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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成25行ケ10071審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10079審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10088審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 元本PDF |
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|---|
| 事件 |
平成
25年
(行ケ)
10236号
審決取消請求事件
|
|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2014/09/24 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平成２６年９月２４日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官 平成２５年（行ケ）第１０２３６号 審決取消請求事件 口頭弁論終結日 平成２６年８月６日 判 決 原 告 日亜化学工業株式会社 訴訟代理人弁護士 阿 部 隆 徳 訴訟代理人弁理士 鮫 島 睦 同 言 上 惠 一 同 田 村 啓 同 中 野 晴 夫 被 告 エバーライト・エレクトロニクス ・カンパニー・リミテッド 訴訟代理人弁護士 黒 田 健 二 同 吉 村 誠 主 文 １ 特許庁が無効２０１１−８００１８３号事件について平成２５年７ 月１８日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 ３ この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０ 日と定める。 事実及び理由 第１ 請求 主文と同旨 第２ 事案の概要 １ 特許庁における手続の経緯等 原告は，平成７年１２月１日，発明の名称を「窒化物半導体発光素子」と する特許出願（特願平７−３１４３３９号。優先権主張：平成６年１２月２ 日，同年１２月９日，平成７年３月１６日，日本）をし，平成１０年５月１ ５日，設定の登録（特許第２７８０６９１号）を受けた（登録時の請求項の 数１２。甲２１。以下，この特許を「本件特許」という。）。 被告は，平成２３年９月２８日，特許庁に対し，本件特許の請求項１ない し１２に係る発明を無効にすることを求めて審判請求（無効２０１１−８０ ０１８３号）をし，特許庁は，平成２４年１１月１２日，「特許第２７８０ ６９１号の請求項１ないし１２に係る発明についての特許を無効とする。」 との審決をし，その謄本は同年１１月２２日，原告に送達された。 原告は，上記審決を不服とし，平成２４年１２月２２日，当裁判所に対し て上記審決を取り消すことを求めて訴訟を提起した（当裁判所平成２４年 （行ケ）第１０４４０号）。 原告は，平成２５年２月１９日，特許庁に対し訂正審判を請求し（訂正２ ０１３−３９００３１号），当裁判所に対して平成２３年法律第６３号によ る改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）181条２ 項所定の決定を求めたところ，当裁判所は，平成２５年３月４日，上記規定 により「特許庁が無効２０１１−８００１８３号事件について平成２４年１ １月１２日にした審決を取り消す。」との決定をした。 特許庁は，原告が上記訂正審判請求において提出した訂正明細書（甲２ ２）を特許無効審判における訂正の請求とみなして（平成２３年改正前特許 法134条の3），審理の上，平成２５年７月１８日，「訂正を認める。特 許第２７８０６９１号の請求項１ないし９に係る発明についての特許を無効 とする。」との審決（以下「本件審決」といい，本件審決により認められた 訂正を「本件訂正」という。）をし，その謄本は，同年７月２６日，原告に 送達された。 原告は，平成２５年８月２３日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提 起した。 ２ 特許請求の範囲 本件訂正後の請求項の数は９であり，請求項１ないし９の特許請求の範囲は， 次のとおりである（訂正箇所に下線を引いた。）。以下，本件訂正後の本件特 許に係る発明を本件訂正後の請求項の番号に従って「本件発明１」などといい， 本件発明１ないし９を併せて「本件発明」という。また，本件訂正後の明細書 （甲２１，２２）を，図面を含め，「本件明細書」という。 【請求項１】 インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の 面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡ ｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化 物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物 半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導 体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光するこ とを特徴とする窒化物半導体発光素子。 【請求項２】 活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上であ ることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項３】 インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１ および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮより なるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成す るインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネル ギーの大きなＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備 え，該活性層とｐ型コンタクト層との間に該活性層の第２の面に接してＡｌ ｙＧ ａｌ−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導 体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体 層を備え，該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層 を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネル ギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 【請求項４】 活性層が，ノンドープのものであることを特徴とする請求項１ないし３のい ずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項５】 活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされてい ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発 光素子。 【請求項６】 活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有することを特徴と する請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項７】 活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有することを特徴とす る請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項８】 活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有することを特 徴とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 【請求項９】 活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１− ｚ’ Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障 壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求 項１ないし８のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。 ３ 本件審決の理由の要旨 本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに， 本件訂正前の明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１ないし９について， 当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている とは認められないから，平成１１年法律第１６０号による改正前（以下「平 成１１年改正前特許法」という。）の特許法36条4項（判決注・本件審決 中に「平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第36条第4項」とあ るのは，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法36条4項の誤記 と認める。）に規定する要件を充たしておらず，本件発明１ないし９につい ての特許は，特許法123条1項4号に該当し，無効にすべきものである， というものである。 本件審決の判断の要旨 ア 本件発明１を以下に再掲する。 「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および 第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１− ｘ Ｎ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の 面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を 備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）より なる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活 性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低 いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」 すなわち，本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎ ｘ Ｇａ １−ｘ Ｎ （０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面 に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備 え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよ りも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発光素子である。 イ 段落【０００９】及び【００１１】には，上記アで言及した「活性層の 第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａ Ｎ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエ ネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」に ついての記載があるものと認められる。 しかしながら，段落【０００８】〜【００１２】には，具体的にどのよ うな構成によって，活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り応 力が発生し，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネ ルギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光することとなるのかは，記 載されていないから，本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本 来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点 について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記 載されているとは認められない。 ウ 段落【００１７】には，「例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄 くすることにより発光波長を変化させることができる。」との記載があり， 段落【００４０】には，「活性層は膜厚が２００オングストローム以下に なると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギ ーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」との記載がある。 しかしながら，段落【００１８】に「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりな るｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶 が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をす る。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているため に，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また 第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第 ２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」 とあり，段落【００４０】に「この第１のｎ型クラッド層５は，活性層と Ａｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。」 とあるとおり，上記の段落【００１７】及び【００４０】の記載は，活性 層の両面に，ＩｎＧａＮ又はＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に 比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接し，第１のクラッド層 ５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，【図１】に示され る層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり，「活性層の第１ の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層 が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネル ギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つま り，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らか い第１のクラッド層が，活性層の一方の面のみに接する本件発明１につい ての記載ではない。 エ 段落【００３４】には，「井戸層の膜厚を薄くすることによって，バン ドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネル ギーよりも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能とな る。」との記載がある。 しかしながら，段落【００３３】の記載によれば，段落【００３２】〜 【００３７】に記載された窒化物半導体発光素子は，活性層の両面にＩｎ ＧａＮよりなる第１のクラッド層（Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｎ型ク ラッド層とＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層）が接し，第１ のクラッド層の外側に第２のクラッド層（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7Ｎよりなる第２の ｎ型クラッド層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層）が形成さ れた窒化物半導体発光素子であり，活性層の片面のみにＩｎＧａＮよりな る第１のクラッド層が接する本件発明１とは，構成が異なるものである。 よって，単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発 光素子の発光ピーク波長との関係を示す【図２】に，段落【００３４】に いう「井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギー が小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギ ーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。」ことが記載されて いるとしても，当該記載は，本件発明１に当てはまるものではない。 オ その他の記載をみても，本件明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１ の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよ りも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をす ることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。 カ 本件発明２は，本件発明１において，活性層とｎ型窒化物半導体層との 総膜厚を３００オングストローム以上に限定したものに相当する。 本件発明３は，本件発明１において，活性層の第２の面に接するＡｌｙＧ ａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層 を備える点を限定したものに相当する。 本件発明４ないし本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれ かにおいて，活性層の構成を限定したものに相当する。 したがって，本件発明１と同様の理由により，本件明細書の発明の詳細 な説明には，本件発明２ないし本件発明９について，当業者がその実施を することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。 第３ 当事者の主張 １ 原告の主張 取消事由１（本件発明１についての実施可能要件の判断の誤り） ア 本件審決の内容 本件審決は，本件発明１について，「本件発明１は，活性層の第１の面 に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備 え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる ｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバン ドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導 体発光素子である。」と認定した上で，本件明細書の記載が，「活性層の 第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａ Ｎ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエ ネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」の 発明について，いわゆる実施可能要件（平成１１年改正前特許法36条４ 項）に違反すると判断した。 イ 本件発明１の要旨の認定の誤り 本件審決は，前記のとおり本件発明１を，活性層，活性層の第１の面 に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層， 活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型 窒化物半導体層を備える３層構造であると認定した。 しかしながら，本件発明１は，その特許請求の範囲に「インジウムお よびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有す る活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎ ｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接し てＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え， 該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる 第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性 層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低 いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素 子。」と記載されていることから明らかなとおり，ｎ型窒化物半導体層 に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導 体層を備える４層構造である。 本件発明１は，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主 とする２つのクラッド層で挟んだ構造において，活性層６と第２のｎ型 クラッド層４との間にＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のｎ型クラ ッド層５を形成することにより，クラックの発生を防止しながら発光波 長を長波長側にシフトさせるものである（本件明細書の段落【００３ ９】，【００４０】）から，本件発明１において，ｎ型窒化物半導体層 に接したｎ型ＡｌＧａＮ層は必須の構成であって，本件発明１を４層構 造ではなく，３層構造であるとする本件審決の認定は誤りである。 本件審決は，本件発明１の認定を誤っているから，これを前提とした 実施可能要件違反の判断にも誤りがあることは明らかである。 ウ 実施可能要件違反があるとの判断の誤り 本件審決は，本件明細書の発明の詳細な説明は，「活性層の第１の面 にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が 接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネル ギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」であ る本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャッ プエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業 者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものと は認められない旨判断した。 しかしながら，以下のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明は，当 業者が本件発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載 されている。 本件発明１は，実施例４に基づいて当業者が実施をすることができる 程度に記載されていること ａ 実施例４の構造は，実施例１の構造から「第１のｐ型クラッド層 ７」を除いた構造であり，下図のとおり，本件発明１と同じ構造とな る。 ｂ 実施例１には，サファイア基板１の上に，ＧａＮバッファ層２，ｎ 型ＧａＮコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ第２クラッド層４， ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ第１クラッド層５，Ｉｎ ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活 性層６，ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ第１クラッド層７，ｐ型Ａｌ０．３Ｇ ａ０．７Ｎ第２クラッド層８，およびｐ型ＧａＮコンタクト層９が設けら れた構造が記載されている（本件明細書段落【００４４】〜【００５ １】）。 そして，実施例４の窒化物半導体発光素子の作製方法は，第１のｐ 型クラッド層７を形成しないという点以外は，実施例１の作製方法と 同じである（段落【００５４】）から，実施例１に記載されたＭＯＶ ＰＥ（有機金属気相成長法）を用いた窒化物半導体層の成長方法にお いて，単に，Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型 クラッド層７の成長工程（段落【００４９】）を行わないだけで，当 業者は実施例４の窒化物半導体発光素子を作製することができる。 ｃ 本件明細書には，実施例４の活性層６は，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ（単 一量子井戸構造）からなり，発光ピーク波長は４２５ｎｍの青色発光 を示したと記載されている（段落【００４８】，【００５４】）。こ こで「Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギ ーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示す」ものであるから（段落【０ ０３４】），実施例４の窒化物半導体発光素子では，Ｉｎ０．０５Ｇａ０． ９５ Ｎ活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギ ーの光の波長（３８０ｎｍ）よりも低いエネルギーの光（４２５ｎ ｍ）が発光していることが明らかである。 ｄ さらに，上記ａ，ｂのとおり，実施例４は，実施例１の構成におい て「Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７」を形成し ないという点以外は，実施例１の構成と全く同じ構成であるから，活 性層の組成及び膜厚も実施例１と同一であることは明らかである。 それにもかかわらず，実施例４の発光ピーク波長は４２５ｎｍであ り，発光ピーク波長が４１０ｎｍである実施例１に比較して長波長化 しており，また，実施例１の光出力が５ｍＷであるのに対し，実施例 ４の発光出力は７ｍＷと，その発光出力も向上している（段落【００ ５１】，【００５４】）。 これらの理由については，実施例４では「活性層にＡｌＧａＮより なる第２のクラッド層８が直接接しているので活性層の引っ張り応力 が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大し た。」と記載されている（段落【００５４】）から，本件明細書には， 活性層にかかる応力の程度によって長波長化の程度が変わってくるこ とも開示されている。 ｅ 以上のとおり，実施例４の構造は本件発明１の構造と同じであり， また，その効果は，活性層にかかる応力に起因して「活性層を構成す る窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネル ギーの光を発光する」ものであるから，実施例４には，「活性層の第 １の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧ ａＮ層が接し，更に該ｎ型窒化物半導体層にｎ型ＡｌＧａＮ層が接し， 該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギー よりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である 本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャッ プエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当 業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されて いる。 ｆ 被告の主張について 被告は，実施例４の記載によっても，甲１２との対比でみれば， 本件発明１はどのように実施可能であるのか不明である旨主張する。 しかしながら，そもそも，実施可能要件は，明細書の中の発明の 詳細な説明が充たすべき要件であるから，甲１２に基づいて実施可 能要件充足性を議論する被告の主張は失当である。 仮に，被告が主張するように甲１２を考慮したとしても，甲１２ の実施例６，並びに本件明細書の実施例１〜３，５及び８〜１２は， 本件発明１とは，クラッド層７の有無において構造が異なっており （甲１２の実施例６，並びに本件明細書の実施例１〜３，５及び８ 〜１２では活性層の上側のクラッド層がＩｎＧａＮであるのに対し， 実施例４は，活性層の上側のクラッド層がＡｌＧａＮである。）， 本件発明１についての実施可能要件の充足性の判断とは無関係であ る。 ? また，被告は，甲１２の実施例６において発光波長が長波長側に シフトしていない（短波長化している）以上，第１のｐ型クラッド 層７を省略した構成（本件明細書の実施例４）においても，発光波 長が長波長側にシフトするはずはない（短波長化すると考えられ る。）旨主張する。 しかしながら，甲１２には，第１のｐ型クラッド層７を省略した 場合に，本来のバンドギャップエネルギーと比べ発光波長が短波長 化するとの記載は，どこにも存在しないのであり，被告の上記主張 は，甲１２の記載に基づかない，根拠のない主張である。 本件明細書の段落【００１８】及び【００４０】は，本件発明１につ いての記載であり，段落【００４０】には，本件発明１において，発光 波長が長波長化する原理も記載されていること ａ 本件審決は，本件明細書には，段落【００１７】に「例えば単一量 子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変化させ ることができる。」との記載，段落【００４０】に「活性層は膜厚が ２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的 に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くな る傾向にある。」との記載があるものの，段落【００１８】には「Ｉ ｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌ を含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラ ッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッ ド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸 構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５， ７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド 層８中にクラックが入るのを防止することができる。」とあり，段落 【００４０】には「この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを 含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。」と あるとおり，段落【００１７】や【００４０】の上記記載は，活性層 の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒化物半導 体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接し，第１のク ラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成された，【図 １】に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記載であり， 「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面 にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来 のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒 化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａｌを含む窒 化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が，活性層の一 方の面にのみ接する本件発明１についての記載ではない旨判断した。 【図１】 ｂ 本件明細書には，以下の記載がある。 「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネ ルギーが大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体 であればどのような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくは ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）により形成する。ＩｎＧａＮ，ま たはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物 半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバ ッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッ ファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても 活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に 形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にク ラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】） 「第１のｐ型クラッド層７は，活性層６を構成する窒化物半導体よ りもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層６よりも熱膨張 係数が小さいｐ型窒化物半導体であればどのような組成のもので形成 してもよいが，好ましくはｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成 する。その中でも，ｐ型ＡｌＧａＮ等のＡｌを含む窒化物半導体は， 多重量子井戸構造または単一量子井戸構造よりなる活性層に接して形 成することにより，発光出力を向上させる。」（段落【００１９】） 「従来の窒化物半導体発光素子は，上にも説明したように，ＩｎＧ ａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟 んだ構造を有している。ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を 挟んだ従来の構造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａ Ｎ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にある。例 えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラック が多数入ってしまうために素子作製が困難となる。これはＡｌを含む クラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚 のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じ る格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾 性的に緩和できないことを示している。このため，従来ではクラッド 層，活性層中にクラックが入るために，活性層を薄くしようとしても できなかったのが実状であった。」（段落【００３９】） 「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層 ６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。 この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラ ッド層４の間のバッファ層として作用する。つまり第１のｎ型クラッ ド層５であるＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮは結晶の性質とし て柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と 活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する 働きがある。従って活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッ ド層４にクラックが入りにくいと推察される。第１のクラッド層５に よって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム 以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャッ プエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。しかも活 性層の結晶欠陥が少なくなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態にお いても，活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このよ うに第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには， 結晶が柔らかい層である活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚 の合計が３００オングストローム以上あることが好ましい。」（段落 【００４０】） 「また，第１のｐ型クラッド層はアルミニウムを含む窒化物半導体 で形成すると，出力が向上する。これはＡｌＧａＮが他の窒化物半導 体に比べて，ｐ型化しやすいか，あるいはＩｎＧａＮよりなる活性層 の分解を，第１のｐ型クラッド層成長時に抑える作用があるためと推 察されるが，詳しいことは不明である。」（段落【００４１】） ｃ 本件明細書の上記記載によれば，段落【００１８】には「第１のｐ 型クラッド層７」の組成に関する記載がない一方で，段落【００１ ９】には「第１のｐ型クラッド層７は，・・・好ましくはｐ型ＡｌｙＧ ａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。」と記載され，段落【００２７】 には「最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌ ａ Ｇａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎｘ Ｇａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０ ＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌｙ Ｇａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌｂ Ｇａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することである。」と記載されている のであるから，当業者であれば，段落【００１８】には「第１のｐ型 クラッド層７」を「ＡｌＧａＮ」とする本件発明１が記載されている と当然に理解する。 また，段落【００４０】には，従来のＩｎＧａＮを主とする活性層 をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造（段落【００ ３９】）を前提に，活性層６と第２のｎ型クラッド層４との間にＩｎ ＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５を形成すること で，活性層６や第２のｎ型クラッド層４にクラックを発生させること なく活性層６の膜厚を薄くすることができ，その結果，活性層６を弾 性的に変形させて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能と なることが記載されているが，活性層６の第２の面（上面）に接して ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のクラッド層７を設けることに ついては，一切記載されていない。そして，本件明細書において，第 １のｐ型クラッド層７として好ましいと記載されている窒化物半導体 は，ＡｌＧａＮである（段落【００１９】，【００２７】，【００４ １】）から，当業者であれば，段落【００４０】には「第１のｐ型ク ラッド層７」を「ＡｌＧａＮ」とする本件発明１が記載されていると 当然に理解する。 ｄ また，「図１は，本発明の一態様による窒化物半導体発光素子の構 造の一例を示す概略断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は， 基板１上に，バッファ層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッ ド層４，第１のｎ型クラッド層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層 ７，第２のｐ型クラッド層８，およびｐ型コンタクト層９が順に積層 された構造を有する。」（段落【００１６】）が，「また，第１のｎ 型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを省略すること もできる。」(段落【００２０】)，「この組み合わせの場合は，第１ のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または 両方を省略してもよい。」（段落【００２７】）と記載されている。 したがって，仮に，本件審決がいうように，段落【００１８】や 【００４０】に記載された「第１のｐ型クラッド層７」が「ＩｎＧａ ＮまたはＧａＮよりなるもの」であったとしても，下図のとおり，第 １のｐ型クラッド層７が省略されることにより，活性層６の上の層は ＡｌＧａＮとなるのであるから，本件明細書の段落【００１８】や 【００４０】は，本件発明１についての記載である。 ｅ 本件発明の原理は，熱膨張係数の大きい活性層を，活性層よりも熱 膨張係数の小さいクラッド層で挟んだ素子を高温で形成した後，室温 にまで温度を下げると，熱膨張係数の大きい活性層がクラッド層に引 っ張られ，活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が活 性層に作用するため，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくな り， 発光波長が長波長になる というものであるが（段落【００ ３ ７】），ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ従来の構 造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，Ａｌ ＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にあるため（段落【００３ ９】），ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１ のｎ型クラッド層５を形成するものである（段落【００４０】）。こ の「第１のｎ型クラッド層５」であるＩｎを含む窒化物半導体または ＧａＮは，結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを 含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差に よって生じる歪を吸収する働きがあり，活性層を薄くしても活性層６， 第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくくなり，第１のクラッ ド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングス トローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバン ドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなるというもので ある（段落【００４０】）。 段落【００４０】には，第１のｎ型クラッド層５を設けることによ り，活性層６や第２のｎ型クラッド層４にクラックを発生させること なく，活性層６の膜厚を薄くすることができ，この結果，活性層６を 弾性的に変形させて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能 となることが記載されており，これは，本件発明１に対応するもので ある。 ｆ 被告の主張について 被告は，段落【００１８】の記載からは，第１のクラッド層７が バッファ層として働くＩｎＧａＮまたはＧａＮであると理解される 旨主張する。 しかしながら，段落【００１９】や【００２７】に，第１のクラ ッド層７の好ましい材料はＡｌＧａＮであると明記されているにも かかわらず，「第１のクラッド層７にクラックが入るのを防止する ことができる」とは記載されていないことに照らし，被告の上記主 張は，根拠のない主張である。 ? 被告は，段落【００２７】に「最も好ましい組み合わせ」として 記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型 クラッド層７の両方を省略した構成は，従来の窒化物半導体発光素 子の構成（段落【００３９】）と変わらないことになる旨主張する。 しかしながら，第１のｎ型クラッド層５及び第１のｐ型クラッド 層７の両方を省略した構成（本件明細書の実施例６の構成）は，本 件発明１には含まれない構成であるから，被告の上記主張は理由が ない。 ? 被告は，段落【００４３】に「実施例１ 本実施例を図１を参照 して記述する。」と記載されており，実施例１として，「ｎ型Ａｌ ＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量 子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮク ラッド層８」という構成が開示されているから，当業者は，段落 【００４０】に本件発明１が記載されているとは理解しない旨主張 する。 しかしながら，実施例１が図１を参照して記述していることをも って，図１の構成が実施例１の構成に限定されるとの被告の主張は， 実施例が発明の実施態様の一つの具体例を表わすものであるという 実施例の意味合いを無視するものであり，被告の上記主張は理由が ない。 以上のとおり，本件発明１については，実施例４において具体例をも って当業者が実施可能なように記載されており，また，本件明細書の段 落【００１８】及び【００４０】は，本件発明１についての記載であり， 段落【００４０】には，本件発明１において発光波長が長波長化する原 理が記載されている。 エ 本件明細書の段落【００１３】の記載と段落【００３４】の記載の整合 性について 本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１−ｘＮのバンド ギャップエネルギーＥｇを表す式について，「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２ ・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ）」と記載されており，ボーイングパラメー ターを表すＢが欠落しているが，特開平６−１７７０５９号公報（甲２ ３）に，「ＩｎＸＧａ１−ＸＮのバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）は，実 験的に求められており，例えば次式により算出することができる （Journal of Applied Physics; Vol.46, No.8, 1975, 3432〜）。 Ｅｇ＝ＥｇＧａＮ・（１−Ｘ）＋ＥｇＩｎＮ・（Ｘ）−Ｂ・Ｘ（１− Ｘ） 式中，ＥｇＧａＮはＧａＮのバンドギャップエネルギーで３．４ｅＶ， ＥｇＩｎＮはＩｎＮのバンドギャップエネルギーで２．０ｅＶ，Ｂはボ ーイングパラメーターであり，およそ１．０ｅＶである。」と記載され ているように（段落【０００９】），当時認識されていたボーイングパ ラメーターＢの値はおよそ１．０ｅＶであるから，本件明細書の段落 【００１３】に記載された上記計算式においてボーイングパラメーター Ｂが欠落していても，この式から算出されるバンドギャップエネルギー Ｅｇの値には影響しない。 仮に，段落【００１３】の記載が，現在における技術常識と異なって いるとしても，本件明細書の記載は，本来のバンドギャップエネルギー に相当する発光ピーク波長も含めて実際に発光素子を作製して行った実 験結果（段落【００３３】，【００３４】，実施例１及び４に記載され た実験結果）に基づくものであるから，本件発明１が当業者において， 本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて実施可能であることに 変わりはない。 すなわち，【図２】に線αで示される発光素子は，活性層がＩｎ０．０５ Ｇａ０．９５Ｎからなり，その両側に第１クラッド層（Ｉｎ ０．０１ Ｇａ０．９９ Ｎ）及び第２クラッド層（Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）がそれぞれ設けられた構 造となっており，活性層の膜厚を厚くすることで発光ピーク波長は一定 値に近づき，このときの値（【図２】では線αの右端近傍の値で，この 時の活性層の膜厚は約３６０オングストローム）が活性層に歪のかから ない，いわゆる「窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギー」に 相当する発光波長となる。これに対し，実施例１は，【図２】の線αと 同じ組成の活性層で，その膜厚を３０オングストロームにした場合の実 験結果であるが，活性層に歪がかかることにより発光ピーク波長は４１ ０ｎｍと長波長化している（段落【００５１】）。そして，実施例４は， 実施例１の構造からＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎの第１ｐ型クラッド層を除いた 発光素子であり，活性層の上に直接Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎの第２ｐ型クラッ ド層が設けられた，本件発明１にかかる構造となっているが，このとき の発光ピーク波長は４２５ｎｍとなり，実施例１よりもさらに発光ピー ク波長は長波長化しているのである（段落【００５４】）。これらの実 験結果は，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを活性層に用いた発光素子において，本 件発明１の構造を用いることにより，活性層が有する本来のバンドギャ ップエネルギーに相当する発光ピーク波長３８０ｎｍ（図２の線α）が ４２５ｎｍ（実施例４）にまで長波長化することを明確に示していると いえる。 【図２】 なお，被告は，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られて おり（乙１，３），局所的にＩｎ組成が高い領域において，発光が起き るから，特定の組成のＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長 （バンドギャップエネルギー）となるか不明であり，「本来のバンドギ ャップエネルギー」を定めることは不可能である旨主張する。 しかしながら，乙１や乙３は，本件特許の出願日よりも後の公知文献 にすぎない。本件発明１は、その出願日よりも前に実際に行われた実験 結果に基づいて発光ピーク波長が長波長化することを実証しているので あり、出願日よりも後の公知文献に基づいて，本件発明１が実施不能で あるとする被告の主張は失当である。 オ 小括 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１につい ての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は誤りである。 取消事由２（本件発明２ないし９についての実施可能要件の判断の誤り） ア 本件審決は，「本件発明２は，本件発明１において，活性層とｎ型窒化 物半導体層との総膜厚を３００オングストローム以上に限定したものに相 当する。本件発明３は，本件発明１において，活性層の第２の面に接する ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層上にｐ型コン タクト層を備える点を限定したものに相当する。本件発明４ないし本件発 明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の構成 を限定したものに相当する。よって，本件発明１と同様に理由により，本 件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９について， 当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されてい るとは認められない。」と判断した。 しかしながら， 本件発明１についての実 施可能要件の判断を誤ったものであるから，本件発明２ないし９について の判断にも誤りがある。 イ 小括 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明２ないし ９についての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は誤りである。 まとめ 以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明が本件発明１ないし９につ いて，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載され ているとは認められないとの本件審決の判断は誤りであり，本件審決は，違 法であるから，取り消されるべきものである。 ２ 被告の主張 本件審決の本件発明１についての実施可能要件の判断に誤りがないこと （取消事由１に対し） ア 本件発明１の要旨の認定に誤りがないこと 本件審決は，請求項１に係る発明（本件発明１）を，本件明細書の請求 項１に記載されたとおりのもの，すなわち，「インジウムおよびガリウム を含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え， 該活性層の第１の面に接してＩｎ ｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型 窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌ ｙＧａ１−ｙＮ（０ ＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に 接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層 を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の 本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光するこ とを特徴とする窒化物半導体発光素子。」と認定しており，その認定に誤 りはない。 原告の主張は，本件審決が「本件発明１の特徴的構成」として指摘した 部分に係るものにすぎず，本件審決における本件発明１の要旨の認定自体 は，上記のとおり，正しくされている。 イ 実施可能要件違反の判断に誤りがないこと 実施例４について ａ 原告は，実施可能要件に関する主張立証責任を負うにもかかわらず， 無効審判請求や訂正審判請求において，本件発明１の実施可能要件に 関し，実施例４に基づく主張をしていなかったのであるから（甲２２ の１３〜１７頁参照），本件審決が実施例４について言及しなかった としても，これにより，本件審決の判断が違法とされる理由はない。 ｂ 実施例４の記載によっても，実施可能要件を充たさないこと 実施例４の記載によっても，原告の出願に係る甲１２（特開平８− ２２８０２５。優先権主張：平成６年１２月２２日，出願日：平成７ 年１２月１２日）との対比でみれば，本件発明１はどのように実施可 能であるのか不明である。 すなわち，本件明細書の段落【００３４】によれば，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95 Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の 紫外発光を示すものであるが，段落【００５１】にあるとおり，量子 井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍと 長波長化している（活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギ ャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光している）。他方， 甲１２においては，Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエ ネルギーでは５１０ｎｍの緑色発光を示すものであるが（実施例２。 ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧ ａＮ活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッ ド層８の構成であり，活性層６はその膜厚が４００オングストローム あり量子井戸構造ではない。段落【００４１】），量子井戸構造をと る実施例６（ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド 層５／ＩｎＧａＮ活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型Ａｌ ＧａＮクラッド層８の構成であり，活性層６はその膜厚が２０オング ストロームあり量子井戸構造である。）においては，発光ピーク波長 が４５０ｎｍと短波長化している（段落【００４５】）。上記のよう に，本件明細書の実施例１は，甲１２の実施例６と矛盾している。本 件明細書の段落【００２１】の記載に従えば，ｎ型ＡｌＧａＮクラッ ド層４とｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５を有している甲１２の実施例６ においても，「第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に 接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発 光波長を長波長側にシフトさせることが可能である」はずであるが， 甲１２では，発光波長が長波長側にシフトしていないのである。そう すると，甲１２の実施例６から，その段落【００１８】の記載に従っ て，第１のｐ型クラッド層７を省略した構成（本件明細書の実施例４， すなわち本件発明１の構成と同じ構成）においても，実施例６におい て発光波長が長波長側にシフトしていない（短波長化している）以上， 発光波長が長波長側にシフトするはずはない（短波長化すると考えら れる。）。 したがって，本件明細書の実施例４の記載から，当業者において， どのように発光波長を長波長側にシフトさせるのか理解することはで きないといわざるを得ない。 本件明細書の段落【００１８】及び【００４０】の記載について ａ 本件明細書の段落【００１８】には，「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮ よりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比 べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層の ような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層とし て作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６に クラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される 第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入 るのを防止することができる。」と記載されている。 上記記載中に，「第１のクラッド層７にクラックが入るのを防止す ることができる」とは記載されていないことからすれば，第１のクラ ッド層７は，「第２のｐ型クラッド層８」にクラックが入るのを防止 するための層，すなわちバッファ層として働いているものと理解され， しかも，上記記載から，バッファ層として働くのは，ＩｎＧａＮ，ま たはＧａＮであると理解されるから，段落【００１８】の「第１のク ラッド層・・・７の外側に形成される・・・第２のｐ型クラッド層８ 中にクラックが入るのを防止することができる」という記載からは， 第１のクラッド層７がバッファ層として働くＩｎＧａＮまたはＧａＮ であると理解される。 そうすると，本件審決が，段落【００１７】や【００４０】の記載 は，「活性層の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなり，Ａｌを含 む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層５，７が接 し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド層４，８が形成 された，図１に示される層構造の窒化物半導体発光素子についての記 載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層 の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半 導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を 発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａＮよりなり，Ａ ｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッド層が， 活性層の一方の 面のみに接す る本件発明１についての記載では な い。」と認定したことは正当である。 ｂ 原告は，段落【００１９】の記載を根拠に，当業者であれば，段落 【００１８】には，本件発明１が記載されていると当然に理解する旨 主張する。 しかしながら，本件明細書には，一貫して「Ａｌ」を含む窒化物半 導体は結晶が硬いということが記載される一方で（段落【００２１】， 【００２２】，【００３９】），段落【００１８】には，「ＩｎＧａ Ｎ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む 窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかい」と記載され，結晶が柔らか いため，バッファ層として機能するということが記載されているので あるから，同段落の「第１のクラッド層５，７の外側に形成される第 ２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入る のを防止することができる。」という記載は，第１のクラッド層７が バッファ層として機能しており，これがＩｎＧａＮまたはＧａＮから 成るものであると理解されるのであって，これが結晶の硬いＡｌＧａ ことはない。 ｃ 原告は，段落【００４０】には，活性層６の第２の面（上面）に接 してＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなる第１のクラッド層７を設けるこ とについては，一切記載されておらず，一方，本件明細書において， 第１のｐ型クラッド層７として好ましいと記載されている窒化物半導 体は，ＡｌＧａＮであるから，当業者であれば，段落【００４０】に は本件発明１が記載されていると当然に理解する旨主張する。 しかしながら，段落【００４０】には，その冒頭に「一方，本発明 では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層とし て，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。」と記載されて いる。本件明細書において，図１について説明しているのは，段落 【００１６】〜【００１８】であるが，段落【００１８】の記載から， 第１のクラッド層７がバッファ層として機能しており，これがＩｎＧ ａＮまたはＧａＮから成るものであると理解することは当然のことで あることは前記のとおりであり，また，段落【００４３】には，「実 施例１ 本実施例を図１を参照して記述する。」と記載されており， 実施例１として，「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮク ラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド 層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８」という構成が開示されている。 そうすると，本件明細書において，図１は，「ｎ型ＡｌＧａＮクラ ッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層 ６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８」と いう構成であると理解されるのであり，当業者は，段落【００４０】 に本件発明１が記載されているとは理解しない。 また，段落【００４０】は，「図１に示すように」と記載されてい る点を措いたとしても，第２のｎ型クラッド層と活性層との間に形成 される第１のｎ型クラッド層という構成について記載しているにすぎ ず，ｐ型クラッド層の構成は特定されていないのであるから，段落 【００４０】は，本件発明１について述べたものではない。 さらに，段落【００４０】は，「図１に示すように」と記載して， 「第１のｐ型クラッド層」のみならず，「第２のｐ型クラッド層８」 をも設けた図１を引用しているのであるから，段落【００４０】が， 従来のＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのク ラッド層で挟んだ構造（段落【００３９】）を前提として，活性層６ と第２のｎ型クラッド層４との間に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりな る第１のｎ型クラッド層５を形成することを述べたものであったとし ても，従来のｎ型クラッド層が第２のｎ型クラッド層に相当すること からすれば，従来のｐ型クラッド層に相当するのは，第２のｐ型クラ ッド層であると考えるのが自然であって，段落【００４０】の記載か らは，第１のｐ型クラッド層の組成は不明であるといわざるを得ず， これが本件発明１の構成についての記載であるとはいえない。 ｄ 原告は，段落【００１８】や【００４０】に記載された「第１のｐ 型クラッド層７」が「ＩｎＧａＮまたはＧａＮよりなるもの」であっ たとしても，段落【００２０】や【００２７】に第１のｐ型クラッド 層７を省略してもよいと記載されていることを根拠に，段落【００１ ８】や【００４０】は，本件発明１についての記載である旨主張する。 原告の上記主張によれば，本件発明１の実施態様に含まれないはず の実施例１〜３，５及び８〜１２についても，本件発明１の実施例で あるという論理が成り立つことになるが，これが不当であることは明 らかであって，そもそも原告の上記主張には論理の飛躍があるといわ ざるを得ない。 また，段落【００３６】には，「発光波長が長波長側に移行する波 長範囲は，活性層に引っ張り応力を与える第２のクラッド層，第１の クラッド層の組成によっても異なり，またそれらの組成によって活性 層の好ましい膜厚も多少変化する。」と記載されているように，クラ ッド層の組成や組み合わせによって発明の効果が変化するものである から，単純に段落【００２０】や【００２７】の記載を根拠として， 【００１８】や【００４０】の構成からｐ型クラッド層７を省略した としても，どのように長波長化するのかは不明であるといわざるを得 ない。 さらに，段落【００２７】の記載を根拠に，ここに「最も好ましい 組み合わせ」として記載されている構成から，第１のｎ型クラッド層 ５及び第１のｐ型クラッド層７の両方を省略した構成（ｎ型ＡｌＧａ Ｎクラッド層４／ＩｎＧａＮ活性層６（量子井戸層）／ｐ型ＡｌＧａ Ｎクラッド層８）は，段落【００３９】に，「従来の窒化物半導体発 光素子」として記載された構成，すなわち，「ＩｎＧａＮを主とする 活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造」と変 わらないことになる。 以上のとおり，段落【００２０】や【００２７】の記載に従い，単 に段落【００１８】や【００４０】の構成から第１のｐ型クラッド層 ７を省略しても，これが，本件発明１の作用効果を奏するものである のか疑問であるといわざるを得ないから，段落【００１８】や【００ ４０】が本件発明１についての記載であるとはいえない。 ｅ 原告は，本件明細書の段落【００４０】には，発光波長が長波長化 する原理が記載されている旨主張する。 しかしながら，段落【００４０】には，「第１のｎ型クラッド層５ は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層と して作用する。」と記載されているように，第２のｎ型クラッド層４ と，第１のｎ型クラッド層５と，活性層の関係しか記載されておらず， 本件発明１の構成は記載されていない。 また，段落【００４０】には，「第１のクラッド層５によって歪が 吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になる と引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギ ーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。」と記載されている ように，発光波長が長くなる「傾向」が記載されているにすぎず，こ れが必然であるとは記載されていない。当該記載は，ｐ型クラッド層 の組成や数によっては発光波長が長くならない場合があることを示し ており，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充た さないことに変わりはない。 さらに，段落【００４０】には，「従って活性層を薄くしても活性 層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察され る。」と記載されているように，推測の域を出ておらず，本件特許出 願時の技術水準に照らして，当業者が容易に実施できるとはいえない。 ウ 本件明細書の段落【００１３】の記載が不正確であり，段落【００３ ４】の記載とも整合しないこと 本件明細書の段落【００１３】においては，Ｉｎ ｘ Ｇａ１−ｘ Ｎのバン ドギャップエネルギーＥｇを表す式について，「Ｅｇ＝Ｅｇ １・ｘ＋Ｅ ｇ２・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ）」と記載されており，ボーイングパラ メーターを表すＢが欠落している。ボーイングパラメータ（Ｂ）は，１． ０ｅＶではないから（乙１，２），上記計算式は，客観的に誤りである。 原告は，当時認識されていたボーイングパラメーターＢの値はおよそ １．０ｅＶであるから，段落【００１３】に記載された計算式において ボーイングパラメーターＢが欠落していても，この式から算出されるバ ンドギャップエネルギーＥｇの値には影響しないとするが，「当時の認 識」が，客観的に誤っている以上，上記計算式が不正確であることに変 わりはない。 段落【００１３】における計算式が誤っていることから，段落【００ ３４】の「Ｉｎ ０．３ Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエネルギ ーでは４８０ｎｍ付近の青緑色発光である」との記載は，上記計算式の 計算結果と整合しない。 上記計算式が誤っている以上，本件発明１において，「活性層を構成 する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネル ギーの光を発光する」という前提である，「本来のバンドギャップエネ ルギー」を定めることもできないのであるから，本件発明１は実施不能 ということになる。 また，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られており（乙 １，３），局所的にＩｎ組成が高い領域において発光が起きるから，特 定の組成のＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長（バンドギャ ップエネルギー）となるか不明であるということになる。 したがって，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることは不 可能であるというべきであるから，本件発明１は実施不能であるという ことになる。 エ 小括 以上のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１につ いての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断は正当である。 本件発明２ないし９の実施可能要件の判断に誤りがないこと（取消事由２ に対し） 本件明細書の発明の詳細な説明の記載が本件発明１につ いての実施可能要件を欠くとの本件審決の判断に誤りはないから，本件発明 ２ないし９について，本件明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件 を欠くとした本件審決の判断にも誤りはない。 まとめ 以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，本件明細書の 発明の詳細な説明が本件発明１ないし９について，当業者がその実施をする ことができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められないとした 本件審決の判断に誤りはない。 第４ 当裁判所の判断 １ 本件明細書の記載について 本件発明１ないし９の特許請求の範囲は，前記第２の２に記載のとおりであ るところ，本件明細書（甲２１，２２）の「発明の詳細な説明」には，次のよ うな記載がある（訂正箇所に下線を引いた。下記記載中に引用する図面につい ては，別紙の本件明細書図面目録を参照。）。 「【発明の属する分野】 本発明は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の半 導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０ ≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層構造を有する窒化物 半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】） 「【従来の技術】 窒化物半導体（Ｉｎ ａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１） は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料として期待 されている。事実，本出願人は，この半導体材料を用いて，１９９３年１１ 月に光度１ｃｄの青色ＬＥＤを発表し，１９９４年４月に光度２ｃｄの青緑 色ＬＥＤを発表し，１９９４年１０月には光度２ｃｄの青色ＬＥＤを発表し た。これらのＬＥＤは全て製品化されて，現在ディスプレイ，信号等の実用 に供されている。」（段落【０００２】） 「そのような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイ ア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよ りなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａ Ｎよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順 に積層された構造を有している。サファイア基板１１とｎ型コンタクト層と の間には，ＧａＮ，ＡｌＧａＮまたはＡｌＮよりなるバッファ層が形成され ている。活性層を形成するｎ型ＩｎＧａＮには，Ｓｉ，Ｇｅ等のドナー不純 物および／またはＺｎ，Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされている。 このＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変え るか，または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領 域から赤色まで変化させることが可能である。」（段落【０００３】） 「【発明が解決しようとする課題】 しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光出力 が大きく低下するという問題がある。図４は従来のＬＥＤ素子のピーク発光 波長と発光出力の関係を示す図である。このＬＥＤでは活性層のＩｎＧａＮ にＺｎとＳｉとをドープし，Ｚｎの準位を介して発光させることにより発光 波長をＩｎＧａＮのバンド間発光よりも発光エネルギーで約０．５ｅＶ小さ くして発光波長を長くしている。図４に示すように，従来のＬＥＤは，４５ ０ｎｍでは３ｍＷ付近の出力を示すのに対し，発光ピークが長波長に移行す るに従ってその出力は大きく減少し，５５０ｎｍでは出力が０．１ｍＷ以下 にまで低下している。例えば，４５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩ ｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎであり，５００ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ ０． １８ Ｇａ０．８２Ｎであり，５５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ ０．２５ Ｇａ０．７５Ｎであり，さらに各活性層にはＺｎがドープされている。このよう に，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層，より詳しくは，Ｉｎ ｘＧａ１−ｘ Ｎ（０≦ｘ＜１）活性層は，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出 力は大きく低下する。このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値は およそ０．１５以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので， 青色ＬＥＤしか高出力のものは実現されていない。しかも，Ｚｎをドープし て発光させているので半値幅が約７０ｎｍと広く，青色の色純度に劣る。」 （段落【０００４】） 「ところで，高出力の青色ＬＥＤが実用化された現在，緑色ＬＥＤだけが 色調，発光出力とも他のＬＥＤに比べて劣っている。例えばフルカラーＬＥ Ｄディスプレイを赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，青色ＬＥＤ各一個づつで実現す る際には，緑色ＬＥＤが最も大きい光度を有していなければならない。しか し，緑色ＬＥＤの光度は未だ低く，青色ＬＥＤ，赤色ＬＥＤと全くバランス がとれないのが実状である。」（段落【０００５】） 「窒化物半導体はバンドギャップエネルギーが１．９５ｅＶ〜６．０ｅＶ まであるので，理論的には赤色から紫外まで広帯域に発光する材料である。 窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば，従来 のＧａＡｓ，ＡｌＩｎＧａＰ系の材料に代わり，窒化物半導体で全ての可視 領域の波長での発光が実現できる可能性がある。」（段落【０００６】） 「本発明はこのような事情に鑑みてなされてものであって，その目的とす るところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度，高 出力の窒化物半導体発光素子を提供することにある。」（段落【０００ ７】） 「【課題を解決するための手段】 従来のＬＥＤは，活性層を不純物をドープしたＩｎＧａＮにより形成して いる。前記のようにＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバン ド間発光により，発光波長を長波長側に移行できる。しかし，窒化物半導体 はＩｎのモル比を大きくするに従い結晶性が悪くなる傾向にあるので，発光 出力が低下する，と推察される。そこで，本発明者らは発光素子の発光波長 を長波長側に移行させるに際し，ダブルへテロ構造の窒化物半導体構造にお ける活性層に引っ張り応力を与えることにより，発光波長を長波長側にシフ トさせ，しかも発光出力が高い発光素子を実現できることを新たに見い出し た。」（段落【０００８】） 「すなわち，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半 導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１ の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を 備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる ｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ （０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子 井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネ ルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体 発光素子が提供される。」（段落【０００９】） 「さらに，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導 体よりなる井戸層を備え，第１および第２の面を有する活性層を具備し，該 活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の 第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化 物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きなＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層とｐ型コンタクト層と の間に該活性層の第２の面に接してＡｌ ｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる ｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ （０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を単一 量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体 の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光するこ とを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。」（段落【００１ １】） 「すなわち，本発明においては，活性層を単一量子井戸構造または多重量 子井戸構造として，この活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り 応力を加え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネル ギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光させるのである。」（段落【０ ０１２】） 「ところで，ＩｎＮのバンドギャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ １ で，ＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと， 窒化物半導体ＩｎｘＧａ１−ｘＮの本来のバンドギャップエネルギーＥｇは，式 Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋ Ｅｇ２・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ） により算出することができる。活性層の本来の発光波長λは，λ＝１２４０ ／Ｅｇに相当する。」（段落【００１３】） 「なお，単一量子井戸構造とは，井戸層が一層よりなる構造を指す。すな わち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層だけで構成される。また， 多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。 この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成 される。」（段落【００１４】） 「【作用】 本発明の素子は，第１のｎ型クラッド層および第１のｐ型クラッド層より も熱膨張係数の大きい活性層を形成して，両クラッド層と活性層の界面に平 行な方向で引っ張り応力を発生させている。引っ張り応力を活性層に弾性的 に作用させるために，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造と して，活性層のバンドギャップエネルギーを小さくし，活性層の発光波長を 長くする。また，活性層の井戸層，障壁層を臨界膜厚まで薄くしたことによ り，Ｉｎ組成比が大きいＩｎＧａＮでも結晶性よく成長できる。」（段落 【００１５】） 「【発明の実施の形態】 図１は，本発明の一態様による窒化物半導体発光素子の構造の一例を示す 概略断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は，基板１上に，バッファ 層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッド層４，第１のｎ型クラッド 層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層７，第２のｐ型クラッド層８，およ びｐ型コンタクト層９が順に積層された構造を有する。」（段落【００１ ６】） 「活性層６は，Ｉｎを含む窒化物半導体で形成され，単一量子井戸構造ま たは多重量子井戸構造のものである。Ｉｎを含む活性層６は，他のＡｌＧａ Ｎ，ＧａＮ等の窒化物半導体に比べて柔らかく，熱膨張係数も大きいので， 例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変 化させることができる。量子井戸構造の活性層６はｎ型，ｐ型のいずれでも よいが，特にノンドープ（不純物無添加）とすることによりバンド間発光に より発光波長の半値幅が狭くなり，色純度のよい発光が得られるため好まし い。特に活性層６の井戸層の組成をＩｎ ｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）とすると， バンド間発光で波長を紫外から赤色まで発光させることができ，クラッド層 との熱膨張係数差の大きい活性層を実現することが可能である。一方，多重 量子井戸構造の場合，障壁層は特にＩｎＧａＮで形成せずにＧａＮで形成し てもよい。」（段落【００１７】） 「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネルギー が大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体であればどの ような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくはｎ型Ｉｎ ｘＧａ１−ｘＮ （０≦ｘ＜１）により形成する。ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の 第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかい ので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこ の第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を 量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層 ５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層 ８中にクラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】） 「第１のｐ型クラッド層７は，活性層６を構成する窒化物半導体よりもバ ンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層６よりも熱膨張係数が小さい ｐ型窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，好ま しくはｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。その中でも，ｐ型Ａ ｌＧａＮ等のＡｌを含む窒化物半導体は，多重量子井戸構造または単一量子 井戸構造よりなる活性層に接して形成することにより，発光出力を向上させ る。」（段落【００１９】） 「また，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを 省略することもできる。第１のｎ型クラッド層５を省略する場合は，第２の ｎ型クラッド層４が第１のｎ型クラッド層５となり，また第１のｐ型クラッ ド層７を省略する場合は第２のｐ型クラッド層が第１のｐ型クラッド層５と なる。但し，活性層には，ｎ型ＧａＮもしくはｎ型ＩｎＧａＮよりなる第１ のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが好ましい。」（段落【０ ０２０】） 「本発明の素子は，前記第１のｎ型クラッド層５に接して，ｎ型の窒化物 半導体よりなる第２のｎ型クラッド層４を備えることができる。第２のｎ型 クラッド層４は，Ａｌ ａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成することが望ましい。 但し，第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この 第２のｎ型クラッド層４をＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成することができる。 Ａｌを含む窒化物半導体は熱膨張係数が小さく，また結晶自体が硬いので， 第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に接して形成すると，活 性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさ せることが可能である。但し，活性層６に接してＡｌを含む第２のｎ型クラ ッド層４を形成する場合には，活性層の反対側の主面には，バッファ層とな る第１のｐ型クラッド層７をＩｎＧａＮ，ＧａＮ等で形成することが望まし い。」（段落【００２１】） 「また，本発明の素子では，第１のｐ型クラッド層７に接して，ｐ型の窒 化物半導体よりなる第２のｐ型クラッド層８を備えることもできる。第２の ｐ型クラッド層８は，ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することが望ま しい。但し，第１のｐ型クラッド層７がＡｌＧａＮで形成されている場合は， この第２のｐ型クラッド層８をコンタクト層としてＧａＮで形成することが できる。活性層６に接してＡｌを含む第２のｐ型クラッド層８を形成する場 合には，活性層６の反対側の主面（ｎ層側）には，バッファ層となるＧａＮ， ＩｎＧａＮ等の第１のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが望ま しい。」（段落【００２３】） 「ここで，活性層とクラッド層の好ましい組み合わせを述べる。まず，活 性層６と第１のクラッド層５，７の組み合わせは，第１のｎ型クラッド層を ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層をＡｌ ｙ Ｇａ １−ｙ Ｎ （０＜ｙ＜１）で形成することである。但し，これらの組み合わせにおいて， バンドギャップエネルギーの関係からｘ＜ｚの条件を満たしていることはい うまでもない。活性層６は，単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オ ングストローム以下の厚さに形成し，多重量子井戸構造では井戸層を１００ オングストローム以下の厚さに，および障壁層を１５０オングストローム以 下の厚さに形成する。いずれの量子井戸構造の活性層でも，ｎ型またはノン ドープとするとバンド間発光による半値幅の狭い発光が得られるので最も好 ましい。」（段落【００２６】） 「次に，最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌ ａＧａ １−ａ Ｎ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎ ｘＧａ１−ｘＮ （０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎ ｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む 量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌ ｙ Ｇａ １−ｙ Ｎ（０≦ｙ＜ １）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌ ｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で 形成することである。この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５， 第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略してもよい。省略 した場合，前記のように，第２のｎ型クラッド層４または第２のｐ型クラッ ド層８が，それぞれ第１のクラッド層として作用する。この組み合わせによ ると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に十分な引っ 張り応力が得られない場合に，第１のクラッド層５，７の外側にさらにＡｌ を含む第２のクラッド層を形成して，第２のクラッド層４，８の熱膨張係数 と活性層６の熱膨張係数の差を大きくすることができる。従って，活性層６ を膜厚の薄い井戸層と障壁層との多重量子井戸構造，又は井戸層のみの単一 量子井戸構造とすることにより，界面に作用する引っ張り応力により，活性 層のバンドギャップが小さくなり，発光波長が長波長側にシフトされ得 る。」（段落【００２７】） 「図２は単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光 素子の発光ピーク波長との関係を示す図である。なお，図２において線αは 活性層がノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる発光素子を示し，線βは活 性層がノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる発光素子を示している。両方と も発光素子の構造は第２のクラッド層と，第１のｎ型クラッド層と，活性層 と，第１のｐ型クラッド層と，第２のｐ型クラッド層とを順に積層したダブ ルへテロ構造である。第２のｎ型クラッド層は０．１μｍのＳｉドープｎ型 Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなり，第１のｎ型クラッド層は５００オングストロー ムのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第１のｐ型クラッド層は２０オングスト ロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第２のｐ型クラッド 層は０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるダブルへテロ構 造である。図２では前記活性層の膜厚を変えた際に発光波長が変化すること を示している。」（段落【００３３】） 「線αで示すＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネル ギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すが，膜厚を薄くすることにより４ ２０ｎｍ近くまで波長を長くして青紫色の発光にできる。また線βで示すＩ ｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエネルギーでは４８０ｎｍ付 近の青緑色発光であるが，同じく膜厚を薄くすることにより，５２０ｎｍ近 くの純緑色発光が得られる。このように第１のｎ型クラッド層と第１のｐ型 クラッド層で挟まれた活性層の膜厚を薄くすることにより，発光波長を長波 長にすることができる。つまり，通常の膜厚の厚い活性層ではその活性層の バンドギャップエネルギーに相当する発光しか示さないが，本発明の単一量 子井戸構造の活性層では，井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギ ャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよ りも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。しかも ノンドープであるので，不純物をドープしたものよりも結晶性がよいので出 力が高くなり，さらにバンド間発光で半値幅の狭い色純度に優れた発光が得 られる。」（段落【００３４】） 「従って，本発明において，井戸層の膜厚は１００オングストローム以下， さらに好ましくは７０オングストローム以下となるように形成することが望 ましい。図２は本発明の素子による発光素子の一例を示したものであるが， 発光波長が長波長側に移行する波長範囲は，活性層に引っ張り応力を与える 第２のクラッド層，第１のクラッド層の組成によっても異なり，またそれら の組成によって活性層の好ましい膜厚も多少変化する。」（段落【００３ ６】） 「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０ −６／Ｋであ り，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０−６／Ｋであることが知られている。 ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であ るが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数 の順序はＩｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。一方，窒化物半導体の成長温度を 見てみると，通常ＭＢＥ法では５００℃，ＭＯＶＰＥ法では時に９００℃以 上の高温で成長させる。例えばＭＯＶＰＥ法によるとＩｎＧａＮで７００℃ 以上，ＡｌＧａＮであると９００℃以上で成長させる。そこで熱膨張係数の 大きい活性層を，活性層よりも熱膨張係数の小さいクラッド層で挟んだ素子 を高温で形成した後，室温にまで温度を下げると，熱膨張係数の大きい活性 層がクラッド層に引っ張られ，活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ 張り応力が活性層に作用する。このため，活性層のバンドギャップエネルギ ーが小さくなり，発光波長が長波長になるのである。つまり活性層のＩｎ０．０ ５ Ｇａ０．９５Ｎ，Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ等は第１のクラッド層，および第２のクラ ッド層よりもＩｎが多い分，熱膨張係数が大きい。従って活性層とクラッド 層の界面に平行方向に引っ張り応力が作用し，活性層のバンドギャップエネ ルギーが小さくなるので通常の活性層のバンド間発光よりも，発光波長を長 くすることができるのである。特にその引っ張り応力は活性層を薄くするほ ど大きくなるので，発光波長をより長波長にすることが可能となる。」（段 落【００３７】） 「本発明の素子において好ましい態様は，インジウムを含むｎ型窒化物半 導体，またはｎ型ＧａＮを第１のｎ型クラッド層として備え，その第１のｎ 型クラッド層に接して，第１のｎ型クラッド層よりも熱膨張係数が大きいイ ンジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を備え，この活性層を単一量子 井戸若しくは多重量子井戸構造とすることによって，本来の活性層のバンド ギャップエネルギーよりも低エネルギーの光が発光される素子であり，この 素子において，前記第１のｎ型クラッド層と前記活性層との総膜厚が３００ オングストローム以上あることがさらに好ましい。また他の態様として，イ ンジウムを含む窒化物半導体よりなる単一量子井戸構造若しくは多重量子井 戸構造の活性層を備え，その活性層に接して，活性層よりも熱膨張係数が小 さいアルミニウムを含むｐ型窒化物半導体を第１のｐ型クラッド層として備 え，この活性層を単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造とすることに よって，本来の活性層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光 が発光される素子である。」（段落【００３８】） 「従来の窒化物半導体発光素子は，上にも説明したように，ＩｎＧａＮを 主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有 している。ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を挟んだ従来の構造で は，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラ ッド層にクラックが生じる傾向にある。例えば，活性層の厚さを２００オン グストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困 難となる。これはＡｌを含むクラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を 有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層と の界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活 性層で弾性的に緩和できないことを示している。このため，従来ではクラッ ド層，活性層中にクラックが入るために，活性層を薄くしようとしてもでき なかったのが実状であった。」（段落【００３９】） 「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接 する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。この第１の ｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバ ッファ層として作用する。つまり第１のｎ型クラッド層５であるＩｎを含む 窒化物半導体またはＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しているの で，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数 差によって生じる歪を吸収する働きがある。従って活性層を薄くしても活性 層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察される。第１ のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オング ストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギ ャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。しかも活性 層の結晶欠陥が少なくなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態においても， 活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このように第１のｎ型 クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層で ある活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚の合計が３００オングスト ローム以上あることが好ましい。」（段落【００４０】） 「窒化物半導体よりなる本発明の発光素子を製造するには，例えばＭＯＶ ＰＥ（有機金属気相成長法），ＭＢＥ（分子線気相成長法），ＨＤＶＰＥ （ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて，基板上にＩｎ ａＡｌｂ Ｇａ１−ａ−ｂ Ｎ（０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）をｎ型，ｐ型等の導電型でダ ブルへテロ構造になるように積層することによって得られる。基板には例え ばサファイア（Ｃ面，Ａ面，Ｒ面を含む），ＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ，４Ｈ− ＳｉＣも含む），スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４，特にその（１１１）面），Ｚｎ Ｏ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）が使用で きる。また，ｎ型の窒化物半導体はノンドープの状態でも得られるが，Ｓｉ， Ｇｅ，Ｓ等のドナー不純物を結晶成長中に半導体層中に導入することによっ て得られる。またｐ型の窒化物半導体層はＭｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃａ，Ｂｅ， Ｃ等のアクセプター不純物を同じく結晶成長中に半導体層中に導入するか， または導入後４００℃以上でアニーリングを行うことにより得られる。」 （段落【００４２】） 「【実施例】 以下本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。以下の実施例は，ＭＯ ＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法を例示している。 実施例１ 本実施例を図１を参照して記述する。」（段落【００４３】） 「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い，反応容器にセットした サファイア基板１のＣ面に５００℃でＧａＮよりなるバッファ層２を５００ オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４４】） 「次に温度を１０５０℃まで上げ，ＴＭＧ，ＮＨ３に加えＳｉＨ４ガスを用 い，Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成 長させた。」（段落【００４５】） 「続いて原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え，同じく１ ０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のクラッド層４ を０．１μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００４６】） 「次に，温度を８００℃に下げ，ＴＭＧ，ＴＭＩ（トリメチルインジウ ム），ＮＨ ３およびＳｉＨ ４ を用い，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ ０．０１ Ｇａ０．９９ Ｎよ りなる第１のｎ型クラッド層５を５００オングストロームの膜厚で成長させ た。」（段落【００４７】） 「続いてＴＭＧ，ＴＭＩおよびＮＨ３を用い，８００℃でノンドープＩｎ０． ０５ Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）を３０オングストロー ムの膜厚で成長させた。」（段落【００４８】） 「さらに，ＴＭＧ，ＴＭＩ，ＮＨ３に加え新たにＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタ ジエニルマグネシウム）を用い８００℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９ Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７を５００オングストロームの膜厚で成長 させた。」（段落【００４９】） 「次に温度を１０５０℃に上げ，ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＮＨ３，Ｃｐ２Ｍｇを用 い，Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８を０． １μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００５０】） 「続いて，１０５０℃でＴＭＧ，ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い，Ｍｇドー プｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍの膜厚で成長させた。 以上の操作終了後，温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し， ７００℃でウェーハのアニーリングを行い，ｐ型層をさらに低抵抗化した。 次に，最上層のｐ型コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し， ｎ型コンタクト層３の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後， ｎ型コンタクト層３の表面にＴｉとＡｌよりなる負電極，ｐ型コンタクト層 ９の表面にＮｉとＡｕよりなる正電極を形成した。電極形成後，ウェーハを ３５０μｍ角のチップに分離した後，常法に従い半値角１５度の指向特性を 持つＬＥＤ素子とした。このＬＥＤ素子はＩｆ（順方向電流）２０ｍＡでＶ ｆ３．５Ｖ，発光ピーク波長４１０ｎｍの青色発光を示し，発光出力は５ｍ Ｗであった。さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであり，非常に色 純度のよい発光を示した。」（段落【００５１】） 「実施例４ 第１のｐ型クラッド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥ Ｄ素子を作製した。このＬＥＤ素子は，Ｉｆ２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ，発光 ピーク波長４２５ｎｍの青色発光を示し，同じく発光出力は７ｍＷであった。 さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであった。この発光素子は活性 層にＡｌＧａＮよりなる第２のクラッド層８が直接接しているので活性層の 引っ張り応力が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増 大した。」（段落【００５４】） 「【発明の効果】 本発明においては，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい 活性層を挟むことにより，活性層に引っ張り応力がかかるので，活性層のバ ンドギャップエネルギーが本来のそれより小さくなり，発光波長を長波長に することができる。しかもＩｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して， 熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮよりなる第１のク ラッド層をすると，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用す ることにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段 に向上する。例えば従来の青色ＬＥＤでは４５０ｎｍにおいて，光度２ｃｄ， 発光出力が３ｍＷで半値幅が８０ｎｍ程度であったが，本発明ではその倍近 くの発光出力を達成することができ，半値幅は半分以下と非常に色純度が向 上した。また従来では，活性層のインジウム組成比を大きくすると結晶性が 悪くなって，バンド間発光で５２０ｎｍ付近の緑色発光を得ることは難しか ったが，本発明によると活性層の結晶性が良くなるので，従来では困難であ った色純度のよい高輝度な緑色ＬＥＤも実現できる。」（段落【００６ ５】） ２ 取消事由１（本件発明１についての実施可能要件の判断の誤り）について 本件発明１の要旨の認定の誤りについて ア 原告は，本件発明１がｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ（０ ≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備える４層構造であるに もかかわらず，本件審決が，本件発明１を活性層，活性層の第１の面に接 してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層，活性層 の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半 導体層を備える３層構造であると認定を誤り，これを前提に実施可能要件 の判断をしたから，その結論にも誤りがある旨主張するので，以下におい て判断する。 イ 本件発明１の構成及びその特徴 前記１によれば，本件発明１の構成及びその特徴は以下のとおりである と認められる。 本件発明１は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（Ｌ Ｄ）等の半導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧ ａ１−ａ−ｂ Ｎ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層 構造を有する窒化物半導体発光素子に関する。 窒化物半導体（Ｉｎａ ＡｌｂＧａ １−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦ １）は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料と して期待されており，青色ＬＥＤや青緑色ＬＥＤは製品化されて，現在 実用に供されている。 このような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファ イア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧ ａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ 型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コン タクト層とが順に積層された構造を有している。このＬＥＤ素子の発光 波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか又は活性層に ドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変 化させることが可能である。 従来のＬＥＤは，不純物をドープしたＩｎＧａＮにより活性層を形成 しており，ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間 発光により，発光波長を長波長側に移行することができる。 しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光 出力が大きく低下するという問題があり，不純物がドープされたＩｎＧ ａＮ活性層，より詳しくは，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）活性層は， Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力は大きく低下する。 このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値はおよそ０．１５ 以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので，青色ＬＥ Ｄしか高出力のものは実現されていない。 窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば， 窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性があ る。 本件発明１は，このような事情に鑑みてされたものであって，その目 的とするところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で 高輝度，高出力の窒化物半導体発光素子を提供することにあり，上記課 題を解決するために，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体 よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１ の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体 層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌ ｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１） よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡ ｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え， 該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来の バンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを 特徴とする窒化物半導体発光素子」との構成を採用した。 本件発明１の窒化物半導体発光素子は，熱膨張係数の小さいクラッド 層（ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層，ｐ型窒化物半導 体層）で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性 層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とす ることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性 層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくし，活性層の発 光波長を長波長化するものである。 しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係 数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド 層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作 用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出 力が格段に向上する。 ウ 本件審決における本件発明１の要旨の認定 本件審決の記載について 本件審決には，本件発明１の構成に関し，次のような記載がある。 ａ 「第４ 本件特許の請求項に係る発明 本件訂正は，・・・適法な訂正と認められるから，本件の請求項１ ないし９に係る発明（以下，それぞれ，「本件発明１」ないし「本件 発明９」といい，それらを合わせて「本件発明」という。）は，訂正 明細書の請求項１ないし９に記載された，次のとおりのものと認めら れる。 「【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりな り，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面 に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層 を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌ ｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１） よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接して ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を 備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体 の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光 することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（１１頁９行〜２２ 行） ｂ 「第９ 当審の判断 事案にかんがみて，無効理由４についてまず検討する。 １ 本件発明１の特徴的構成について 本件発明１を以下に再掲する。 「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１およ び第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘ Ｇａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性 層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒 化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ （０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層 を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンド ギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴 とする窒化物半導体発光素子。」 すなわち，本件発明１は，活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘ Ｎ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第 ２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半 導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャッ プエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体発 光素子である。 そこで，本件明細書に，かかる「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａ Ｎ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性 層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも 低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」の発明につい て，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載 されているかを検討する。」（２２頁２４行〜２３頁１０行） ｃ 本件審決は「２ 本件明細書の発明の詳細な説明の記載」と題して， る。」として，本件明細書の段落【０００８】ないし【００１２】， 【００１６】ないし【００２３】，【００３２】ないし【００３７】， 【００３９】，【００４０】の記載を引用したが，その際，本件訂正 が認められているにもかかわらず，段落【０００９】及び【００１ １】については，本件訂正により新たに挿入された「該ｎ型窒化物半 導体層に接して・・・を備え，」の記載のない本件訂正前の記載を引 用し，また，本件訂正により削除された段落【００１０】を引用して 記載した。 ｄ 「３ 本件発明１についての当審の判断 （１） 上記「２（１）」の記載について 上記「２（１）」の【０００９】及び【００１１】には，上記１で 言及した「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の 第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導 体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発 光する窒化物半導体発光素子」についての記載があるものと認められ る。 そこで，上記「２（１）」に，上記窒化物半導体発光素子の「活性 層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも 低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をす ることができる 程度に明確かつ十分に記載されているかを検 討 す る。」（３０頁１行〜１１行） ｅ 「よって，上記「２（１）」には，「活性層の第１の面にｎ型Ｉｎ ＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該 活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよ りも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本 件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップ エネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業 者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されてい るとは認められない。」（３１頁１１行〜１７行） ｆ 「・・・の記載は，活性層の両面に，ＩｎＧａＮまたはＧａＮより なり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１のクラッ ド層５，７が接し，第１のクラッド層５，７の外側に第２のクラッド 層４，８が形成された，図１に示される層構造の窒化物半導体発光素 子についての記載であり，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が 接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構 成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエ ネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」，つまり，ＩｎＧａ Ｎよりなり，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて結晶が柔らかい第１の クラッド層が，活性層の一方の面のみに接する本件発明１についての 記載ではない。」（３１頁３４行〜３２頁６行） ｇ 「・・・に記載された窒化物半導体発光素子は，活性層の両面にＩ ｎＧａＮよりなる第１のクラッド層（Ｉｎ 0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１の ｎ型クラッド層と，Ｉｎ 0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層） が接し，第１のクラッド層の外側に第２のクラッド層（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層と，Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第２のｐ 型クラッド層）が形成された窒化物半導体発光素子であり，「活性層 の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面にｐ型Ａ ｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンド ギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒化物半導 体発光素子」，つまり，活性層の片面のみにＩｎＧａＮよりなる第１ のクラッド層が接する本件発明１とは，構成が異なるものである。 よって，単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと， 発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図２に，・・・が記載され ているとしても ，該記載は，本件 発明１に当てはまるものでは な い。」（３２頁１３行〜２９行） ｈ 「 小括 上記２以外の記載をみても，本件明細書の発明の詳細な説明は， 「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の第２の面 にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体の本来 のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する窒 化物半導体発光素子」である本件発明１の「活性層を構成する窒化物 半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光 を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度 に明確かつ十分に記載したものとは認められない。」（３２頁３０行 〜３３頁１行） 前記 本件審決は， ａ及びｂの各記載部分においては， 本件発明１の要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従い，「インジウム およびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有 する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接 してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え， 該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる 第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性 層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低 いエネルギーの光を発光する ことを特徴とする窒化物半導体発光素 子。」と記載しているものの，これに続く部分では何らの根拠も示さな いまま，請求項及び明細書の記載について，本件訂正を認めているにも かかわらず，本件発明１の発明特定事項から，「ｎ型窒化物半導体層に 接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体 層を備え」る点を除外し，本件発明１を「活性層の第１の面に接してＩ ｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活 性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒 化物半導体層を備え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギ ャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する，窒化物半導体 発光素子」と言い換え，その後は，ｈの記載部分に至るまで一貫して， 本件発明１が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層 の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導 体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光 する窒化物半導体発光素子」であることを前提に，本件明細書の発明の 詳細な説明の記載が，当業者がその実施をすることができる程度に明確 かつ十分に記載されたものであるか否か，すなわち，実施可能要件を充 たすものであるか否かを判断している。 以上によれば，本件審決は，本件発明１の要旨を，その発明特定事項 から「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）より なる第２のｎ型窒化物半導体層」を備える点を除外した構成，すなわち， 「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ 型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ （０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，活性層を構成する 窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギー の光を発光する，窒化物半導体発光素子」と認定し，これを前提に本件 明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充たすものであるか 否かを判断しているといえる。 一方，本件発明１の要旨は，前記イ 求項１の記載，すなわち，その発明特定事項に基づいて，「インジウム およびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有 する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎ ｘＧａ１−ｘＮ（０＜ ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接 してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え， 該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる 第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性 層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低 いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子」 であると認められるから，本件審決は，本件明細書の発明の詳細な説明 の記載が本件発明１について実施可能要件を充たすものであるか否かを 判断するに際し，本件発明１の要旨の認定を誤ったものというべきであ る。 ところで，本件審決は，前記 のとおり，形式的には，本件発明１の 要旨を本件訂正後の請求項１の記載に従って記載した上で，その「特徴 的構成」が「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ層が接し，該活性層の 第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を構成する窒化物半導体 の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光す る窒化物半導体発光素子」であるとして，当該構成について，実施可能 要件を判断している。 前記イ認定のとおり，本件発明１は，ＬＥＤ素子の発光波長は，その 活性層のＩｎＧａＮのＩｎの組成比を大きくするか又は活性層にドープ する不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させ ることが可能であるが，ＬＥＤ素子には発光波長が長くなるに従って発 光出力が大きく低下するという問題があり，また，不純物がドープされ たＩｎＧａＮ活性層には，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光 出力が大きく低下するという問題があったことから，本件発明１は，上 記課題を解決し，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させる ことにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現する ことを目的とし，その解決手段として本件訂正後の請求項１記載のとお りの構成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大き い活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を 発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を 活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネル ギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しか も，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小 さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備 えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用する ことにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格 段に向上するという効果を奏するものである。 そして，本件明細書の段落【００３７】の「窒化物半導体において， ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０−６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は ５．５９×１０−６／Ｋであることが知られている。ＩｎＮに関しては， 完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎ Ｎの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数の順序はＩ ｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。」との記載によれば，熱膨張係数の順序 は，ＩｎＧａＮ＞ＡｌＧａＮとなること，段落【００３９】及び【００ ４０】の記載によれば，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主 とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有する従来の窒化物半導体発光 素子では，Ａｌを含むクラッド層が結晶の性質上非常に硬い性質を有し ており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層と の界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａ Ｎ活性層で弾性的に緩和できないことから，活性層の厚さを薄くするに 従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる という傾向があったが，本件発明１では，ＩｎとＧａとを含む活性層６ に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成し，この第１ のｎ型クラッド層５が，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の 間のバッファ層として作用し，活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ 型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察され，活性層の膜厚が薄 い状態においても活性層の結晶性が良くなるので，発光出力が増大する とされていることからすれば，本件発明１が「ｎ型窒化物半導体層に接 してＡｌ ａ Ｇａ １−ａ Ｎ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体 層」を備える点は，その発明の特徴を構成するものであるというべきで あり，これを「特徴的構成」から除外する点においても，本件審決の上 記認定は誤りであるといわざるを得ない。 実施可能要件の判断の誤りについて ア 原告は，本件審決が，本件発明１の「活性層を有する窒化物半導体の本 来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点 について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記 載したものとは認められないと判断したことが誤りである旨主張するので， 以下において判断する。 イ 本件発明１は，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させるこ とにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現すること を目的とし，その解決手段として本件訂正後の請求項１記載のとおりの構 成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層 を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ， かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性 的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそ れより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒 化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化 物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１ のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾 性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を 奏するものであることは，前記認定のとおりである。 ウ 活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」 について 本件発明１は，インジウム及びガリウムを含む窒化物半導体よりなり， 第１及び第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接して ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該 活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型 窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌ ａＧａ１−ａＮ （０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を 量子井戸構造とすることにより，活性層を構成する窒化物半導体の「本 来のバンドギャップエネルギー」よりも低いエネルギーの光を発光する ことを特徴とする窒化物半導体発光素子である。 そして，本件発明１は， 記載のとおり，熱膨張係数の小さ いクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層 と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構 造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これによ り活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性 層の発光波長を長波長化するものであるから，本件発明１において，活 性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」と は，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する 窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと 解される。 本件明細書の段落【００３３】，【００３４】及び【図２】の記載に よれば，本件明細書には以下の事項が記載されているものと認められる。 ａ 【図２】は，単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピ ーク波長との関係を示すグラフ図であるが，この実験に用いられた発 光素子は，いずれも，下層から「第２のｎ型クラッド層（０．１μｍ のＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）／第１のｎ型クラッド層（５０ ０オングストロームのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）／活性層／第１のｐ型ク ラッド層（２０オングストロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９ Ｎ）／第２のｐ型クラッド層（０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇ ａ０．７Ｎ）」が順に積層されたダブルへテロ構造を有し，単一量子井戸 構造の活性層は，線αでは，ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる 半導体が，線βでは，ノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる半導体が 用いられている。 ｂ 【図２】のうち，単一量子井戸構造の活性層として，ノンドープＩ ｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体が用いられた線αを参照すると，活 性層の膜厚が厚い領域（２００オングストローム程度以上の領域）で は，発光ピーク波長が３８０ｎｍ程度の一定値となる。 他方，活性層の膜厚が薄い領域（２００オングストローム程度以下 の領域）では，発光ピーク波長は，膜厚が薄くなるのに伴って４２０ ｎｍ程度まで長くなる。 ｃ 上記実験結果は，活性層の膜厚が厚い領域では，上下のクラッド層 と活性層の界面に引っ張り応力が発生しても，活性層の膜厚が厚いた め，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用せず，活性層が引っ張り応 力の影響を実質的には受けないために，発光ピーク波長が一定値とな るが，膜厚が薄い領域では，活性層全体が引っ張り応力を受けて弾性 的に変形し，その結果，バンドギャップエネルギーが小さくなること によるものと解することができる。 ｄ 活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンド ギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の 活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエ ネルギー」を意味するものと解されることからすれば，活性層（活性 層を構成する窒化物半導体）の「本来のバンドギャップエネルギー」 は，【図２】（単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピ ーク波長との関係を示すグラフ図）において，活性層の厚さが厚い領 域における発光ピーク波長に相当するものであるといえる。 ｅ したがって，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ ０．０５ Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を用いた場合（線α）には，「本来のバン ドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程 度である。 エ 実施例４について 実施例１（段落【００４３】〜【００５１】）のＬＥＤ素子は，ＭＯ ＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１ の上に，ＧａＮよりなるバッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト 層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ）， ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングスト ローム），ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子 井戸構造，３０オングストローム），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる 第１クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ よりなる第２クラッド層８（０．１μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコン タクト層９を順次形成したものである。 実施例４（段落【００５４】）のＬＥＤ素子は，「第１のｐ型クラッ ド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製し た」ものであると記載されているから，当業者であれば，実施例１にお いて，ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層７の成長を省略 すれば，実施例４のＬＥＤ素子を作製することができるものと認められ る。 実施例４のＬＥＤ素子は，サファイア基板１の上に，ＧａＮよりなる バッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層３，ｎ型Ａｌ ０．３Ｇａ０． ７ Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ ０．０１Ｇａ０．９９ Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープ Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造，３０オング ストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０． １μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９が順次積層されて形成 されたものである。 ここで，実施例４の「ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層 ４」，「ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５」，「ノン ドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）」及 び「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８」は，それぞれ， 本件発明１の「ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化 物半導体層」，「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半 導体層」，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり， 第１および第２の面を有する活性層」及び「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜ １）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当するから，実施例４のＬＥＤ 素子は，本件発明１の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有する ものであると認められる。 そして，本件明細書には，実施例４のＬＥＤ素子は，「発光ピーク波 長４２５ｎｍの青色発光を示し」たことが記載されている（段落【００ ５４】）。 記載のとおり，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープ Ｉｎ０．０５ Ｇａ ０．９５ Ｎを用いた場合の「本来のバンドギャップエネルギ ー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であるから，実施例 ４のＬＥＤ素子では，単一量子井戸構造でノンドープのＩｎ０．０５Ｇａ０． ９５ Ｎよりなる活性層は，本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエ ネルギーの光（４２５ｎｍ）を発光したことになる。 オ 前記イないしエによれば，本件明細書の発明の詳細な説明における実施 例４には，本件発明１と同一の積層構造を有するＬＥＤ素子の製造方法が 記載されており，かつ，このＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４２５ｎｍ） は，活性層を形成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーに 相当する発光ピーク波長（３８０ｎｍ程度）よりも長いこと，すなわち， このＬＥＤ素子が，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャッ プエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することが記載されている といえる。 したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明（特許 法2条3項1号）である本件発明１について，当業者がこれを生産するこ とができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されてい るというべきである。 カ 被告の主張について 被告は，原告が実施可能要件に関する主張立証責任を負うにもかかわ らず，無効審判請求や訂正審判請求において，実施例４に基づく主張を していなかったのであるから，本件審決が実施例４について言及しなか ったとしても，これにより，本件審決の判断が違法とされる理由はない 旨主張する。 しかしながら，本件審決は，本件明細書のうち段落【０００８】〜 【００１２】，【００１６】〜【００２３】，【００３２】〜【００３ ７】，【００３９】，【００４０】，【図１】及び【図２】の記載につ いて，順に，これらの記載が本件発明１について実施可能要件を充足す るものであるかを検討したのに続き，「上記２以外の記載をみても，本 件明細書の発明の詳細な説明は，「活性層の第１の面にｎ型ＩｎＧａＮ 層が接し，該活性層の第２の面にｐ型ＡｌＧａＮ層が接し，該活性層を 構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエ ネルギーの光を発光する窒化物半導体発光素子」である本件発明１の 「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよ りも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施を することができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められな い。」（３２頁３１行〜３３頁１行）としていることに照らせば，本件 明細書の全記載を判断の対象として，実施可能要件違反の判断をしたも のと認められる。 したがって，本件審決が実施例４の記載（段落【００４３】〜【００ ５１】，【００５４】）について判断していないとはいえないから，こ の点において被告の上記主張は理由がない。 被告は，本件明細書では，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層は，本来のバンドギ ャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すものであるが， 量子井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍ と長波長化している（段落【００３４】，【００５１】）のに対し，甲 １２では，Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層は，実施例２にあるとおり，本来のバン ドギャップエネルギーでは５１０ｎｍの緑色発光を示すものであるが， 量子井戸構造をとる実施例６においては，発光ピーク波長が４５０ｎｍ と短波長化している（段落【００４５】）として，本件明細書の実施例 ４の記載によっても，甲１２の記載との対比でみれば，本件発明１はど のように実施可能であるのか不明である旨主張する。 ａ 甲１２には，実施例２として，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層 の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型ＧａＮよりなる ｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２ のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりな る第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープ Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が４００オングストローム あり，量子井戸構造ではない。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる 第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇ ａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ），ｐ型ＧａＮ よりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層して形成した ＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，５１０ｎｍであったこと（段落【０ ０３３】〜【００４１】），実施例６として，ＭＯＶＰＥ法による窒 化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型Ｇ ａＮよりなるｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ よりなる第２のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ ０．０１Ｇａ ０．９９ Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム）， ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が２０オングス トロームの，単一量子井戸構造である。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ よりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型 Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ）， ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層し て形成したＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，４５０ｎｍであったこと （段落【００３３】〜【００４０】，【００４５】）が，開示されて いる。 ｂ 被告の上記主張は，本件明細書における，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層の 本来のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）と実施例１のＬ ＥＤ素子の発光ピーク波長（４１０ｎｍ）とを比較した結果と，甲１ ２における，実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ） と実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）とを比較し た結果とが矛盾しているとして，これを問題とするものであり，両者 をその結果のみをもって単純に比較することができることを前提とし た主張であるといえる。 しかしながら，本件明細書において，Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層の本来 のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）は，「単一量子井戸 構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク 波長との関係を示す図」である【図２】から求められたものであるか ら，これと本件明細書の実施例１のＬＥＤ素子との比較は，活性層を 単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子間における発光ピーク波長の比較 であるのに対し，甲１２の実施例２は，活性層が膜厚４００オングス トローム であり， これと甲１２の実施例６のＬＥＤ素子との比較は，活性層が量子井戸 量子井戸構造としたＬＥＤ素子（実施例６）との間において発光ピー ク波長を比較しようとするものである。 ｃ 甲１２には，「ところで，活性層６を量子井戸構造（単一量子井戸 構造または多重量子井戸構造）とすることにより，発光波長の半値幅 がより狭くなり，発光出力も向上することがわかった。」（段落【０ ０１６】），「ここで，量子井戸構造とは，ノンドープの活性層構成 窒化物半導体（好ましくは，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１））による 量子準位間の発光が得られる活性層の構造をいい，単一量子井戸構造 とは，井戸層が単一組成の１層よりなる構造を指す。すなわち，単一 量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また， 多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造 を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井 戸層により構成される。すなわち，多重量子井戸構造の活性層は，例 えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異なる） 等の井戸層／障壁層の組み合わせからなり，これら井戸層および障壁 層を交互に積層した薄膜積層構造である。このように，活性層６を多 重量子井戸構造とする場合，障壁層は，ＩｎＧａＮばかりでなく，Ｇ ａＮで形成することもできる。活性層６を多重量子井戸構造とすると， 単一量子井戸構造の活性層よりも発光出力が向上する。」（段落【０ ０１７】）と記載されているように，量子井戸構造は，ノンドープの 活性層構成窒化物半導体による量子準位間の発光が得られる活性層の 構造であるから，活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子である 甲１２の実施例６においては，量子準位間のバンドギャップエネルギ ーで発光ピーク波長が決まるのに対し，活性層が量子井戸構造ではな いＬＥＤ素子である甲１２の実施例２においては，量子準位が形成さ れないため，量子準位間のバンドギャップエネルギーで発光ピーク波 長が決まるものではない。 したがって，甲１２の実施例２のＬＥＤ素子の活性層は，実施例６ の活性層と同じノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎで形成されていても，そ 活性層の「本来のバ ンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長とは異なるもの である。 ｄ そうすると，甲１２において，活性層が単一量子井戸構造ではない 実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と比べて，実 施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）が短波長化して いても，これが直ちに本件明細書の記載と矛盾するとはいえず，また， その発明の詳細な説明の記載内容の解釈に影響を及ぼすものであると もいえない。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 被告は，本件明細書の段落【００１３】においては，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ のバンドギャップエネルギーＥｇを表す式が「Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２ ・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ）」と記載されており，ボーイングパラメー ターを表すＢが欠落していることに加え，ボーイングパラメータ（Ｂ） は，１．０ｅＶではないから，上記計算式は客観的に誤りである，上記 計算式が誤っている以上，本件発明１において，「活性層を構成する窒 化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの 光を発光する」という前提である，「本来のバンドギャップエネルギ ー」を定めることもできないのであるから，本件発明１は実施不能であ る旨主張する。 本件明細書の段落【００１３】には，「ところで，ＩｎＮのバンドギ ャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ１で，ＧａＮのバンドギャップ エネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと，窒化物半導体ＩｎｘＧ ａ１−ｘＮの本来のバンドギャップエネルギーＥｇは，式 Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋ Ｅｇ２・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ） により算出することができる。活性層の本来の発光波長λは，λ＝１２ ４０／Ｅｇに相当する。」との記載があり，この計算式は，ボーイング パラメーターを表す「Ｂ」を欠落しており，正確なものとはいえない。 しかしながら，前記ウのとおり，本件明細書の【図２】は，実際にＬ ＥＤ素子を作製して行った実験結果に基づき作成された，単一量子井戸 構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ 図であり，これと段落【００３３】及び【００３４】の記載から，単一 量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半 導体を用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」 に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であることを把握するこ とができ，また，これと比較される実施例４のＬＥＤ素子の発光ピーク 波長である４２５ｎｍというのも，段落【００５４】にあるとおり，実 際にＬＥＤ素子を作製して行った実験結果に基づくものであるから，段 落【００１３】に記載された計算式が上記のとおり誤っていたとしても， このことが，直ちに前記判断を左右し得るものではない。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 被告は，ＩｎＧａＮ層中には組成不均一があることが知られており， 局所的にＩｎ組成が高い領域において発光が起きるから，特定の組成の ＩｎＧａＮ層であっても，どの程度の発光波長となるか不明であるとい うことになり，「本来のバンドギャップエネルギー」を定めることは不 可能であるというべきであるから，本件発明１は実施不能であるという ことになる旨主張する。 しかしながら，本件発明１において，活性層を構成する窒化物半導体 の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を 受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバン ドギャップエネルギー」を意味するものと解されること，本件明細書の 段落【００３３】，【００３４】及び【図２】の記載から，単一量子井 戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を 用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」に相当 する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であることを把握することがで きることは，前記ウ認定のとおりであり，本件発明１において，「本来 のバンドギャップエネルギー」を定めることが不可能であるとはいえな い。 したがって，被告の上記主張は理由がない。 小括 以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，本件発明１につ いて，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度 に明確かつ十分に記載されているというべきであるから，本件明細書の発明 の詳細な説明の記載が本件発明１についての実施可能要件（平成１１年改正 前特許法36条4項）を欠くとの本件審決の判断は誤りであるといわざるを 得ない。 ３ 取消事由２（本件発明２ないし９についての実施可能要件の判断の誤り）に ついて 本件審決は，本件発明２ないし９について，「本件発明２は，本件発明１に おいて，活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚を３００オングストローム以 上に限定したものに相当する。本件発明３は，本件発明１において，活性層の 第２の面に接するＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層 上にｐ型コンタクト層を備える点を限定したものに相当する。本件発明４ない し本件発明９は，本件発明１ないし本件発明３のいずれかにおいて，活性層の 構成を限定したものに相当する。よって，本件発明１と同様に理由により，本 件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明２ないし本件発明９について，当 業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは 認められない。」と判断した（３３頁５行〜１５行）。 しかしながら，本件審決における本件発明１についての実施可能要件の判断 に誤りがあることは，前記２のとおりであるから，本件明細書の発明の詳細な 説明の記載が本件発明２ないし９についての実施可能要件（平成１１年改正前 特許法36条4項）を欠くとの本件審決の判断も誤りであるといわざるを得な い。 ４ 結論 以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由があるから，本件審決は 取消しを免れない。 よって，原告の請求を認容することとし，主文のとおり判決する。 知的財産高等裁判所第４部 裁判長裁判官 富 田 善 範 裁判官 田 中 芳 樹 裁判官 柵 木 澄 子 （別紙） 本件明細書図面目録 【図１】 【図２】 【図４】 |