多重ゲートのドーピング濃度又 は幾何学的な形状を変更するか，あるいは駆動トランジスタのドレイン領域及びド レインオフセット領域のドーピング濃度または幾何学的な形状を変更して形成する こととし，その結果，各画素当たりの駆動トランジスタが占める面積を増大するこ となく，有機電界発光素子を流れる電流量のみを調節することにより，開口率の減 少という問題を解決し，信頼性を向上させることができるという効果を奏するとし たものであることが認められる。 そして，請求項１にかかる発明（本願発明）は，駆動トランジスタが導通したと きに流れる電流量を小さくするための具体的手段として，ドレインオフセット領域 のドーピング濃度を変更することを選択したものということができる。 (2) 引用発明 刊行物１の記載によれば，引用発明は，電極間にＥＬ素子を用いた発光装置に関 するものであり，電流制御用ＴＦＴ６０２は，過剰な電流が流れてＥＬ素子６０３ が劣化しないよう，そのチャネル長が長めに設計され，電流値が小さく設定された ものであることが認められる。 (3) オフセット領域の目的について 刊行物２及び３，特開平９−２１９５２５号公報（乙２），特開平１０−１８９９ ９８号公報（乙３）には，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタにおいて， オフセット領域の不純物濃度が低いと電気抵抗が高いため，オフセット領域のない 薄膜トランジスタと比べて，薄膜トランジスタを流れるドレイン電流が小さくなる ことが記載されており，かかる技術的事項は技術常識であると認められる。 そうすると，刊行物２及び３の記載は，いずれもオフセット領域によってオン電 流を減らすことを積極的に使うという内容はなく，むしろそうなるのを避けること を説いているとしても，その記載は，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタ において，オフセット領域の不純物濃度が低いと電気抵抗が高いため，オフセット 領域のない薄膜トランジスタと比べて，薄膜トランジスタを流れるドレイン電流が 小さくなるという技術常識を背景としているから，そこには上記周知の技術的事項 が示されていると理解することができる。したがって，この点において， 「半導体層 に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された 高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設け られるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が，前記高濃度ソース／ド レイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされた低濃度不純物領域 または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域」が周知の技術手 段であるとした審決の認定に誤りはない。 (4) トランジスタの使い方の違いについて 薄膜トランジスタのドレイン電圧と薄膜トランジスタに流れるドレイン電流との 特性曲線から，薄膜トランジスタの動作は，ドレイン電流が略一定となる領域（飽 和領域）と，ドレイン電流が略一定となる前の領域（線形領域又は非飽和領域）の 二つの動作領域に分けられる。線形領域（非飽和領域）では，ドレイン電圧の絶対 値が低く，ドレイン電流がチャネル（反転層）の抵抗で支配される。これに対し， 飽和領域では，ドレイン電圧の絶対値が高く，チャネル（反転層）がドレイン端部 から消滅し（ピンチオフ） 消滅した部分に基板とドレインの境界にある空乏層が伸 ， びることにより，ドレイン電流が略一定になる。 そこで，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタにおける前記(3)の技術的事 項と，薄膜トランジスタの動作領域との関係について検討するに，オフセット領域 を具備した薄膜トランジスタが，線形領域（非飽和領域）と飽和領域のいずれで動 作する場合でも，薄膜トランジスタを流れるドレイン電流の経路に不純物濃度が低 く電気抵抗が高い上記オフセット領域が存在すると，ドレイン電流はオフセット領 域による影響を受けるから，オフセット領域のない薄膜トランジスタと比べてドレ イン電流が小さくなる。このことは，技術常識ということができ，刊行物２（甲２） の表１(3)及び(4)の測定結果からも推認できるものである。すなわち，その表１に， ＬＤＤ部分（オフセット領域）の長さ及び不純物濃度とドレイン電圧を変化させた 時のソース−ドレイン間電流の測定結果が示されているところ，この測定において， ゲートには一定の電圧が印加されていると解するのが自然であり合理的であるから， 表１(3)及び(4)の測定結果によれば，ドレイン電圧の絶対値の大小に関係なく，ＬＤ Ｄ部分（オフセット領域）の不純物濃度が低いほど，すなわちＬＤＤ部分（オフセ ット領域）が高抵抗であるほど，薄膜トランジスタを流れるドレイン電流の絶対値 が減少することが見て取れる。 そして，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタにおいて，オフセット領域 の不純物濃度が低いと電気抵抗が高いため，オフセット領域のない薄膜トランジス タと比べて，薄膜トランジスタを流れるドレイン電流が小さくなるという前記(3)の 技術的事項が，薄膜トランジスタが飽和領域で動作しているのか否かに関係なく生 じるものである以上，トランジスタが飽和領域又は非飽和領域のいずれで使われる かの違いを根拠に，審決が認定した周知の技術手段の組合せ判断に誤りがあるとす ることはできない。 (5) 以上によれば，審決が刊行物２及び３から周知の技術手段を認定した点に つき，原告の主張する誤りはなく，取消事由 1 は理由がない。 ２ 取消事由２（相違点３の判断の誤りについて） (1) 刊行物１の段落【００６９】， 【００７０】の記載によれば，引用発明の「電 流制御用ＴＦＴ６０２」 「過剰な電流が流れて前記ＥＬ素子６０３が劣化しない は， よう，そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計され，電流値が小さく設定されている」 ものである。 そして，前記のとおり，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタ，すなわち 「半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート電極の両側に 形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ドレイン領域と の間に設けられるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が，前記高濃度 ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされた低濃度 不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域であ る」薄膜トランジスタにおいて，オフセット領域の不純物濃度が低く電気抵抗が高 いと，オフセット領域のない薄膜トランジスタと比べて，薄膜トランジスタを流れ るドレイン電流が小さくなることは，刊行物２及び３，乙２及び３にもみられるよ うに，本件優先日前，当該技術分野では周知の技術的事項である。 そうすると，過剰な電流が流れて「ＥＬ素子６０３」 （本願発明の「発光素子」に 相当。）が劣化しないよう， 「電流制御用ＴＦＴ６０２」 （本願発明の「第１のトラン ジスタ」に相当。）に流れる電流値が小さく設定される引用発明において，上記「電 流制御用ＴＦＴ６０２」を， 「そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計され」た構成に代 えて， 「前記半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層における前記ゲート電極 の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲート電極と前記ドレイ ン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し，前記オフセット領域が，前 記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされ た低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領 域」である構成を採用したとしても，上記「電流制御用ＴＦＴ６０２」に流れる電 流値を小さく設定できることは，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタにお ける上記周知の技術的事項を適用することにより，当業者が容易に想到し得たもの ということができる。 また，前記のとおり，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタが，線形領域 （非飽和領域）と飽和領域のいずれで動作する場合でも，薄膜トランジスタを流れ るドレイン電流が制限されることは，当業者には自明であるから，引用発明に上記 周知の技術的事項を適用して引用発明における「電流制御用ＴＦＴ６０２」を構成 した際に， 「電流制御用ＴＦＴ６０２」を線形領域（非飽和領域）と飽和領域のいず れで動作させるかは，当業者が必要に応じて適宜選択し得たものであることも明ら かであって，このように認めることをもって後知恵とするのは相当でない。 加えて，引用発明に，オフセット領域を具備した薄膜トランジスタにおける上記 周知の技術的事項を適用する際に，オフセット領域の不純物濃度を調整することに より，電流制御用ＴＦＴ６０２」 「 に流れる電流値を制御することができ，その結果， 「ＥＬ素子６０３」の輝度を調整できることは，当業者であれば容易に認識し得た ものであって，格別のものとはいえない。 (2) ＬＤＤ領域を設けることにより製品を製造するに際して工程数が増える ことになるが，引用発明において，過剰な電流が流れて「ＥＬ素子６０３」が劣化 しないよう「電流制御用ＴＦＴ６０２」に流れる電流値を小さくする場合に考えら れる複数の選択枝について，そのメリット，デメリットをそれぞれ検討して，所定 の選択枝を採用することは，当業者が適宜なし得るものと認めるのに支障はない。 そして，引用発明における「電流制御用ＴＦＴ６０２」に流れる電流値を小さくす るために，引用発明に前記周知の技術的事項を適用して，電流制御用ＴＦＴ６０２」 「 にオフセット領域を設けるに際しての「電流制御用ＴＦＴ６０２」の製造における 工程数の増加は， 「オフセット領域」を形成する不純物の添加工程が加わる程度のことであることか らすれば，引用発明に前記周知の技術的事項を適用することの阻害要因になるとは いえない。 (3) 原告は，本願発明においては開口率を高めることができるという効果を有 するところ，審決はかかる引用発明とは異質の効果を看過していると主張する。 しかし，引用発明に，甲２，甲３，乙２及び乙３にみられる周知の技術的事項を 適用して， 「ＥＬ素子６０３」 （本願発明の「発光素子」に相当。）を駆動する「電流 制御用ＴＦＴ６０２」（本願発明の「第１のトランジスタ」に相当。）にオフセット 領域を具備する構成とし， 「電流制御用ＴＦＴ６０２」を流れるドレイン電流を制限 する際に，オフセット領域を具備した上記「電流制御用ＴＦＴ６０２」は， 「オフセ ット領域」をゲート電極のドレイン側の側面の直下から「高濃度ドレイン領域」に かけて形成することで，チャネル長(Ｌ）が長めに設計された上記「電流制御用ＴＦ Ｔ６０２」よりも小さくして，オフセット領域のない薄膜トランジスタに比べて格 別の違いがないようにできることは，当業者には自明の事項である。 そして，有機ＥＬ表示装置において，駆動トランジスタなどのＴＦＴのサイズを 大きくしないことは，開口率を減少させないことにほかならないから，引用発明に 上記周知の技術的事項を適用した際，上記「電流制御用ＴＦＴ６０２」のサイズを 大きくしないことで，開口率を向上できることは，当業者には容易に予測し得たこ とであり，格別の効果ということはできない。 (4) 以上のとおり，取消事由２も理由がない。 第６ 結論 以上によれば，原告主張の取消事由はすべて理由がない。 よって原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第２部 裁判長裁判官 塩 月 秀 平 裁判官 真 辺 朋 子 裁判官 田 邉 実 - 25 - |