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関連審決 無効2016-800128
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事件 特許権侵害損害賠償請求事件
平成３０年１２月２７日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官 平成２８年（ワ）第２５９５６号 特許権侵害損害賠償請求事件（甲事件） 平成２９年（ワ）第２７３６６号 特許権侵害損害賠償請求事件（乙事件） 口頭弁論終結日 平成３０年１０月１９日 5判決 甲事件・乙事件原告 ソニー株式会社 （以下「原告」という。） 10 同訴訟代理人弁護士 鮫島正洋 小栗久典 蜑ｺ彰彦 和田祐造 高橋正憲 15 丸山真幸 甲事件被告 富士フイルム株式会社 （以下「被告富士フイルム」という。） 20 乙事件被告 富士フイルムメディア マニュファクチャリング株式会社 （以下「被告ＦＦＭＭ」という。） 25 被告ら訴訟代理人弁護士 片山英二 服部誠 1中村閑 黒田薫 佐志原将吾 高岸亘 5 被告ら訴訟代理人弁理士黒川恵 古橋伸茂
裁判所 東京地方裁判所
判決言渡日 2018/12/27
権利種別 特許権
訴訟類型 民事訴訟
主文 １ 原告の請求をいずれも棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
10 事 実 及 び 理 由第１ 請求１ 被告富士フイルムは，原告に対し，１億円及びこれに対する平成２８年８月１３日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２ 被告ＦＦＭＭは，原告に対し，１億円及びこれに対する平成２９年９月２日か15 ら支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２ 事案の概要本件は，発明の名称を「磁気記録媒体」とする特許権を有する原告が，被告らに対し，被告らによる別紙物件目録記載１ないし６の各製品（以下，それぞれの製品を同目録記載の番号に従い「被告製品１」などといい，各製品を併せて「被20 告製品」と総称する。）の製造，販売等が特許権侵害に当たると主張して，民法709条及び特許法102条2項に基づく損害賠償金１億円（内金請求）及びこれに対する不法行為後の日である被告富士フイルムについては平成２８年８月１３日，被告ＦＦＭＭについては平成２９年９月２日（各被告に対する訴状送達の日の翌日）から各支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支25 払を，それぞれ求める事案である。
１ 前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全趣旨によ2り容易に認められる事実）当事者等原告は，磁気テープカートリッジ等を業として販売する株式会社である。
被告富士フイルムは，磁気テープカートリッジ等を業として製造，販売する5 株式会社である。
被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムがその発行済株式の１００％を保有する株式会社であり，磁気テープカートリッジ等を業として製造する。
原告の特許権ア 原告は，以下の特許権（以下「本件特許権」といい，その特許を「本件特10 許」といい，本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細書」という。）を有している。（甲１，２）特 許 番 号 第４３７０８５１号発明の名称 磁気記録媒体出 願 日 平成１５年８月８日（特願２００３−２８９５７７）15 登 録 日 平成２１年９月１１日イ 本件特許権の特許請求の範囲請求項１の記載は以下のとおりである（以下，同請求項に記載された発明を「本件発明」という。。
）「非磁性支持体の一主面上に，少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層と20 が形成されてなり，上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記25 式（２）の関係を有し，全厚１２μｍ以下である磁気記録媒体。
3２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」ウ 本件発明は，以下の構成要件に分説される（以下，それぞれの構成要件を「構成要件Ａ」などという。。
）5 Ａ 非磁性支持体の一主面上に，Ｂ 少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，Ｃ 少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されてなり，Ｄ 上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，10 Ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，Ｆ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，Ｇ１ 全厚１２μｍ以下である15 Ｇ２ 磁気記録媒体。
Ｈ ２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）Ｉ ２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）訂正請求及び訂正後の特許請求の範囲と構成要件ア 被告富士フイルムは，本件特許について，平成２８年１１月９日付けで特20 許無効審判を請求した（無効２０１６−８００１２８。 「本件無効審判」以下という。。
）原告は，本件無効審判において，平成２９年１月２０日付けで本件特許の明細書及び特許請求の範囲を訂正することを請求し（甲１２〜１４。 「第以下１次訂正請求」という。，その後，平成３０年４月９日付けで改めて本件明）25 細書及び特許請求の範囲を訂正することを請求した（甲３３。以下「本件訂正請求」といい，その訂正を「本件訂正」という。。本件訂正請求に伴い，）4第１次訂正請求は，取り下げられたものとみなされた（特許法134条の2第6項）。
イ 本件訂正請求に係る請求項１記載の発明（以下「本件訂正発明」という。）は以下のとおりである（下線部は訂正箇所。以下，請求項１に係る訂正を「訂5 正事項１」といい，そのうち，保磁力Ｈｃの範囲に係る訂正を「訂正事項１−１」といい，非磁性層の厚みに係る訂正を「訂正事項１−２」といい，Ｈｃ／Ｒｓの範囲に係る訂正を「訂正事項１−３」という。。また，訂正事項）１に整合するように本件明細書の段落【００１０】を訂正した（以下「訂正事項２」という。。
）10 「非磁性支持体の一主面上に，少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されてなり，上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディス15 トリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が，２１０以上，２２１以下であり，全厚１２μｍ以下である磁気記録媒体（ただし，上記非磁性層の厚みが１．20 １〜２μｍである磁気記録媒体を除く。。
）２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」ウ 本件訂正発明は，以下の構成要件に分説される（下線部は訂正箇所）。
Ａ 非磁性支持体の一主面上に，25 Ｂ 少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，Ｃ 少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されて5なり，Ｄ 上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，Ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，5 Ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，Ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が，２１０以上，２２１以下であり，Ｇ１ 全厚１２μｍ以下であるＧ２ 磁気記録媒体10 Ｇ３ （ただし，上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く。）。
Ｈ ２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）Ｉ’２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）被告らの行為15 被告富士フイルムは，被告製品１，被告製品２，被告製品５及び被告製品６の製造，販売，輸出及び販売の申出をしている。
また，被告富士フイルムは，被告製品３及び被告製品４の製造をし，同製品をアメリカ合衆国法人であるＯｒａｃｌｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ又はその子会社である日本オラクル株式会社に対して販売，輸出及び販売の申出をし20 ている。
２ 争点被告製品の本件発明の技術的範囲への属否（なお，被告らは以下のアないしウ以外の構成要件の充足性について争っていない。）ア 構成要件Ｃの充足性25 イ 構成要件Ｇ２の充足性ウ 構成要件Ｈの充足性6本件特許の無効理由の有無ア 特開２００２−１８３９２９号公報（乙５。平成１４年６月２８日公開。
以下「乙５文献」という。）に記載の発明に基づく新規性欠如（特許法29条1項）5 イ 特開平１１−１８５２４０号公報（乙６。平成１１年７月９日公開。以下「乙６文献」という。）に記載の発明に基づく新規性欠如ウ 特開平９−２２５２２号公報（乙７。平成９年１月２１日公開。以下「乙７文献」という。）に記載の発明に基づく進歩性欠如（特許法29条2項）エ サポート要件（特許法36条6項1号）違反10 オ 実施可能要件（特許法36条4項1号）違反訂正の再抗弁の成否ア 本件訂正請求の適法性イ 本件訂正による無効理由の解消の有無イ−１ 乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如（争点 −ア）について15 イ−２ サポート要件違反（争点 −エ）についてウ 被告製品１，２，５及び６の本件訂正発明の技術的範囲への属否（なお，原告は，被告製品３及び４が本件訂正発明の技術的範囲に属するとは主張していない。）本件訂正発明と特許法123条1項所定の事由の有無20 ア 乙５文献に記載の発明に基づく進歩性欠如イ 乙６文献に記載の発明に基づく進歩性欠如ウ 乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如被告ＦＦＭＭの不法行為責任（共同不法行為の成否）原告の損害額25 ３ 争点に関する当事者の主張被告製品の本件発明の技術的範囲への属否）について7ア −ア（構成要件Ｃの充足性）について（原告の主張）被告製品は構成要件Ｃの「磁性層」を充足する。
被告らは，構成要件Ｃの「磁性層」は多磁区粒子によって構成される磁性5 層に限られ，被告製品は，磁性層が単磁区粒子によって構成されるから構成要件Ｃの「磁性層」を充足しないと主張するが，理由がない。
すなわち，磁性体粒子における粒子単体の元素組成，結晶構造，形状は必ずしも同一ではなく，現実の磁気記録媒体の磁性層には単磁区粒子のみならず多磁区粒子も存在する上，磁性層中に磁性体粒子を分散させた場合，各磁10 性体粒子が配向する方向は必ずしも同一ではないから，磁性体全体（磁性層）の磁化を検討する場合には，磁性体粒子一つ一つのＨｃがばらつく事情や，磁性体粒子の磁性層中での配向の状態を考慮する必要がある。本件発明はこの点に着目した発明であって，磁性層が多磁区粒子によって構成される場合にのみ技術的意義を有するというものではない。本件発明における構成要件15 Ｃの「磁性層」を多磁区粒子によって構成される磁性層であると限定する理由はなく，被告製品は構成要件Ｃの「磁性層」を充足する。
（被告らの主張）式（１）は，以下のとおり，磁気記録媒体の磁性層が多磁区粒子によって構成される場合にのみ技術的意義を有するため，本件発明における構成要件20 Ｃの「磁性層」は，多磁区粒子によって構成される磁性層であると解釈すべきである。被告製品の磁性層は単磁区粒子によって構成されるものであるから，構成要件Ｃを充足しない。
原告は，式（１）の技術的意義について，磁性層のＨｃを大きくしつつもそのばらつき（ΔＨ）を大きくすることで良好なオーバーカレント特性を得25 ることにあると主張しており，この主張は，磁気記録媒体に使用されている磁性体粒子において，外部磁場の大きさに応じて，記録が消えやすい磁性体8粒子の磁化の程度が連続的に変化することを前提としている。
一般的に，高密度型の磁気記録媒体の磁性層に使用される磁性体粒子はμオーダー以下のサイズであり，１つの粒子が１つの磁区を構成する単磁区粒子である。単磁区粒子の粒子１個の磁化は磁化の回転によってのみ行われ，5 磁性体粒子の長軸が長手方向に配列した磁性層内における単磁区粒子の磁化は，ある方向に磁化するか，その逆方向に反転するかのいずれかであるため，外部磁場の大きさに応じて，磁性体粒子の長軸が長手方向に配列した磁性層内において，単磁区粒子である磁性体粒子の磁化の程度が連続的に大きくなったり，小さくなったりするという事態は生じない。
10 もっとも，磁性体粒子のサイズがμオーダー以上であり１つの粒子が磁壁で区切られた複数の磁区を有する多磁区粒子であれば，外部磁場の大きさに応じて磁化の程度が変わることになるから，外部磁場の大きさに応じて，記録が消えやすい磁性体粒子の磁化の程度が連続的に変化する状況もあり得る。
15 そうすると，式（１）は，磁気記録媒体の磁性層が多磁区粒子によって構成される場合にのみ技術的意義を有することとなる。
イ 争点 −イ（構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」の充足性）について（原告の主張）磁性層の膜厚について20 被告製品は，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」を充足する。
被告らは，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」には，記載されざる構成要件として「磁性層の膜厚が０．１０μｍを超えること」が要件として付加されていると主張するが，理由がない。
特許請求の範囲の記載には磁性層の膜厚の限定はなく，本件明細書の記25 載からも，磁性層の膜厚は本件発明の技術的意義と無関係である。
被告らは，被告製品を本件明細書記載の記録再生装置（ＨＤＷ−５００9ＶＴＲ）で記録及び再生する実験を行い，いずれもサーボロックはずれが引き起こされたとして，被告製品は構成要件Ｇ２を充足しない旨主張するが，被告製品と上記記録再生装置では規格が異なるにすぎない。
また，被告らは，使用する記録再生装置によっては，磁性層の膜厚が薄5 すぎるとＣＴＬ信号が検出不能となり，サーボロックはずれが引き起こされ，磁気テープが正しく再生されなくなるなどと主張するが，記録再生装置の出力に対してその許容値（閾値）を定め，許容値以上の信号が検出できなかったものをサーボはずれと判定するものであるから，磁性層の膜厚を薄くしても，それに対応して許容値を定めればサーボ信号の検出は可能10 である。磁性層の膜厚を薄くしてもサーボの許容値を変更することでサーボの検出は可能であり，磁性層の膜厚は，本件発明における必須の構成要件ではない。
磁気ヘッドについて被告らは，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，ヘリカル・スキャン方15 式の磁気記録媒体に限定される旨主張し，式（１）の技術的意義が，磁気テープとの接触により摩耗した磁気ヘッドにおける記録が摩耗前の最適記録電流値よりもオーバーカレント側での記録となるような関係がある場合に限られ，このような関係はヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体の場合にしか発生しないと主張するが，理由はなく，「磁気記録媒体」は，20 ヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体に限られない。
特許請求の範囲の記載に磁気ヘッドの方式の限定はなく，本件明細書にも磁気ヘッドの方式に関する記載はない。本件発明の技術的意義は記録電流値の裕度及び充分な再生出力を得るための最適記録電流を有する磁気記録媒体を提供することにあり，記録電流値の裕度とは，入出力特性にお25 いて出力一定の範囲を広げること又は記録電流設定マージンを広くすることを意味するから，本件発明の技術的意義は磁気ヘッドが摩耗した場合10に限定されない。
被告らの主張は，被告製品は本件発明の技術的範囲には属するものの，被告製品が利用される顧客の記録システムの仕様又は選択によっては，オーバーカレントでの記録が行われないというものにすぎない。原告は，本5 件訴訟において，被告らの顧客による記録システムの仕様又は選択に起因する被告らの顧客における特許権侵害を問題としているのではなく，被告製品を製造・販売等する被告らの行為自体を問題としているから，被告らの主張は失当である。
また，固定ヘッド方式の磁気記録媒体も，磁気ヘッドは磁気テープとの10 接触によって摩耗し，磁気ヘッドがその両サイドに位置する部材に対して相対的に奥に引っ込むことにより，磁気ヘッドと磁気テープとの間に隙間が生じ，記録電流（記録磁界）が最適記録電流（最適記録磁界）からずれていくのと同じ事態が起こり，固定ヘッド方式の磁気記録媒体にも記録電流値の裕度の課題は生じるから，被告らの主張は失当である。
15 （被告らの主張）磁性層の膜厚について本件発明は記録再生が可能な磁気記録媒体であることが前提であるから，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，記録再生が実用的に不可能な磁気記録媒体が除かれるように限定的に解釈すべきである。
20 一般的に，記録再生可能な磁気記録媒体であるためには，磁気再生装置において，テープ送りが適切に行われる必要があるが，磁気テープ上に磁気信号が記録されるトラック（ビデオトラック）の幅は狭く，再生時のテープ送りと磁気再生ヘッドの回転位置との関係を，記録時のテープ送りと磁気記録ヘッドの回転位置との関係と合わせるように調整する必要があ25 る。そこで，記録時に基準となる信号（コントロール信号（ＣＴＬ信号））を取り出して記録し，再生時にＣＴＬ信号が記録されるトラック（コント11ロールトラック）からＣＴＬ信号を読み出してテープの走行速度を検出し，磁気再生ヘッドがトラックからはずれないようにテープの走行速度が調整される。再生時のテープ送りと磁気再生ヘッドの回転位置との関係を，記録時のテープ送りと磁気記録ヘッドの回転位置との関係と合わせた状5 態をサーボロックといい，記録再生装置において，磁気テープに記録されている磁気信号を正しく再生させるためにはサーボロックがされていることが必須となる。
一般的に，ＣＴＬ信号は波長が長い信号が使用されるが，磁気ヘッドから空間に広がる漏れ磁束の大きさは，記録したい信号の波長が長いほど大10 きくなることが知られており，ＣＴＬ信号を記録する際に磁気記録ヘッドからの漏れ磁束が到達する距離は１μｍに満たない磁性層の膜厚より遥かに大きいものとなるため，磁性層の磁化の程度は磁性層の膜厚の厚さに応じることになる。検出可能なＣＴＬ信号が記録されるためには磁性層の膜厚がある程度厚いことが必要であり，磁性層の膜厚が薄すぎると，ＣＴ15 Ｌ信号の出力が小さすぎて検出不能となる，いわゆるサーボロックはずれを引き起こし，磁気テープが正しく再生されなくなる場合がある。
本件明細書の実施例では，磁性層の膜厚を０．１０μｍとした実験例３のサンプルでは磁性層が薄すぎるため充分なＣＴＬ信号の再生出力が得られず，サーボロックはずれを引き起したことが報告されている（本件明20 細書の段落【００８６】。つまり，本件明細書記載の記録再生装置を用い）た場合，磁気記録媒体の磁性層の膜厚が０．１０μｍ程度であると当該磁気記録媒体は再生不能ということになる。
そして，被告製品の磁性層の膜厚はいずれも０．１０μｍ未満であることから，本件明細書記載の記録再生装置を用いるとサーボロックはずれが25 引き起こされることになる。実際に，本件明細書記載の記録再生装置を用いて，被告製品において記録再生を行い，ＣＴＬ信号の再生出力について12確認したところ，ＣＴＬ信号は検出できず，サーボロックはずれが引き起こされていることが判明した。
そうすると，構成要件Ｈに係る「磁気記録媒体」の磁性層の膜厚は０．１０μｍを超えるものと解釈されるべきである。そして，被告製品の磁性5 層の膜厚はいずれも０．１０μｍ未満であるから，被告製品は構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」を充足しない。
磁気ヘッドについて式（１）の技術的意義は，本件明細書の記載（段落【００７９】【図４】）を踏まえても，磁気記録媒体の磁気ヘッドが摩耗し，オーバーカレント状10 態になった場合の磁気記録特性を改善すること（オーバーカレント特性を良好にすること）にあり，本件発明に係る「磁気記録媒体」とは，磁気ヘッドが継続的な使用により摩耗することによって，オーバーカレント状態で使用されるものを指すと解釈すべきである。そして，このことを前提とすれば，本件発明の構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」とはヘリカル・スキ15 ャン方式の磁気記録媒体に限られる。
すなわち，ヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体は，磁気テープとの接触により磁気ヘッドが摩耗する現象が生じ，磁気ヘッドからの漏れ磁束が次第に強くなるため，最適記録電流値として設定したものと同じ電流値で記録したとしても，磁気ヘッド摩耗後は，磁気テープ上に生じる漏れ磁20 界が強くなり，磁気テープにとってはオーバーカレント状態での記録となる。
他方，磁気ヘッドブロックを含む磁気テープ送り機構を有する固定ヘッド方式の場合，磁気テープとの接触によって磁気ヘッドが摩耗すると磁気テープと磁気ヘッドとの間の空間が増大する。その結果，固定ヘッド方式25 の場合，磁気ヘッドが摩耗すると，ヘリカル・スキャン方式の場合と反対に，磁気テープ上に生じる漏れ磁界が弱くなる。したがって，固定ヘッド13の場合は，長期間使用したとしても，オーバーカレント状態になることはない。かえって，固定ヘッドが摩耗した場合，磁気ヘッドのコイルに摩耗前と同じ記録電流を流した場合であっても，磁気テープに及ぶ漏れ磁束が弱くなり，摩耗前に比べて記録しにくくなるため，磁性体のＨｃを大きく5 すると，摩耗前の場合よりも，新たな記録が更に一層行いにくくなり，磁気記録特性は悪化することになるから，固定ヘッド方式の磁気記録媒体の場合，本件発明によって磁気記録特性を改善することは不可能である。
したがって，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，本件明細書の段落【００７９】記載の「ＶＴＲ用磁気ヘッド」に代表される磁気ヘッド用の磁気10 記録媒体，すなわち，継続的な使用による摩耗により最適記録電流が変化して，摩耗前の最適記録電流値よりもオーバーカレント側での記録となるヘリカルヘッド方式の磁気記録媒体に限定されると解釈すべきである。そして，被告製品は，いずれも固定ヘッド方式の磁気記録媒体であるから，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」を充足しない。
15 ウ 争点 −ウ（構成要件Ｈの充足性−式（１）の上限値）について（原告の主張）被告製品は，構成要件Ｈの式（１）を充足する。被告らは，式（１）には記載されざる構成要件として上限値が要件として付加されている旨主張するが，特許請求の範囲の記載には式（１）の上限値は特定されておらず，本20 件明細書においても式（１）の上限値に関する記載はない。
被告らは，被告製品について，本件明細書に記載された記録再生装置を用いて記録再生を試みたところ，いずれについても実用的な記録再生が不可能であることが判明したから，本件発明に係る磁気記録媒体が記録再生可能な磁気記録媒体であるためには，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値が，被25 告製品における値である２７０未満である必要があると主張する。しかし，実施例は本件発明の技術的意義を裏付けるための実験例であり，また，被告14製品と本件明細書記載の記録再生装置は規格が異なるにすぎない。
したがって，構成要件Ｈの式（１）には，記載されざる構成要件として，上限値が要件として付加されるとはいえず，被告らの主張は失当である。
（被告らの主張）5 前記イの被告らの主張のとおり，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，記録及び再生が可能な磁気記録媒体であることが前提であるから，「磁気記録媒体」は，記録再生が実用的に不可能な磁気記録媒体が除かれるように限定的に解釈すべきである。
オーバーカレント特性は，磁気記録媒体の磁気特性のみでは定まらず，使10 用される具体的な記録再生装置の仕様，特に磁気記録ヘッドの仕様と磁気記録ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間の距離等に強く依存する。原告も，平成２０年７月３１日起案の拒絶理由通知に対する意見書（乙２）において，本件発明は，所定の記録再生装置を用いた実施例１に対して出力，最適記録電流及び高い再生出力が得られる記録電流範囲が適切な範囲内に収まるよ15 うな磁気記録媒体を特定したものであることを明らかにしている。
そして，本件明細書の実施例におけるＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の最大値は２４７．５（実施例３）であり，被告製品のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値は２７０〜２９８．３である。被告製品を本件明細書記載の記録再生装置を用いて記録再生を試みたところ，実用的な記録再生が不可能で20 あった。そうすると，本件発明に係る磁気記録媒体が記録再生可能な磁気記録媒体であるためには，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値が２７０未満である必要があるといえる。
したがって，構成要件Ｈの「磁気記録媒体」には書かれざる構成要件として，式（１）の上限値が存在するところ，被告製品のＨｃ×（１＋０．５×25 ＳＦＤ）の数値は当該上限値を上回るものであるから，被告製品は構成要件Ｈを充足しない。
15争点 （本件特許の無効理由の有無）についてア 争点 −ア（乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如）について（被告らの主張）乙５文献の実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例5 ８及び比較例９には，いずれも，非磁性支持体の一方の面上に，非磁性粉体であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を有し，前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有する磁気記録媒体が記載されている。
10 そして，上記実施例及び比較例の磁気記録媒体の全厚（総厚さ）及び上記実施例及び比較例の各数値に基づき，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの数値を算出した結果は以下の表のとおりであり，乙５文献には，実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例８及び比較例９において，以下の発明（以下，それぞれの実施例や比較例の番号に合わせ15 て「乙５−実１発明」「乙５−比１発明」などという。
， ）が記載されているといえる。これらの発明は本件発明の構成要件を全て備えているから，本件発明は乙５−実１発明等に基づき新規性を欠く。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 非磁性粉体であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，20 ｃ 当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を有し，ｄ 前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ25 ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下16記式（２）の関係を有し，ｇ１ 全厚が以下の数値であるｇ２ 磁気記録媒体。
ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）5 ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）乙 5-実 1 乙 5-比 1 乙 5-比 3 乙 5-実 2 乙 5-実 5 乙 5-比 8 乙 5-比 9発明 発明 発明 発明 発明 発明 発明全厚 8.76 8.73 8.76 8.76 8.75 8.75 8.76Hc×(1+0.5×SFD) 237.9 257.6 245.4 240.7 246.8 238.6 237.7Hc/Rs 2.45 2.57 2.48 2.55 2.59 2.33 2.34（原告の主張）乙５文献の実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例８及び比較例９に記載されている各発明が構成要件Ｅ， Ｈ及びＩ （１）Ｆ， （式及び式（２））を備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙５文献の実10 施例及び比較例記載の各数値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値を算出して，乙５−実１発明等を認定できると主張するが， （１）式及び式（２）は乙５文献に記載されておらず，当業者の技術常識に基づき記載された事項から導き出すこともできないから，式（１）及び式（２）は記載されているに等しい事項でもない。
15 したがって，乙５文献に記載の発明と本件発明は構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２）を満たすようにした点）で相違するから，本件発明は乙５−実１発明等に基づき新規性を欠くとはいえない。
イ 争点 −イ（乙６文献に記載の発明に基づく新規性欠如）について（被告らの主張）20 乙６文献には，ポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，当該非磁性層(下層)上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層（上層）を有し，前記ポリエチレンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上にバック層を有する磁17気記録媒体が開示されている。
そして，乙６文献の比較例２の数値に基づいて算定すると，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２３０．４，Ｈｃ／Ｒｓ＝２．５６となり，いずれも本件発明の構成要件Ｈ及びＩの式（１）及び式（２）を満たす。
5 そうすると，乙６文献記載の比較例２には以下の発明（以下「乙６−比２発明」という。 が記載されており，） 本件発明の構成要件を全て備えているから，本件発明は乙６−比２発明に基づき新規性を欠く。
ａ ポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，ｂ 非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，10 ｃ 当該非磁性層(下層)上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層（上層）を有し，ｄ 前記ポリエチレンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上にバック層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ15 ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｇ１ 全厚が６．９９μｍであるｇ２ 磁気記録媒体。
20 ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２３０．４・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝２．５６・・・（２）（原告の主張）乙６−比２発明が構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２））を備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙６文献の比較例２記載の数25 値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値を算出して，乙６−比２発明を認定できると主張するが，式（１）及び式（２）は乙６文献18に記載されておらず，当業者の技術常識に基づき記載された事項から導き出すこともできないから，記載されているに等しい事項でもない。
したがって，乙６−比２発明と本件発明は構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２）を満たすようにした点）で相違するから，本件発明は乙5 ６−比２発明に基づき新規性を欠くとはいえない。
ウ 争点 −ウ（乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について（被告らの主張）乙７文献記載の実施例１−３，実施例１−４及び比較例１−４には，いずれも，非磁性支持体の一方の面上に，無機質非磁性無機粉末と結合剤樹10 脂を含む非磁性層を有し，当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層を有する磁気記録媒体が記載されている。
また，上記実施例及び比較例記載の各数値に基づき，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値を算出した結果は以下の表のとおりである。
15 そうすると，乙７文献記載の実施例１−３，実施例１−４及び比較例１−４には以下の発明（以下，それぞれの実施例の番号に合わせて「乙７−実３発明」「乙７−実４発明」「乙７−比４発明」という。
， ， ）が記載されており，いずれも本件発明の構成要件Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ及びＧ２を備える点で，本件発明と一致し，他方，@乙７−実３発明等はいずれもバック層20 が形成されていない点（構成要件Ｄ）及びA全厚がバック層を含まないという点（構成要件Ｇ１）で，本件発明と相違する。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 無機質非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層を有し，ｃ 当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層を有25 し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・19ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｇ１ 全厚が８．９５μｍである5 ｇ２ 磁気記録媒体。
ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）が以下の数値・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓが以下の数値・・・（２）乙７−実３発明 乙７−実４発明 乙７−比４発明Hc×(1+0.5×SFD) 246.8 237.2 238.8Hc/Rs 2.49 2.42 2.35相違点@について，乙７文献には，非磁性支持体の磁性層側と反対側にバックコート層を設けてもよいことが記載されている（乙７文献の段落10 【００６２】。
）相違点Aについて，乙７文献におけるバックコート層の厚みは「０．１〜２μｍ，好ましくは０．３〜１．０μｍ」との記載（乙７文献の段落【００６２】 から，） 乙７文献記載の発明にバックコート層を設けた場合，磁気記録媒体の全厚は，乙７−実３発明は９．０５〜１０．９５μｍ（好まし15 い厚さのバックコート層を設けた場合，９．２５〜９．９５μｍ），乙７−実４発明は９．０５〜１０．９５μｍ（好ましい厚さのバックコート層を設けた場合， ２５〜９．９． ９５μｍ） 乙７−比４発明は９．， ０５〜１０．９５μｍ（好ましい厚さのバックコート層を設けた場合，９．２５〜９．９５μｍ）となり，いずれも磁気記録媒体の全厚は１２μｍ以下となる。
20 そうすると，上記各相違点は，乙７文献に記載されている発明から容易に想到できるから，本件発明は乙７−実３発明等に基づき進歩性を欠く。
（原告の主張）乙７文献記載の発明が構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２））を備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙７文献の実施例及び比較20例記載の各数値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの数値を算出しているが，式（１）及び式（２）は乙７文献に記載されておらず，当業者の技術常識に基づき記載された事項から導き出すこともできないから，式（１）及び式（２）は記載されているに等しい事項でもない。
5 したがって，乙７−実３発明等と本件発明は，被告主張の相違点@及びA（構成要件Ｄ，Ｇ１）に加え，構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２）を満たすようにした点）で相違する。
そして，当業者が，乙７文献に記載された発明の磁気記録媒体の磁気特性を， （１）式 及び式（２）の関係とすることが容易であるとはいえないから，10 本件発明は乙７−実３発明等に基づき進歩性を欠くとはいえない。
エ 争点 −エ（サポート要件違反）について（被告らの主張）式（１）及び式（２）が示す範囲と得られる効果式（１）を変形すると，ＳＦＤ≧２×（２３０×（１／Ｈｃ）−１）と15 なり，実施例及び比較例に記載されたＨｃの値から１／Ｈｃ及びＳＦＤの各数値を算出し，グラフで表記した場合，実施例（実施例２及び実施例４）と比較例（実施例１及び比較例１，２）との間には，式（１）を表す線以外にも，他の数式による直線又は曲線等を無数に描くことが可能であり，本件明細書には式（１）によって所望の効果が得られることの根拠が示さ20 れておらず，当業者は式（１）の技術的意義を認識することができない。
また，式（２）におけるＨｃとＲｓとの関係をグラフで表記した場合，実施例（実施例２及び実施例４）と比較例（比較例１）との間には， （２）式を表す線で囲まれた領域以外にも，無数に線により無数の領域を描くことが可能であり，本件明細書には，式（２）によって所望の効果が得られる25 ことの根拠が示されておらず，当業者は式（２）の技術的意義を認識することができない。
21原告は，式（１）及び式（２）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に関連付けられて設計されたものであり，式自体に技術的意義があり，当業者は，技術常識を参酌して本件明細書からその技術的意義を容易に認識することができると主張するが，当業者は本件明細書から式（１） （２）及び5 の技術的意義を理解することはできない。
実施例及び比較例の記載式（１）及び式（２）によって画される数値範囲は極めて広範囲であり，当業者において，本件明細書記載の実施例及び比較例の記載のみで， （１）式と式（２）によって画される数値範囲の全体について所望の効果が得られ10 ると認識することはできない。特に，式（１）は，Ｈｃの上限値やＳＦＤの下限値を特定してないから，ＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を２３０以上の数値にして式（１）を満たすことも可能である。そして，Ｈｃが２３０を上回る数であり，ＳＦＤが実施例の数値を大きく下回るような小さい数値をとる場合にも，式（１）によって所望の効果が得られると本件15 明細書の記載から認識することは困難である。
式（１）の上限値本件明細書には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値について，記録電流特性については実施例１に対しての差異が±２０％以内であれば実用上良好であると評価したことが記載されているところ（段落【００７20 ５】），実施例３，４の記録電流特性は１．２であり，上記差異を許容し得る上限値となっている。そして，本件明細書に，本件発明の最適記録電流は実施例１に対しての差異が１５％以内であれば実用上良好であると評価したことが記載されているところ（段落【００７５】），実施例３の最適記録電流は実施例１との差異が１６％であり本件発明の実施25 例とはならないから，当業者は，本件明細書の記載から，本件発明の式22（１）について，実施例４のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値である２４５．８が本件発明の上限値があると認識する。しかしながら，本件発明の特許請求の範囲及び本件明細書において上限値を何ら特定していないから，本件発明はサポート要件に違反する。
5 式（２）の上限値の根拠式（２）の上限値である２．６の数値である実施例は実施例３のみである。しかし， ，実施例３は本件発明の実施例ではない。なお，実施例３のＨｃ／Ｒｓを正確に算出すると２．６３であり，式（２）の上限値２．６を上回るから，この点からも実施例３は式10 （２）の上限値の根拠にはならない。そして，本件明細書において，実施例３以外に式（２）の上限値を２．６とする記載は見当たらないから，式（２）の上限値を２．６とすることの技術的意義が当業者に認識できる程度に記載されておらず，サポート要件に違反する。
記録再生装置の特定15 前記 のとおり，本件発明は，本件発明記載の記録再生装置かそれと同等の装置を用いることが必須の前提となるが，本件発明及び本件明細書には記録再生装置の特定がされていないから，サポート要件に違反する。
磁性層の膜厚20 本件明細書には，磁性層の膜厚を０．１０μｍ（実験例３），０．１５μｍ（実験例１），０．２５μｍ（実験例２），０．３０μｍ（実験例４）と変化させて作成したサンプルに関して，サーボロックの評価を行ったことが記載されている。そして，磁性層の膜厚を０．１０μｍとした実験例３のサンプルでは，磁性層が薄すぎるため充分なＣＴＬ信号25 の再生出力が得られず，サーボロックはずれを引き起したことが報告されている（段落【００８６】）。つまり，本件明細書記載の記録再生装23置を用いた場合，磁気記録媒体の磁性層の膜厚が０．１０μｍ程度であると正しく再生させることができなくなり，当該磁気記録媒体は再生不能になる。現に，膜厚が０．１０μｍ未満である被告製品について，本件明細書記載の記録再生装置を用いて記録再生を行ったところ，いずれ5 もＣＴＬ信号は検出できず，サーボロックはずれが引き起こされていることが判明した。しかし，本件発明の特許請求の範囲及び本件明細書において，膜厚は何ら特定されていないから，本件発明はサポート要件に違反する。
固定ヘッド方式の磁気記録媒体に関する記載10 前記 イの被告らの主張のとおり，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」に固定ヘッド方式の磁気記録媒体は含まれないが，仮に，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」に固定ヘッド方式の磁気記録媒体が含まれると解釈されるのであれば，本件明細書には固定ヘッド方式の磁気記録媒体の場合の課題解決手段を何ら示しておらず，サポート要件に違反する。
15 エラーレート特性本件明細書には，「安定したエラーレート特性を実現可能」（段落【０００９】）とすることも本件発明の課題であると記載されている。しかしながら，本件明細書には，どのような場合に「安定したエラーレート特性を実現」しているといえるのかについての説明が全くなく，実施例に20 挙げられた磁気記録媒体が「安定したエラーレート特性を実現」しているかを検証するための実験データもない。そのため，当業者は，本件発明の磁気記録媒体が「安定したエラーレート特性を実現」しているのかを認識することができず，サポート要件に違反する。
（原告の主張）25 式（１）及び式（２）が示す範囲と得られる効果式（１）及び式（２）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に関連付け24られて設計されたものであり，式自体に技術的意義がある。具体的には，式（１）及び式（２）は，以下の機序により，記録電流値の裕度を確保し，記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力を得ることができ，実用上消費電力を低減化できるという効果を奏するものであり，当業者は，5 その技術的意義を，技術常識を参酌して本件明細書から容易に認識することができる。
ａ 式（１）は，ヒステリシス曲線（本件明細書の【図２】）において，Ｈｃ＋０．５ΔＨの数値を２３０以上にするものである。
磁気記録媒体のＨｃは，磁化された磁性体を磁化されていない状態10 （消去状態）に戻すために必要な反対向きの外部磁場の強さを意味し，Ｈｃを大きくすることで記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記録媒体を得られる作用が奏されること，他方，Ｈｃを大きくし過ぎると，記録電流が大きくなるために実用上の消費電力が低減しにくくなることは技術常識である。
15 そこで，式（１）では，Ｈｃと併せてΔＨを大きくすることで，実用上の消費電力の増加を抑制しつつ，記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記録媒体を得られるようにする。
ΔＨ（Ｈｃ×ＳＦＤ）は，磁性層中に存在する磁性体粒子一つ一つの保磁力のばらつきの指標であり，Ｈｃ＋０．５ΔＨを２３０以上とする20 ためにはΔＨを大きくする必要があるが，これはＨｃ近傍のヒステリシス曲線の傾きを小さく（緩く）することを意味する。ΔＨが大きくなってヒステリシス曲線のＨｃの近傍の傾きを小さく（緩く）すると，磁性体粒子自体のＨｃのばらつきが大きくなり，磁気記録媒体のＨｃより大きなＨｃを有する磁性体粒子が多く存在するようになる。その結果，隣25 接する記録領域からの漏れ磁界が加わっても（記録磁界が大きくなっても），上記磁気記録媒体のＨｃよりも大きなＨｃを有する磁性体粒子の25磁化反転が起きないので，一旦記録がされれば当該記録が消えにくくなる。
なお，式（１）は，Ｈｃの上限値やＳＦＤの下限値を特定してないから，ＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を２３０以上の数値にして式（１）5 を満たすことも可能である。しかしながら，Ｈｃのみを大きくすると，記録電流設定マージンが広くなる（電流の裕度が改善する）というメリットはあるものの，消費電力が増加するというデメリットがあるから，本件発明は，ＨｃのみならずＳＦＤも制御するという式（１）を採用して，Ｈｃ及び０．５ΔＨの合算値を２３０以上とするという手法で記録10 電流値の裕度の改善を図るものであり，当業者は，実施例２及び実施例４の記載に接することで，ＳＦＤが実施例の数値を大きく下回った場合でも，ＨｃとＳＦＤとで式（１）が満たされれば，Ｈｃによる電流の裕度改善作用とＳＦＤ（ΔＨ）による電流の裕度改善作用が同時に奏されることを理解することできる。また，磁気記録媒体のＳＦＤは０．１〜15 ０．６程度の値をとるのが技術常識であるから（甲３５の段落【００７６】，甲３６文献の段落【００１７】及び乙６の【表２】，当業者は，技）術常識に基づき，ＳＦＤを０．１に近い０．０８３程度の値をとる磁気記録媒体を想定することができる。
ｂ 式（２）は，ヒステリシス曲線の横軸の交点であるＨｃと縦軸の交点20 である残留磁束密度Ｂｒ及び飽和磁束密度Ｂｍとの比率（Ｒｓ＝Ｂｒ/Ｂｍ）との比率を２．２から２．６の範囲にするものである。Ｈｃを大きくし過ぎないことは実用上消費電力の低減に寄与するものである一方，安定した記録を確保し，再生出力を向上させるためにはＨｃを一定程度は大きくする必要がある。他方，Ｒｓの分子であるＢｒは，外部磁25 場をゼロとした際に磁気記録媒体に残留する磁束密度ゆえ，Ｂｒが大きい程（換言すればＲｓが大きい程），外部磁場ゼロになっても磁気記録26が消失しないことを意味し，再生出力が向上することとなる。また，ヒステリシス曲線から明らかなとおり，Ｒｓを大きくすることは消費電力の低減にも寄与するものである。
式（２）のＨｃを大きくし過ぎると，最適記録電流が大きくなるため5 に実用上の消費電力が低減しにくくなる一方， （＝Ｂｒ／Ｂｍ）Ｒｓ は，再生出力の向上及び消費電力の低減の観点から大きい方が好ましい。こうした関係から，Ｈｃ／Ｒｓは上限値２．６を有することになる。他方，安定した記録を確保すること，再生出力を向上させること及び式（１）における，記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記録媒体が得られ10 ることから式（２）の分子であるＨｃは大きいほうが望ましい。これが，Ｈｃ／Ｒｓにおいて下限を定める技術的意義である。そして，本件発明においてはその下限値を２．２とする。
このように，式（２）の上・下限値のいずれにおいても，Ｒｓを大きくすることで，再生出力を確保し，消費電力の軽減に寄与できる。
15 他方，式（２）の分子のＨｃは，実用上の消費電力の低減の観点からはあまり大きくし過ぎないことが好ましいので，式（２）に上限値が設けられることになる。もっとも，式（２）のＨｃは，安定した記録を確保し，再生出力を向上させ，式（１）における記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記録媒体を得るために，一定以上の大きさである必要20 があるので，式（２）に下限値が設けられることになる。そして，Ｈｃにこうした上・下限値を設けることで，再生出力を確保しつつも，実用上の消費電力の低減が図られることになる。
実施例及び比較例の記載式（１）及び式（２）の技術的意義は，以下のとおり，本件明細書の実25 施例及び比較例の記載から裏付けられる。
ａ まず，式（１）について，実施例２は，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）27が２３０．１となっているところ，リファレンス（実施例１。最適記録電流：１００％，記録電流特性：１）と比較して，最適記録電流が１０７％と＋１５％以内の増加に抑えられつつも，記録電流特性は１．０５となり記録電流の裕度が５％広がっている。また，実施例４は，Ｈｃ×5 （１＋０．５×ＳＦＤ）が２４５．８となっているところ，実施例１と比較して，最適記録電流が１０４％と＋１５％以内の増加に抑えられつつも，記録電流特性は１．２となり記録電流の裕度が２０％広がっている。他方，比較例２は，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）が２１１．８となっているところ，実施例１と比較して，最適記録電流が８８％と−１10 ５％以内の減少に抑えられつつも，記録電流特性は０．７となり記録電流値の裕度（記録電流設定マージン）が３０％狭くなっている。また，実施例２と実施例４のＨｃ，ＳＦＤ（ΔＨ）及び式（１）の３つの数値を比較すると， （１）式 の数値の差１５． （＝実施例４の数値２４５．７８−実施例２の数値２３０．１）は，ＨｃのみならずＳＦＤ（ΔＨ）を15 大きくすることで実現していること，Ｈｃ及びＳＦＤ（ΔＨ）の数値を利用して式（１）の値を大きくすることによって，最適記録電流の増加はほとんど変わることなく，記録電流特性（記録電流値の裕度）は１５％（＝（実施例４の数値１．２−実施例２の数値１．０５）×１００％）も広くできることが分かる。
20 ｂ 式（２）について，実施例４と比較例１を比較すると，比較例１はＲｓが小さい分，式（２）の値は２．８となり上限値（２．６）を超えている。他方，実施例４の式（２）の値は２．５であり，式（２）の上限値以下の値である。また，式（２）の分母のＲｓは，比較例１は７５％であり，実施例４は８５％となっている。このため，理論上は，実施例25 ４の磁気記録媒体の方が，再生出力が確保され，消費電力は低減される傾向になり，他方，式（２）の分子のＨｃは同一の値なので，Ｈｃによ28る磁気記録媒体に対する記録の安定化，再生出力の向上及び一旦記録された記録の消去のされにくさの程度において，理論上，実施例４と比較例１との間に差はないことになる。そして，実験結果をみると，再生出力は比較例１（０．８ｄＢ）と比べて実施例４（２ｄＢ）の方が向上し5 ている。また，最適記録電流値の増加（実用上の消費電力の低減への寄与）の程度も，比較例１（１２４％）と比べて，実施例４（１０４％）の方が向上しているから，上記理論と実験結果とが一致していることを意味する。さらに，実施例４と比較例２を比較すると，比較例２はＨｃが小さい分，式（２）の値は２．２（下限値）となっている。他方，実10 施例４の式（２）の値は２．５であり，式（２）の範囲内の値である。
また，式（２）の分子のＨｃは，比較例２は１９０（ｋＡ／ｍ）であり，実施例４は２１０（ｋＡ／ｍ）となっている。このため，理論上，実施例４の磁気記録媒体の方が，消費電力の低減の観点からは不利であるが，Ｈｃによる磁気記録媒体に対する記録の安定化，再生出力の向上及び一15 旦記録された記録の消去のされにくさは確保され，他方，式（２）の分母のＲｓは同一の値なので，理論上，Ｒｓによる磁気記録媒体に対する再生出力の確保及び消費電力の低減への寄与について，実施例４と比較例２との間に差はないことになる。そして，実験結果をみると，再生出力は，比較例２（０．８ｄＢ）と比べて，実施例４（２ｄＢ）の方が向20 上している。また，最適記録電流値については，比較例２（８８％）よりも実施例４（１０４％）の方が大きくなっているが，これはＨｃの値による寄与である。もっとも，実施例４の最適記録電流値は，実用上省電力化の抑制に寄与するものであり，リファレンス（実施例１）に対して＋１５％の許容の範囲内であり，上記理論と実験結果とが一致してい25 ることを意味する。
式（１）の上限値29被告らは，式（１）には上限値が存在する旨主張するが，前記 の原告の主張のとおり，式（１）には上限値が存在せず，被告らの主張は失当である。
式（２）の上限値の根拠5 式（２）の上限値を２．６とする根拠は本件明細書の段落【００１３】【００１７】ないし【００２０】の記載にされているとおりであり，実施例３を根拠とするものではない。もっとも，被告らの実験によれば，実施例３のＨｃ／Ｒｓは２．６３であり，最適記録電流は実施例１の最適記録電流の±１５％をわずかに超える＋１６％という内容である10 とのことからすれば，実施例３は，上限値を２．６に設定することを裏付ける実験結果となっている。さらに，実施例４ではＨｃ／Ｒｓの値が２．５であり電磁変換特性が規定の範囲内となっている一方で，Ｈｃ／Ｒｓの値が２．８である比較例１では電磁変換特性が規定の範囲外となっているから，式（２）の上限値を２．６とすることはこれらの実験結15 果からも裏付けられる。
記録再生装置の特定被告らは，本件発明においては記録再生装置の特定が必須であると主張するが， のとおり，本件発明においては記録再生装置を特定する必要性はなく，被告らの主張は失当である。
20 磁性層の膜厚被告らは，本件発明においては磁性層の膜厚の特定が必須であると主張するが， アの原告の主張のとおり，本件発明においては磁性層の膜厚を特定する必要性はなく，被告らの主張は失当である。
固定ヘッド方式の磁気記録媒体に関する記載25 前記 イの原告の主張のとおり，本件発明の特許請求の範囲や本件明細書に磁気ヘッドの方式に関する限定はなく，本件発明は磁気ヘッドの方式30に関わらず技術的意義を有するから，本件明細書に固定ヘッド方式の磁気記録媒体の場合の課題解決手段を記載していないことはサポート要件に違反しない。
エラーレート特性5 本件明細書の「安定したエラーレート特性を実現可能」（段落【０００９】 とは，） 上記再生の際に，磁気記録を正確に読み出す特性が安定して実現できることをいうところ，本件明細書の記載（段落【００７８】【００７９】【００８２】）から，当業者は，式（１）を２３０以上とすることで，記録電流特性の値を大きくすること（極めて広い記録電流範囲において高10 い再生出力が得られるようになること）で，良好なエラーレート特性が発揮されることを認識することができるといえ，サポート要件に違反しない。
オ 争点 −オ（実施可能要件）について（被告らの主張）前記 の被告らの主張のとおり，オーバーカレント特性は，磁気記録媒15 体の磁気特性のみでは定まらず，使用される具体的な記録再生装置の仕様，特に磁気記録ヘッドの仕様と磁気記録ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間の距離等に強く依存する。
しかしながら，本件明細書には，記録再生装置で使用される磁気記録ヘッド及び磁気再生ヘッドの仕様，記録回路の仕様，磁気記録ヘッドないし磁気20 再生ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間の距離等が記載されておらず，実際に，被告製品について，本件明細書記載の記録再生装置を用いて記録再生を試みたところ，いずれについても実用的な記録再生が不可能であった。
したがって，当業者が本件発明を実施しようとした場合，どのように実施するかを発見するために，当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑25 高度な実験等を行う必要があるから，本件発明について，実施可能要件の違反がある。
31（原告の主張）本件明細書には，本件発明の磁気記録媒体の製造工程及び実施例・比較例が具体的に記載されており（段落【００２１】〜【００６９】，当業者は当）該記載に基づいて，記録電流値の裕度及び充分な再生出力を得るための最適5 記録電流を有する磁気記録媒体を製造して使用することができるから，本件発明について，実施可能要件に違反するとはいえない。
争点 （訂正の再抗弁の成否）についてア 争点 −ア（本件訂正請求の適法性）について（原告の主張）10 訂正事項１−１のうちＨｃを２１０以上とする点は，実施例及び比較例に記載された実験データに基づき，実施例及び比較例において好ましいとされるＨｃを下限値に特定するものであり，訂正事項１−１のうち，Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕を２２１以下とする点は，明細書の実施例及び比較例のうちの最も大きいＲｓである８５％（【表１】参照）を，式（２）から導15 き出されるＨｃ≦２．６×Ｒｓに代入して算出された値である（２２１＝２．６×８５）。
訂正事項１−２は，請求項１に係る「磁気記録媒体」から「非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体」を除く訂正である。本件明細書記載の発明は式（１）及び式（２）を満たすことを必須条件とす20 るものであるが，「非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体」を除く趣旨は，本件明細書記載の技術思想とは全く異なるが，Ｈｃ，ＳＦＤ及びＲｓを計算するとたまたま式（１）及び式（２）の数値範囲に含まれる乙５文献や乙６文献記載の磁気記録媒体との重複を排除することにあり，請求項１において除かれる部分と除かれた後の部分と25 の間で発明の作用効果に差は生じていない。
訂正事項１−３は，式（２）の下限値を明細書の実施例２及び実施例４32に基づき，２．５に訂正するものであり，式（２）をより好ましい範囲に限定するものである。
以上のとおり，訂正事項１は，本件明細書に記載された実施例に基づくものであるなど，訂正要件違反はなく，また，訂正事項２は，訂正事項１5 の訂正に伴って特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるから訂正要件違反はない。
（被告らの主張）訂正事項１−１について，Ｈｃの上限値を２２１とする根拠は本件明細書に記載されていない。
10 原告は，Ｈｃの上限値２２１は，実施例及び比較例のうちの最も大きいＲｓである８５％（実施例４）を式（２）から導き出される「Ｈｃ≦２．６×Ｒｓ」に代入して算出できると主張するが，訂正後の特許請求の範囲（式（２））を根拠に明細書に記載のない新たなＨｃの値を作り出すことは新たな技術的事項を導入するものである。しかも，訂正事項１−１は，15 本件訂正発明にとって唯一の実施例であり，単一の測定値を示す実施例４（Ｈｃ：２１０，Ｒｓ：８５）のＨｃの値を下限値として用いながら，その実施例４からＲｓの値のみを切り出し，訂正後の特許請求の範囲（式（２））に代入して得られたＨｃの値を上限値とするものであって，唯一の実施例４を根拠に幅を持ったＨｃの値に特許請求の範囲を拡張しよう20 とするものであり，この点からも，新たな技術的事項を導入するものであるといえる。
原告は，比較例（比較例２）のＲｓの数値８５をも根拠としているが，特許請求の範囲外である比較例の数値を根拠に訂正後の特許請求の範囲を画そうとすることは，新たな技術的事項を導入するものである。しかも，25 比較例２（Ｒｓ：８５）は，式（２）ではなく，式（１）の臨界値を求めるためのサンプルとして本件明細書（段落【００８２】 ）に挙げられてい33るにすぎない。
さらに，原告がＨｃの上限値２２１を算出するための根拠とする，Ｈｃ≦２．６×Ｒｓの数値２．６は，前記 のとおり，本件明細書の根拠を欠いた値であり，この点からも，新たな技術的事項を5 導入するものであるといえる。
訂正事項１−２について，当該訂正事項のように除く形式による訂正が適法であるためには先願発明ないしは引用発明の内容を除いた構成において発明特定の効果を奏するものと認められることが必要である。しかしながら，訂正事項１−３によって訂正された特許請求の範囲に係る構成の10 全ての範囲において発明の効果を奏するとは認められないから，訂正事項１−２は，本件発明について新たな技術的事項を付加するものである。
訂正事項２は，訂正事項１−１及び１−２を含む訂正事項１の訂正に伴って，発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるものであるが，上記のとおり，訂正事項１−１及び１−３は訂正要件を満たさ15 ないから，訂正事項１の訂正に伴って，発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載と整合させる訂正事項２も本件明細書の範囲内の訂正ではない。
イ −１（本件訂正による無効理由の解消の有無−乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如）について20 （原告の主張）本件訂正によって「上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」旨の訂正がなされた（訂正事項１−２）。乙５文献の実施例・比較例に記載された磁気記録媒体の下層非磁性層の厚さは１．５μｍであるから，本件訂正によって，乙５文献，乙６文献の実施例・比較例に25 記載された全ての磁気記録媒体が除かれたことになる。したがって，本件訂正により乙５−実１発明等に基づく新規性欠如の無効理由は解消した。
34被告らは，後記被告らの主張のとおり，乙５文献には，実施例２ないし７に基づく乙５−実２〜７発明，乙５−実２〜７’発明が記載されていて，乙５−実２〜７’発明は本件訂正発明の構成要件を全て備え，本件訂正により新規性欠如の無効理由は解消していない旨主張する。
5 しかしながら，乙５文献の実施例２ないし７の実験結果からＨｃ，ＳＱ及びＳＦＤについて被告らが主張するような連続した範囲の数値の発明を認定することはできない。また，乙５文献は特許請求の範囲や明細書の記載に不自然な点や矛盾点があり，実施例２ないし７の実験結果は架空の数値であると疑われることから，乙５文献から乙５−実２〜７発明を認定10 することはできない。
また，乙５文献には非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下とすることは記載されていないし，これらが技術常識を参酌して記載されているに等しい事項であるともいえないから，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超15 ４．０μｍ以下とする乙５−実２〜７’発明を認定することはできない。
被告らは，後記被告らの主張のとおり，乙５文献には，実施例５に基づく乙５−実５ａ’発明が開示されており，乙５−実５ａ’発明は本件訂正発明の構成要件を全て備え，本件訂正により新規性欠如の無効理由は解消していない旨主張する。
20 しかしながら，前記 のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下とすることは記載されておらず，これらが技術常識を参酌して記載されているに等しい事項であるともいえないから，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下とする乙５−実５ａ’発明を認定25 することはできない。
（被告らの主張）35乙５文献の実施例２〜７には，以下の発明（以下「乙５−実２〜７発明」という。）が開示されている。
ａ 非磁性支持体の一方の面上に，ｂ 非磁性粉末であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を介し5 て，ｃ 強磁性粉末を結合剤中に分散してなる磁性層が設けられ，ｄ 前記非磁性支持体の前記磁性層側と反対側に，厚みが通常０．１〜２μｍ（実施例ではカレンダ処理前において，０．５μｍ）のバックコート層が設けられ，10 ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２５８０〜２９４０Ｏｅ（２０15 ３．８〜２３２．３ｋＡ／ｍ）であり，ｇ１ 総厚さが通常４．５〜８．５μｍであるｇ２ 磁気記録媒体。
ｇ３ ただし，非磁性層の厚みは１．５μｍである。
ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）≒２３６．４〜２７４．１・・・20 （１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ≒２．４３〜２．９０・・・（２）そして，乙５文献には，非磁性層（下層）の厚みが，通常０．２〜４．０μｍであり，好ましくは０．３〜２．０μｍであること，さらに好ましくは０．５〜１．５μｍ（０．８〜２．０μｍ）であることが記25 載されている（乙５文献の段落【０００５】【０００６】【００４３】【００５３】【００５４】【００５９】。そうすると，乙５文献には，乙５−）36実２〜７発明の構成ｇ３について，非磁性層の厚みが０．２〜４．０μｍ，０．３〜２．０μｍ，０．５〜１．５μｍ又は０．８〜２．０μｍである発明（以下「乙５−実２〜７’発明」という。）が開示されているといえる。そして，この非磁性層の厚みは，「０．２μｍ以上１．１μｍ5 未満」「２．０μｍ超４．０μｍ以下」において本件構成要件Ｇ３と重，なるから，乙５−実２〜７’発明は，本件訂正発明の構成要件を全て備える。したがって，本件訂正発明は乙５−実２〜７’発明に基づき新規性を欠く。
乙５の実施例５には，前記 アの被告らの主張のとおり，乙５−実５10 発明が開示されており，また，実施例５のＨｃは２１０〔ｋＡ／ｍ〕であるから，乙５の実施例５には，以下の発明（以下「乙５−実５ａ発明」という。）が開示されている。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 非磁性粉体であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，15 ｃ 当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を有し，ｄ 前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ20 ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１０であり，ｇ１ 全厚が８．７５μｍである25 ｇ２ 磁気記録媒体。
ｇ３ 非磁性層の厚みが１．５μｍである37ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２４６．８・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝２．５９・・・（２）そして，前記 のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みについて，０．２〜４．０μｍ，０．３〜２．０μｍ，０．５〜１．５μｍまたは5 ０．８〜２．０μｍの数値が記載されているから，乙５文献には，乙５−実５ａ発明の構成ｇ３について，非磁性層の厚みが０．２〜４．０μｍ，０．３〜２．０μｍ，０．５〜１．５μｍ又は０．８〜２．０μｍである発明（以下「乙５−実５ａ’発明」という。）が開示されている。
そして，この非磁性層の厚みは本件構成要件Ｇ３と重なるから，乙５−10 実５ａ’発明は，本件訂正発明の構成要件を全て備える。したがって，本件訂正発明は乙５−実５ａ’発明に基づき新規性を欠く。
以上のとおり，本件訂正によっても，乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如の無効理由は解消していない。
ウ （本件訂正による無効理由の解消の有無−サポート要件違15 反）について（原告の主張）前記 エの原告の主張のとおり，本件発明はサポート要件に違反しておらず，本件発明よりも特許請求の範囲を限定するものである本件訂正発明にもサポート要件違反はない。
20 （被告らの主張）前記 エの被告らの主張のとおり，本件発明はサポート要件違反の無効理由があり，本件訂正についても，サポート要件違反の無効理由は解消されていない。
エ 争点 −ウ（被告製品１，２，５及び６の本件訂正発明の技術的範囲への25 属否）について（原告の主張）38前記 の原告の主張のとおり，被告製品１，２，５及び６は本件発明の構成要件を全て充足し，また，本件訂正発明の構成要件も全て充足するから，被告製品１，２，５及び６は本件訂正発明の技術的範囲に属する。
（被告らの主張）5 前記 の被告らの主張とおり，被告製品は本件発明の構成要件Ｃ，Ｇ２及びＨを充足しないから，被告製品１，２，５及び６は本件訂正発明の技術的範囲に属しない。
争点 （本件訂正発明と特許法123条1項所定の事由の有無）ア 争点 −ア（乙５文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について10 （被告らの主張）前記 の被告らの主張 のとおり，乙５文献に開示されている乙５−実２〜７発明は，本件訂正発明の構成要件Ｇ３を除く，本件訂正発明の構成要件を全て備える点で，本件訂正発明と一致し，本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件15 Ｇ３）のに対し，乙５−実２〜７発明では，非磁性層の厚みが１．５μｍである点で相違する。
上記相違点について，前記 イの被告らの主張 のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みについて，０．２〜４．０μｍ，０．３〜２．０μｍ，０．５〜１．５μｍ又は０．８〜２．０μｍの値が開示されており，当業20 者であれば，乙５−実２〜７発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを上記範囲内において本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは，乙５文献の記載自体から容易に想到し得る。
したがって，乙５−実２〜７発明に基づき，当業者は本件訂正発明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は乙５−実２〜７発明に基づき進歩性25 を欠く。
前記39実５ａ発明は，本件訂正発明の構成要件Ｇ３を除く，本件訂正発明の構成要件を全て備える点で，本件訂正発明と一致し，本件訂正発明は「ただし，上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）のに対し，乙５−実５ａ発明では，非磁性層の厚みが１．５μ5 ｍである点で相違する。
上記相違点について，前記イ 乙５文献には，非磁性層の厚みについて，０．２〜４．０μｍ，０．３〜２．０μｍ，０．５〜１．５μｍ又は０．８〜２．０μｍの値が開示されており，当業者であれば，乙５−実５ａ発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを，上記範囲10 内において本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは，乙５文献の記載自体から容易に想到し得る。
したがって，乙５文献に記載された乙５−実５ａ発明に基づき，当業者は本件訂正発明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は乙５−実５ａ発明に基づき進歩性を欠く。
15 原告は，乙５文献に記載された換算法は，同文献記載の換算法に基づいて算出されているところ，当該換算法は技術常識とは異なる不正確な換算方法であり，当業者が採用する方法ではないなどと主張するが，乙５文献に記載された換算法は技術常識と異なるものではない。
また，仮に原告の主張するとおり，乙５に記載された換算方法を発明の20 認定に用いずに，原告の主張する換算式を用いるとすると，乙５文献の実施例５から以下の発明（以下「乙５−実５ｂ発明」という。）を認定することができる。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 非磁性粉体であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有25 し，ｃ 当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）40を有し，ｄ 前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・5 ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１０であり，ｇ１ 全厚が８．７５μｍである10 ｇ２ 磁気記録媒体。
ｇ３ 非磁性層の厚みが１．５μｍであるｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２４９．１・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝２．６２・・・（２）本件訂正発明と乙５−実５ｂ発明とを対比すると，@構成要件Ｇ３が異15 なるほか，A本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６」であるのに対し，乙５−実５ｂ発明のＨｃは２１２ｋＡ／ｍであり，Ｈｃ／Ｒｓは２．６２である点で相違する。
相違点 乙５文献の記載自体から容易に想到し得る。
20 相違点Aについて，乙５文献に記載された発明の目的は良好なエラーレートと耐久性を有する磁気記録媒体の提供であり，これらの記載に接した当業者は，磁気記録媒体をＨｃ１９７．５〜２７６．５ｋＡ／ｍの範囲内にＲｓを０．７５〜０．８０の範囲内に調整すれば当該目的をよりよく達成できると理解する（乙５文献の【０００４】〜【０００６】。そうする）25 と，当業者は，乙５文献に記載された実施例５の磁気記録媒体のＨｃ及びＲｓの値を前記範囲内で適宜調整しようとする。
41したがって，乙５−実５ｂ発明のＨｃを乙５文献に記載された発明の目的を達成できる範囲内（例えば，Ｈｃ２１０ｋＡ／ｍ）に変更することは当業者が適宜調整する事項の範囲内であり，設計事項といえる。そして，このようにＨｃを２１０ｋＡ／ｍに変更した磁気記録媒体におけるＨｃ5 ／Ｒｓの値は２．５９であり，式（２）の条件を満たす。
したがって，乙５文献記載の換算式ではなく，原告が主張する換算式を用いたとしても，本件訂正発明は，当該換算式に基づいて認定される乙５−実５ｂ発明に基づき進歩性を欠く。
乙５文献の実施例９には，以下の発明（以下「乙５−実９発明」という。）10 が記載されている。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 非磁性粉体であるα−酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，ｃ 当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を有し，15 ｄ 前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕と20 が，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１９であり，ｇ１ 全厚が８．７５μｍであるｇ２ 磁気記録媒体。
ｇ３ 上記非磁性層の厚みが１．５μｍである25 ｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２５９．３・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝２．８４・・・（２）42本件訂正発明と乙５−実９発明とは，@本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）ものであるのに対し，乙５−実９発明は非磁性層の厚みが１．５μｍである点，A本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」であるのに5 対し，乙５−実９発明のＨｃ／Ｒｓは２．８４である点で相違し，他の構成要件は一致する。
相違点@について，前記 の被告らの主張のとおり，乙５文献の記載から，当業者であれば，乙５−実９発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは乙５文献の記載自10 体から容易に想到し得る。
また，相違点Aについて，式（２）で求められる特性に基づいて磁気記録媒体の磁気特性を調整することは当業者の技術常識であること，また，乙５文献の記載（【請求項１】及び段落【０００４】【０００６】）から，当業者が，乙５−実９発明の磁気記録媒体の磁気特性を，本件訂正発明の目15 的を達成するために肝要とされるＲｓ０．７〜０．８５の範囲に調整することは当業者が容易に想到し得るといえ，この調整によって製造される磁気記録媒体のＨｃ／Ｒｓの数値は式（２）の条件を満たすから，当業者は乙５−実９発明のＨｃ／Ｒｓを式（２）の範囲（２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６）に変更することは容易に相当し得る。
20 したがって，本件訂正発明は，乙５−９発明に基づき進歩性を欠く。
（原告の主張）前記 の原告の主張 のとおり，乙５文献に乙５−実２〜７発明が開示されているとはいえない。
仮に，乙５文献に乙５−実２〜７発明が開示されているとしても，乙５25 −実２〜７発明と本件訂正発明は以下の点で相違する。
@ 本件訂正発明は非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体43を除いているのに対し，乙５−実２〜７発明の非磁性層の厚みはカレンダ処理前で１．５μｍであるので，カレンダ処理での厚さの減少を考慮しても，非磁性層の厚みが相違する点A 本件訂正発明においては，Ｈｃを２１０〜２２１ｋＡ／ｍとするのに5 対し，乙５−実２〜７発明のＨｃは２０５．３〜２３４ｋＡ／ｍである点（選択的関係になっていること）B 本件訂正発明においては「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６」であるのに対し，乙５−実２〜７発明のＨｃ／Ｒｓは２．４３〜２．９０程度となる点（選択的関係になっていること）10 そして，当事者間で争いがない相違点@について，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下の数値範囲とすることは記載されておらず，乙５文献に基づき相違点@を解消することはできない。
被告らは，乙５文献の実施例５には乙５−実５ａ発明が開示されており，15 本件訂正発明とは構成要件Ｇ３の点で相違すると主張する。
前記 の原告の主張のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下の数値範囲とすることは記載されておらず，乙５文献の記載に基づき上記相違点を解消することはできない。
20 また，乙５文献の実施例５のＨｃ／Ｒｓの２．５９（構成ｉ）は，乙５文献記載の換算法に基づいて算出されているところ，当該換算方法は技術常識とは異なる不正確な換算方法であり，当業者は乙５文献の記載に限られた特殊な換算法であると認識する。そして，当業者は，本件訂正発明と乙５文献の記載とを対比する際には，本件訂正発明を特定し，これと乙５25 文献に記載された発明を対比する必要があるので，技術常識に従った換算方法を使用する。
44したがって，乙５文献から乙５−実５ａ発明を正確に認定することはできず，乙５−実５ａ発明と本件訂正発明を対比すると，被告らが主張する相違点（構成要件Ｇ３）のほかに，構成要件Ｉ’についても相違し，乙５文献の実施例５に記載された発明から本件訂正発明が容易に想到するこ5 とはできない。
被告らは，乙５に記載された換算方法ではなくても，乙５文献の実施例５から乙５−実５ｂ発明を認定することができ，乙５−実５ｂ発明のＨｃを乙５文献に記載された発明の目的を達成できる数値範囲内（Ｈｃ１９７．５〜２７６．５ｋＡ／ｍ）の２１０ｋＡ／ｍに変更することは当業者が適10 宜調整する事項の範囲内であると主張する。
しかしながら，磁気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを制御できず，Ｈｃを変化させるとＲｓ及びＳＦＤも同時に変化する。さらには，Ｈｃの変化の際，Ｒｓ及びＳＦＤは，このＨｃの変化と相関することなく変化するから，式（１）及び式（２）を満たす磁気記録媒体を設計するため，Ｈ15 ｃ，Ｒｓ及びＳＦＤの数値を制御する必要があるが，乙５文献には式（１）及び式（２）の記載も示唆もなく，式（１）及び式（２）を満たすためにＨｃ，Ｒｓ及びＳＦＤの数値を制御する動機付けは存在しない。
被告らは，乙５文献の実施例９には乙５−実９発明が開示されており，本件訂正発明とは@構成要件Ｇ３及びA構成要件Ｉ’の点で相違すると主20 張する。
相違点@について，前記 の原告の主張のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下の数値範囲とすることは記載されておらず，相違点を解消することはできない。
25 相違点Aについて，被告らは，Ｒｓを０．７〜０．８５の範囲に調整することは当業者が容易に想到し得えると主張するが，磁気記録媒体の設計45においてＲｓの数値のみを意図して変化させることはできない。
イ 争点 −イ（乙６文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について（被告らの主張）乙６文献の実施例４及び実施例５には，それぞれ，以下の発明（以下，5 実施例４記載の発明を「乙６−実４発明」 実施例５記載の発明を， 「乙６−実５発明」という。）が開示されている。
ａ ポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，ｂ 非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，ｃ 当該非磁性層(下層)上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層10 （上層）を有し，ｄ 前記ポリエチレンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上にバック層を有し，ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，15 ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が以下の数値であり，ｇ１ 全厚が６．５４μｍであるｇ２ 磁気記録媒体。
20 ｇ３ 上記非磁性層の厚みが１．２μｍであるｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）乙６−実４発明 乙６−実５発明Hc 187 185Hc×(1+0.5×SFD) 205.8 205.9Hc/Rs 2.15 2.13本件訂正発明と乙６−実４発明及び乙６−実５発明は以下の点で相違46し，他の構成要件は一致する。
@ 本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）ものであるのに対し，乙６−実４発明及び乙６−実５発明は非磁性層の厚みが１．２μｍである点5 A 本件訂正発明はＨｃが２１０〜２２１（構成要件Ｆ２）であるのに対し，乙６−実４発明のＨｃは１８７，乙６−実５発明のＨｃは１８５ｋＡ／ｍである点B 本件訂正発明は「２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）」（構成要件Ｈ）であるのに対し，乙６−実４発明は２０５．８，乙６−10 実５発明は２０５．９である点C 本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）（構成要件」Ｉ’）であるのに対し，乙６−実４発明のＨｃ／Ｒｓは２．１５，乙６−実５発明のＨｃ／Ｒｓは２．１３である点相違点@について，非磁性支持体の上に非磁性層および磁性層が形成さ15 れた磁気記録媒体において，非磁性層の厚みを０．５〜１０μｍ，１〜４μｍ，０．５〜３μｍ等に調整することは本件特許出願時において技術常識ないし周知技術といえる。したがって，乙６−実４発明及び乙６−実６発明において，非磁性層の厚みを１．２μｍから調整し，上記範囲内において，本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは容易に想到し20 得る。
相違点AないしCについて，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課題を解決するための手段として記載された数値の２１９ｋＡ／ｍに調整することは当業者が容易に想到することであり，このような調整によって製造される磁気記録媒体のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値はい25 ずれも本件訂正発明に規定する範囲である。
したがって，乙６文献に記載された発明に基づき，当業者は本件訂正発47明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は進歩性を欠く。
（原告の主張）本件訂正発明と乙６−実４発明及び乙６−実５発明の相違点A〜Cについて，被告らは，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課題を解決するための手段5 として記載された数値である２１９ｋＡ／ｍに調整することは当業者が容易に想到することができると主張するが，式（１）及び式（２）を満たすようにＨｃの数値を選択すること自体が後知恵を持ち込むものであること，磁気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを意図的に変化させることはできず，ＳＦＤ（＝ΔＨ／Ｈｃ）やＲｓも同時かつ複雑に変化することから，いすれ10 も当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
ウ 争点 −ウ（乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について（被告らの主張）乙７文献の実施例１−１及び１−２には，それぞれ，以下の発明（以下，実施例１−１記載の発明を「乙７−実１発明」 実施例１−２記載の発，15 明を「乙７−実２発明」という。）が開示されている。
ａ 非磁性支持体の一方の面上にｂ 無機質非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層を有し，ｃ 当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層を有し，20 ｅ 保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，ｆ１ 上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，ｆ２ 上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が以下の数値であり，25 ｇ１ 全厚が８．９５μｍであるｇ２ 磁気記録媒体。
48ｇ３ 上記非磁性層の厚みが１．８μｍであるｈ Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）ｉ Ｈｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）乙７−実１発明 乙７−実２発明Hc 164 181Hc×(1+0.5×SFD) 200.9 220.5Hc/Rs 1.98 2.15本件訂正発明と乙７−実１発明及び乙７−実２発明とを対比すると，以5 下の相違点があり，他の構成要件は一致する。
@ 本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１〜２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）ものであるのに対し，乙７−実１発明及び乙７−実２発明は非磁性層の厚みが１．８μｍである点A 本件訂正発明はＨｃが２１０〜２２１（構成要件Ｆ２）であるのに対10 し，乙７−実１発明はＨｃが１６４，乙７−実２発明はＨｃが１８１ｋＡ／ｍである点B 本件訂正発明は「２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）」（構成要件Ｈ）であるのに対し，乙７−実１発明のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）は２００．９，乙７−実２発明のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦ15 Ｄ）は２２０．５である点C 本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）（構成要件」Ｉ’）であるのに対し，乙７−実１発明のＨｃ／Ｒｓは１．９８，乙７−実２発明のＨｃ／Ｒｓは１２．１５である点D 本件訂正発明はバック層が形成されており，バック層を含めた全厚が20 １２μｍであるのに対し（構成要件Ｄ，Ｇ１） 乙７−実１発明及び乙７，−実２発明ではバック層が形成されていない全厚が８．９５μｍである点相違点@について，乙７文献には，非磁性層の好ましい厚さが１〜４μ49ｍであることが開示されているから（段落【００６２】，乙７−実１発明）及び乙７−実２発明における非磁性層の厚さ１．８μｍを上記範囲内において本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは容易に想到し得る。
5 相違点AないしCについて，磁気記録媒体の磁気特性を調整することは当業者の技術常識であること，また，乙７文献には，Ｈｃが２０００〜３０００Ｏｅ，好ましくは２１００〜２８００Ｏｅとの記載（段落【００１５】【００３１】）との記載があるから，当業者であれば，乙７文献記載の磁気記録媒体を好ましいＨｃの範囲内に調整することは容易である。した10 がって，乙７−実１発明及び乙７−実２発明を，乙７文献の上記記載に基づきＨｃを好ましい範囲に調整することは当業者が容易に想到し得るといえ，この調整によって製造される磁気記録媒体のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの数値は本件訂正発明の構成要件Ｈ及びＩ’の範囲内である。このように，当業者は，相違点Aに係る本件訂正発明の構成15 を容易に想到でき，また，これによって相違点B及びCに係る本件訂正発明の構成を容易に想到できる。
相違点Dについて，乙７文献には，非磁性支持体の磁性層側と反対側にバックコート層を設けてもよいこと，バックコート層の厚みは「０．１〜２μｍ，好ましくは０．３〜１．０μｍ」である旨記載されているから（段20 落【００６２】，乙７文献の上記記載に基づいて，乙７−実１発明及び乙）７−実２発明の磁気記録媒体に， １〜２μｍ，０． 好ましくは０．３〜１．０μｍのバック層を設けることは容易に想到でき，この場合の磁気記録媒体の全厚は１２μｍ以下である。
したがって，乙７文献に記載された乙７−実１発明及び乙７−実２発明25 に基づき，当業者は本件訂正発明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は進歩性を欠く。
50（原告の主張）本件訂正発明と乙７−実１発明及び乙７−実２発明は，相違点@ないしDのほか，乙７の実施例１−１に記載された発明にはバック層が設けられていない点においても相違する（相違点E）。
5 相違点AないしCについて，被告らは，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課題を解決するための手段として記載された上記Ｈｃの２７００Ｏｅ（２１５ｋＡ／ｍ）に調整することは当業者が容易に想到することができると主張するが，式（１）及び式（２）を満たすように抗磁力Ｈｃの値を２１００〜２８００Ｏｅの間から選択すること自体が後知恵を持ち込むものであること，10 磁気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを意図的に変化させることはできず，ＳＦＤ（＝ΔＨ／Ｈｃ）やＲｓも同時かつ複雑に変化することから，いすれも当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
相違点Dについて，乙７文献の実施例の磁気記録媒体にはバックコート層を設ける必要はなく，あえて設ける必要がないバックコート層を実施例に記15 載された磁気記録媒体に設けること及び全厚としてもバック層を含むように構成することは，当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
争点 （被告ＦＦＭＭの不法行為責任（共同不法行為の成否））について（原告の主張）被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムの子会社であり，同社の指揮監督の下，20 その手足として，被告製品を製造し，製造した被告製品の全量を被告富士フイルムに販売し，被告富士フイルムは被告ＦＦＭＭから購入した同製品について販売，輸出及び販売の申出をしていることからすると，被告ＦＦＭＭ及び富士フイルムは，被告製品の製造及び販売を業として実施するとの目的の下，一体的に活動しており，被告製品の製造及び販売という一連の侵害行為に関し，互25 いに相手方がどのような行為を分担するかについて共通の認識を有した上でこれを行っていたものであるから，被告ＦＦＭＭが富士フイルムのために被告51製品を製造し，富士フイルムに販売する行為及び富士フイルムが被告製品を被告ＦＦＭＭに自己の手足として製造させ，自ら販売する行為のそれぞれにつき，被告ＦＦＭＭ及び富士フイルムによる共同不法行為が成立する（民法719条1 項）。
5 （被告ＦＦＭＭの主張）被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムによる被告製品１〜６の第三者への販売等に関与していない。また，被告ＦＦＭＭは，被告製品１，被告製品２，被告製品５及び被告製品６のテープの製造工程のみ行っており，カートリッジの製造工程には関与していない。さらに，被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムから10 委託を受けて，被告製品３及び被告製品４の製造を行っているにすぎない。したがって，被告製品の製造，販売等の行為について，被告ＦＦＭＭ及び富士フイルムによる共同不法行為が成立するとはいえない。
争点 （原告の損害額）について（原告の主張）15 ア 被告富士フイルムは，本件特許権の設定登録後から本件訴訟提起時までに，被告製品を日本国内において製造し，日本を含む全世界に出荷して販売し，少なくとも４０２億３８８０万円の利益を得たから，同額が原告の損害額であると推定される（特許法102条2項）。
イ 被告ＦＦＭＭは，本件特許権の設定登録後から本件訴訟提起時までに，被20 告製品を日本国内において製造し，被告富士フイルムに対して同製品を販売し，少なくとも３３１億９５７７万５０００円の利益を得たから，同額が原告の損害額であると推定される（特許法102条2項）。
ウ 本件訴訟と因果関係のある弁護士費用相当額（被告ＦＦＭＭについての損害）は２０００万円を下らない。
25 エ よって，原告は，被告らに対し，民法709条及び特許法102条2項に基づく損害賠償金１億円（内金請求）及びこれに対する不法行為後の日であ52る被告富士フイルムについては平成２８年８月１３日，被告ＦＦＭＭについては平成２９年９月２日（各被告に対する訴状送達の日の翌日）から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を，それぞれ求める。
（被告らの主張）5 否認ないし争う。
第３ 当裁判所の判断１ 本件発明の技術的意義本件明細書（甲２）の発明の詳細な説明欄には，次の記載がある。
ア 技術分野10 「本発明は，特に大容量データの記録用として好適な高密度型の磁気記録媒体に関するものである。（段落【０００１】」 ）イ 背景技術「磁気記録技術は，記録媒体が繰り返して使用可能であること，他の記録媒体に比較してランニングコストが安価であること等の利点を有している15 ので，ビデオ，オーディオ，コンピューター用途などを初めとして様々な分野で幅広く利用されている。」「近年においては，特に機器の小型化，記録再生信号の高品位化，及び記録容量の増大等の要求に対応するために，磁気記録媒体を薄層化し，記録密度を向上させる様々な検討がなされている。」20 「記録密度の向上に関しては，例えばビデオ信号の圧縮技術の進歩により，記録データの圧縮が一般的に行われるようになっているが，これと共に，データの圧縮率を比較的低く抑え高い信号品質を維持した，いわゆる高品位のビデオ信号への要求が強まっている。」「記録密度を向上させる方法としては，単位ｂｉｔ当たりの記録データ信25 号の長さを短くする短波長化と，書き込み幅を狭くする狭トラック化とが挙げられる。
53例えば，ソニー社製１／２ｉｎｃｈデジタルビデオのＨＤＣＡＭフォーマットにおいては，トラック幅が約２０μｍ，単位２ｂｉｔ当たりの記録データ信号の長さが約０.５μｍである。またデータ転送レートはビデオネットで１４０Ｍｂｐｓであるとされている。」5 「上述したことを鑑みて，例えば，ビデオネットで３００Ｍｂｐｓ，あるいはそれ以上の転送レートを実現するためには，磁気記録媒体について大幅な高密度化を図ることは必須の課題であると言える。そのためには記録データ信号の大幅な短波長化，狭トラック化を図ることが必要であるが，一方において短波長化や狭トラック化は，記録データ信号の再生出力，及びＳ/Ｎの10 低下を招来するという問題を有している。」「従来においては，転送レートの向上を図り，同時に良好な電磁変換特性を実現する高密度型の磁気記録媒体として，磁性層の膜厚と磁性層の磁束を規定したものが提案されている（例えば，特許文献１参照。。
）しかしながら，この従来提案されている技術によっては，未だ実用的な磁15 気記録再生システムにおいて高い適応性を有しているとは言えない。すなわち，磁気記録媒体に関して実用的な面から考えれば，記録電流と再生出力とのバランス，すなわち記録電流値の裕度，及び充分な再生出力を得るための最適記録電流を考慮しながら磁気記録媒体の特性を規定することは必須であると言えるが，下記特許文献１に開示されている技術によっては，未だ上20 記のような実用上の特性に関しての検討がなされていない。（段落【０００」２】〜【０００７】）ウ 発明が解決しようとする課題「そこで本発明においては，上述したような従来技術の問題点に鑑み，磁気記録媒体に関して実用的な面から検討し，電磁変換特性が良好で，かつ安25 定したエラーレート特性を実現可能な，大容量型の磁気記録媒体を提供することとした。（段落【０００９】」 ）54エ 課題を解決するための手段「本発明においては，非磁性支持体の一主面上に，無機粉末と結合剤とを含有する下層非磁性層と，強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されてなり，他の一主面上にバック層が形成された構成を有し，保磁力Ｈｃ5 〔ｋＡ／ｍ〕とＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，全厚１２μｍ以下である磁気記録媒体を提供する。
２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）10 ２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」「本発明によれば，実用上充分な再生出力を得るための記録電流特性の向上が図られ，記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力が得られるようになる。（段落【００１０】」 【００１１】）オ 発明の効果15 「非磁性支持体上に非磁性層と磁性層とが積層形成されてなる，全厚１２μｍ以下の磁気記録媒体において，磁性層の保磁力ＨｃとＳＦＤが，上記式（１）の関係を満たすようにしたことにより，記録電流ｖｓ再生出力特性カーブ，いわゆる記録電流カーブにおいて，良好なオーバーカレント特性が得られた。」20 「また，磁性層２の保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓにおいて，上記式（２）の関係を満たすようにしたことにより，記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力を得ることができ，実用上消費電力を低減化できた極めて有用な磁気記録媒体が得られた。」「また，磁性層２の膜厚を０．１５〜０．２５μｍとすることにより，安25 定したエラーレートのマージンが確保され，磁気記録装置のおける媒体走行時のサーボが安定して行うことができた。 段落」（ 【００１２】 【００１４】〜 ）55本件発明の技術的意義前記 の記載によれば，本件発明は，記録電流値の裕度（記録電流設定マージン）及び充分な再生出力を得るための最適記録電流を考慮しながら磁気記録媒体の特性を規定する（電磁変換特性が良好な磁気記録媒体を提供すること）5 という課題を解決するため，本件発明の構成，特に式（１）の関係を満たすようにしたことによって，良好なオーバーカレント特性が得られ，記録電流値の裕度を確保し，また，式（２）の関係を満たすようにしたことによって，記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力を得ることができ，実用上消費電力を低減化できるという効果を奏するものである点に技術的意義があると10 認められる。
２ 本件発明のサポート ）について事案に鑑み，まず，本件発明 について検討する。
特許法36条6項1号は，特許請求の範囲の記載は，特許を受けようとする15 発明が発明の詳細な説明に記載したものでなければならないとしており，いわゆるサポート要件を規定している。
特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の20 記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。
本件発明の技術的意義は １）の関係を満たす25 ことで，良好なオーバーカレント特性が得られ，記録電流値の裕度を確保することができるというものである。被告は，当業者は式（１）の関係を満たすこ56とで上記課題を解決できると認識できないと主張するので，以下，当業者が，式（１）の関係を満たすことで上記課題を解決できることを認識できるかについて検討する。
ア 式（１）について，磁気記録媒体の技術分野で広く知られている式である5 ことを認めるに足りる証拠はない。また，本件明細書において，式（１）の意義に関する記載はない。
イ 原告は，式（１）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に関連付けられて設計されたものであり，式自体に技術的意義があり，当業者は，技術常識を参酌して，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に基づき，式（１）によって課10 題を解決できると容易に認識することができると主張する。そして，その内容として，式（１）は，Ｈｃ＋０．５ΔＨの数値を２３０以上とし（ＳＦＤは，ΔＨ／Ｈｃであるから，式（１）は，Ｈｃ＋０．５ΔＨと変形される。，）Ｈｃと併せてΔＨを大きくすることで，実用上の消費電力の増加を抑制しつつ一旦記録がされれば記録が消えにくい磁気記録媒体を得られるようにす15 るものであること，ΔＨは，磁性層中に存在する磁性体粒子一つ一つの保持力のばらつきの指標であるところ，ΔＨが大きくなってヒステリシス曲線のＨｃの近傍の傾きを小さくすると，磁性体粒子自体のＨｃのばらつきが大きくなり，記録が一旦されれば当該記録が消えにくくなることを主張する。
本件発明は，式（１）の関係を満たすことによって，前記 のとおり，オ20 ーバーカレント特性が良好となり，記録電流値の裕度が大きくなるというのであるから，原告の上記主張は，式（１）の意義に関して，オーバーカレント状態において，磁性粒子自体のＨｃのばらつき（ΔＨ）が大きくなることによって，そのばらつきが大きくない場合に比べ，再生出力が大きくなり記録電流値の裕度が大きくなるというものといえる。
25 しかし，本件明細書には，上記の内容を述べる記載がないだけでなく，当業者にとって，本件出願当時，Ｈｃが大きくなれば記録電流値の裕度が大き57くなることが技術常識であったとしても（乙９），オーバーカレント状態において，磁性粒子一つ一つのＨｃのばらつき（ΔＨ）が大きくなることによって，そのばらつきが大きくない場合に比べ，再生出力が大きくなり記録電流値の裕度が大きくなることが，技術常識であったことを認めるに足りる証5 拠はない。
ア 本件明細書をみると，本件明細書の発明の詳細な説明には，実施例１ないし４及び比較例１及び２を作製し，それぞれ測定及び評価を行ったことが記載されており，各具体例の数値は以下のとおりである。なお，実施例１は，式（１）の関係を満たさず，本件明細書においても「比較例（参考10 例）に相当する例であって，実施例２〜４及び比較例１〜２との比較対象となるリファレンスである。（段落【００５４】」 ）とされているとおり，比較例である（段落【００５４】 【００６５】〜 ，【００７０】 【００８２】。
〜 ）Hc/ 磁性層膜 Hc×(1+0.5 出力 最適記録 記録電Hc Rs SFDRs 厚（μm） ×SFD) (dB) 電流(%) 流特性実施例１ 190 80 2.4 0.33 0.2 221.2 0 100 1実施例２ 200 80 2.5 0.30 0.2 230.1 0.6 107 1.05実施例３ 210 80 2.6 0.357 0.2 247.5 1 116 1.2実施例４ 210 85 2.5 0.341 0.2 245.8 2 104 1.2比較例１ 210 75 2.8 0.350 0.2 246.8 0.8 124 1.2比較例２ 190 85 2.2 0.229 0.2 211.8 0.6 88 0.7イ 本件明細書には，「最適記録電流」について，「最適記録電流は，リファレンス（実施例１）に対してのズレが±１５％以内であれば，実用上良好であ15 ると評価した。（段落【００７５】，」 ）「これによると，最適記録電流のリファレンス（実施例１）に対するズレが±１５％以内であるものは，２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６の範囲であることが分かる。Ｈｃ／Ｒｓの値が２．６を超える比較例１のサンプルにおいては，最適記録電流の値が１２４％と大きくなってしまい，リファレンスとのズレが大きく，充分な出力を得るための20 消費電力が大きくなってしまった。（段落【００８０】」 ）との記載がある。
これらによれば，最適記録電流については，実施例１の±１５％以内が実用58上良好と判断できる上限であるといえる。そうすると，最適記録電流が実施例１の＋１６％である実施例３は本件発明の実施例とはならないともいえる。そして，実施例３が実施例とならないとすると，実施例となるのは実施例２と実施例４であり，本件明細書上，式（１）によって，記録電流値の裕5 度を確保するという課題を解決できると認識できるＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の範囲は，２３０．１（実施例２）〜２４５．８（実施例４）の範囲となる。また，実施例３を本件発明の実施例としても，上記の範囲は，２３０．１（実施例２）〜２４７．５（実施例３）となる。
なお，本件明細書には，「記録電流特性」の評価について，「記録電流特性10 については，リファレンス（実施例１）に対してのズレが±２０％以内であれば，実用上良好であると評価した。」（段落【００７５】 との記載があり，）実施例３，４について，記録電流特性がリファレンス（実施例１）の１に対して１．２となっていることを評価していて（段落【００７９】，記録電流）特性における１．２を記録電流特性が実用上良好と判断できる上限であると15 している。
ウ 以上によれば，式（１）には上限値は定められておらず，下限値である２３０以上の数値の全てにわたり式（１）を満たすことになるにもかかわらず，本件明細書記載の実施例において課題を解決できることが裏付けられるＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の範囲は，２３０．１〜２４５．８（又は２４20 ７．５）に限られることになる。そして，本件明細書にはこの範囲よりも大きい数値の磁気録媒体の記録電流値の裕度を大きくすることができることに関する記載はない。
これらによれば，式（１）には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値の上限値がないところ，実施例で示されているのは前記の範囲であって，その値25 が実施例で示されたものよりも大きくなった場合などを含めた，式（１）の関係が満たされることとなる場合において，当業者が，前記の課題を解決で59きると認識できたとはいえないとするのが相当である。
エ 更に，本件発明においては，Ｈｃの上限値やＳＦＤの下限値は定められていないから，ΔＨ，ひいてはＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を例えば２３０以上の数値にすると，ＳＦＤの値が実施例を大きく下回る場合も式（１）5 の関係を満たすこととなる。しかし，このように実施例を大きく下回るＳＦＤの値の場合に当業者が前記課題を解決できると認識できるとはいえない。
原告は，文献（乙９），実施例２及び実施例４の記載に接することで，ＳＦＤが実施例の数値を大きく下回るなどの場合でも，式（１）によって課題を解決できると認識することできると主張するが，式（１）の技術的意義，実施10 例が示す範囲や本件明細書の記載は前記のとおりであり，採用することができない。
オ したがって，当業者は，本件明細書の記載から，式（１）によって記録電流値の裕度を確保するという課題を解決できると認識できるとはいえず，また，本件出願当時の技術常識から，上記課題を解決できると認識できるとも15 いえない。
以上によれば，本件発明に係る特許請求の範囲の記載が，本件明細書の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえず，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるともいえな20 いから，本件発明にはいわゆるサポート要件違反がある。
３ 本件訂正発明によるサポート要件違反の解消の有無について（争点 ）原告は，本件訂正によって，いわゆるサポート要件違反が解消したと主張するので，以下，この点について検討する。
訂正事項１−１は，保持力Ｈｃを２１０以上，２２１以下とするものである25 （構成要件Ｆ２）。
前記２ アのとおり，式（１）について，磁気記録媒体の技術分野で広く60知られている式であることを認めるに足りる証拠はなく，本件明細書において，式（１）の意義に関する記載はない。また，同イのとおり，原告の主張は，式（１）の意義に関して，オーバーカレント状態において，磁性粒子自体のＨｃのばらつきが大きくなることによって，そのばらつきが大きくない5 場合に比べ，再生出力が大きくなり記録電流値の裕度が大きくなることをいうものといえるが，本件明細書にそのことを述べる記載がなく，また，本件出願当時，当業者にとってそのことが技術常識であったことを認めるに足りる証拠はない。
イ 本件明細書をみると，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記２ アの10 とおり，実施例１ないし４及び比較例１及び２の数値が記載されている。
そして，Ｈｃが２１０以上という本件訂正事項１−１によって，実施例２は本件訂正発明の実施例でなくなる。したがって，実施例は，実施例３及び実施例４のみであり，また，前記２ のとおり，「最適記録電流」の点から実施例３が実施例とならないとすると，実施例は，実施例４のみとなる。
15 そうすると，式（１）には上限値は定められておらず，下限値である２３０以上の数値の全てにわたり式（１）を満たすことになるにもかかわらず，本件明細書記載の実施例において課題を解決できることが裏付けられるＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値（範囲）は，２４５．８（又は２４５．８〜２４７．５）に限られることになる。そして，本件明細書にはこの数値20 （範囲）よりも大きい数値の磁気録媒体の記録電流値の裕度を確保することができることに関する記載はない。
これらによれば，式（１）には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値の上限値がないところ，実施例で示されているのは前記の数値（範囲）であり，その値が実施例で示されたものよりも大きくなった場合なども含めた，式25 （１）の関係が満たされるといえる場合において，当業者が，前記の課題を解決できると認識することができたとはいえないとするのが相当である。
61ウ 更に，本件訂正発明においては，Ｈｃの上限値は定められたが，ＳＦＤの下限値は定められていない。そして，例えば，Ｈｃが上限値である２２１の場合，ＳＦＤが０．０８２であっても，式（１）を満たすこととなるが，実施例４のＳＦＤは０．３４１であり，実施例よりも大幅に小さいＳＦＤの値5 の場合に，当業者が前記の課題を解決できると認識できたとはいえない。被告は，上記のような場合でも，文献（乙９），実施例２及び実施例４の記載に接することで，式（１）によって課題を解決できると認識することできると主張するが，式（１）の技術的意義，実施例が示す範囲や本件明細書の記載は前記のとおりであり，採用することができない。
10 以上によれば，当業者は，本件訂正後も，本件明細書の記載から，式（１）によって記録電流値の裕度を確保するという課題を解決できると認識できるとはいえず，また，本件出願当時の技術常識から，上記課題を解決できると認識できるともいえない。
そうすると，本件特許には特許法123条1項4号の事由があり（前記２），15 本件訂正によってもその事由が解消したとは認められないから，本件訂正請求が訂正要件を満たすか（争点 ）など，その他の争点を検討するまでもなく，原告は，特許法104条の3第1項により，本件特許権を行使することができない。
４ 結論20 よって，原告の請求はいずれも理由がないから，これらを棄却することとし，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部裁判長裁判官 柴 田 義 明2562裁判官 佐 藤 雅 浩5裁判官 大 下 良 仁63（別紙）物 件 目 録5 １ 被告製品１：以下のいずれかの型番の磁気テープカートリッジＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−５ １．５Ｔ ＪＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−５ １．５Ｔ ＥＣＯ ＪＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−５ １．５Ｔ ＳＥ ＥＣＯ Ｊ10 ２ 被告製品２：以下の型番の磁気テープカートリッジＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−５ ＷＯＲＭ １．５Ｔ Ｊ３ 被告製品３：米国法人Ｏｒａｃｌｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ又はその子会社である日本オラクル株式会社）が，以下の型番で（以下が型番の15 一部を構成する場合を含む）販売する磁気テープカートリッジＳｔｏｒａｇｅＴｅｋ Ｔ１００００ Ｄａｔａ４ 被告製品４：米国オラクル又は日本オラクルが，以下の型番で（以下が型番の一部を構成する場合を含む）販売する磁気テープカートリッジ20 ＳｔｏｒａｇｅＴｅｋ Ｔ１００００ ＶｏｌＳａｆｅ５ 被告製品５：以下のいずれかの型番の磁気テープカートリッジＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−４ ８００Ｇ ＵＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−４ ８００Ｇ ＥＣＯ Ｊ25 ＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−４ ８００Ｇ ＳＥ ＥＣＯ Ｊ64６ 被告製品６：以下の型番の磁気テープカートリッジＬＴＯ ＦＢ ＵＬ−４ ＷＯＲＭ ８００Ｇ Ｕ以 上65
事実及び理由
全容
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