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| 事件 |
平成
24年
(ワ)
15614号
特許権侵害行為差止等請求事件
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| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 東京地方裁判所 |
| 判決言渡日 | 2014/06/24 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 民事訴訟 |
| 判例全文 | |
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判例全文
平成２６年６月２４日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官 平成２４年（ワ）第１５６１４号 特許権侵害行為差止等請求事件 口頭弁論終結日 平成２６年４月１０日 判 決 東京都千代田区＜以下略＞ 原 告 ＪＸ日鉱日石金属株式会社 同訴訟代理人弁護士 高 橋 雄 一 郎 同訴訟代理人弁理士 望 月 尚 子 相模原市中央区＜以下略＞ 被 告 三菱電機メテックス株式会社 同訴訟代理人弁護士 近 藤 惠 嗣 重 入 正 希 前 田 将 貴 同補佐人弁理士 加 藤 恒 松 井 重 明 永 井 豊 主 文 原告の請求をいずれも棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 事 実 及 び 理 由 第１ 請求 １ 被告は，別紙被告製品目録記載１及び２の各製品（以下，それぞれ「被告製 品１」，「被告製品２」といい，「被告各製品」と総称する。）を，生産し， 使用し，譲渡し，譲渡の申出をしてはならない。 ２ 被告は，原告に対し，１６２０万円及びこれに対する平成２４年６月１５日 から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。 第２ 事案の概要 本件は，発明の名称を「電子材料用銅合金及びその製造方法」とする特許権 を有する原告が，被告による被告各製品の製造,販売等が上記特許権の侵害に 当たると主張して，被告に対し，特許法100条1項に基づく被告各製品の生 産等の差止め及び特許権侵害の不法行為に基づく損害賠償金の一部の支払を求 める事案である。 １ 争いのない事実等（後掲各証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事 実を含む。） (1) 当事者 原告及び被告は，いずれも銅合金の製造及び販売等を業とする株式会社で ある。 (2) 原告の特許権 ア 次の特許権（以下「本件特許権」といい，本件特許権に係る特許を「本 件特許」という。）は，出願人である日鉱金属株式会社を権利者として登 録され，日鉱金属加工株式会社への権利移転を経て，平成１８年５月２９ 日に日鉱金属株式会社が，平成２２年９月２９日に原告が，順次一般承継 した（本件特許の特許出願の願書に添付された明細書及び図面につき後記 ウ(ウ)の訂正後のものを「本件明細書」という。また，原告は，日鉱金属 株式会社の一般承継人であるから，以下において日鉱金属株式会社のこと も区別せずに「原告」という。）（甲１）。 登 録 番 号 特許第３３８３６１５号 出 願 日 平成１１年８月５日（特願平１１−２２１９８７号） 登 録 日 平成１４年１２月２０日 発明の名称 電子材料用銅合金及びその製造方法 イ 本件特許の特許出願に対しては，平成１３年９月７日付けで，特開昭５ ８−１２３８４６号公報（乙２。以下「乙２文献」という。）及び特開平 １０−１１０２２８号公報（乙３。以下「乙３文献」という。）に基づく 進歩性欠如をいう旨の拒絶理由通知（乙１。以下「本件拒絶理由通知」と いう。）が発せられたが，出願人による同年１１月１５日付け意見書（乙 ４。以下「本件意見書」という。）の提出を経て，特許登録されるに至っ た。 ウ 本件特許の訂正の経過は次のとおりである（甲２８〜３０，４０の３， ４２）。 (ア) 本件特許の登録時の特許請求の範囲の請求項３の記載は，次のとお りである（以下，この発明を「本件発明」という。）。 「１．０〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｍａｓｓ％のＳ ｉを含有し，さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａ ｌ，Ｐ，Ｍｎ，Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２． ０ｍａｓｓ％含有し，残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり，そし て介在物の大きさが１０μｍ以下であり，且つ５〜１０μｍの大きさ の介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍu未満であること を特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。」 (イ) 原告は，平成２５年５月１０日，訂正審判請求をし，同年６月２１ 日付け請求成立の審決の確定により，(ア)の記載は次のとおり訂正され た（以下，この訂正を「本件訂正１」といい，訂正に係る発明を「本件 訂正発明１」という。） 「２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｍａｓｓ％の Ｓｉを含有し，且つＳｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２． ７〜５．１になるように調整し，さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔ ｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｍｎ，Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０． ００５〜２．０ｍａｓｓ％含有し，残部がＣｕ及び不可避的不純物か らなり，そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり，且つ５〜１０ μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍu未 満であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張強さが６７０Ｎ ／ｍu以上であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料 用銅合金。」 (ウ) さらに，原告は，平成２５年１０月２８日，訂正審判請求をし，平 成２６年３月１４日付け請求成立の審決の確定により，(イ)の記載は次 のとおり訂正された（以下，この訂正を「本件訂正２」といい，訂正に 係る発明を「本件訂正発明２」という。） 「２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｍａｓｓ％の Ｓｉを含有し，且つＳｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２． ７〜５．１になるように調整し，さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔ ｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｍｎ，Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０． ００５〜２．０ｍａｓｓ％含有し，残部がＣｕ及び不可避的不純物か らなり，そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり，且つ５〜１０ μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ｍu以 下であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張強さが６７０Ｎ ／ｍu以上であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料 用銅合金。」 エ 本件発明，本件訂正発明１及び本件訂正発明２の構成要件を分説すると， 次のとおりである（以下，分説した構成要件を，それぞれ「構成要件Ａ」 などという。）。 (ア) 本件発明 Ａ １．０〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び Ｂ ０．２〜１．４ｍａｓｓ％のＳｉを含有し， Ｃ さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｐ，Ｍ ｎ，Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．０ｍａｓ ｓ％含有し， Ｄ 残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり， Ｅ そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり， Ｆ 且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で ５０個／ｍu未満であることを特徴とする Ｇ 強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。 (イ) 本件訂正発明１ Ａ' ２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び Ｂ' ０．２〜１．４ｍａｓｓ％のＳｉを含有し， 且つＳｉに対するＮ ｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１になるように調整し， Ｃ' さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｍｎ，Ａ ｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含 有し， Ｄ 残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり， Ｅ そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり， Ｆ' 且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で ５０個／ｍu未満であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張 強さが６７０Ｎ／ｍu以上であることを特徴とする Ｇ 強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。 (ウ) 本件訂正発明２ Ａ' ２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び Ｂ' ０．２〜１．４ｍａｓｓ％のＳｉを含有し，且つＳｉに対するＮｉ の含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１になるように調整し， Ｃ' さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｍｎ，Ａ ｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含 有し， Ｄ 残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり， Ｅ そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり， Ｆ''且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で ４５個／ｍu以下であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張 強さが６７０Ｎ／ｍu以上であることを特徴とする Ｇ 強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。 (3) 被告の行為 被告は，型式番号を「Ｍ７０２Ｓ」及び「Ｍ７０２Ｕ」とする銅合金製品 の製造，販売及び販売の申出をしている。その構成は別紙「被告各製品の構 成」のとおりである（以下，それぞれの構成を「構成１−ａ」，「構成２− ａ」などという。）。 ２ 争点及び争点に関する当事者の主張 (1) 争点１（被告各製品の特定）について （原告の主張） ア 原告は，被告が「Ｍ７０２Ｓ」及び「Ｍ７０２Ｕ」の型式番号で製造販 売する銅合金製品のうち以下の構成（以下，次の(ア)及び(イ)記載の構成 をそれぞれ「構成１−ａ'」，「構成２−ａ'」などといい，「本件構成」 と総称する。）を有するものを「被告各製品」と特定し，本件における差 止め及び損害賠償請求の対象とする。 (ア) 被告製品１は，「Ｍ７０２Ｓ」のうち， １−ａ' Ｎｉ含有量が２．３２ｍａｓｓ％以上， １−ｂ' Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５． １， １−ｃ' Ｚｎ，Ｓｎ及びＡｇの総量が０．００５〜２．０％ の構成のものである。 (イ) 被告製品２は，「Ｍ７０２Ｕ」のうち， ２−ａ' Ｎｉ含有量が２．３２ｍａｓｓ％以上， ２−ｂ' Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５． １， ２−ｃ' Ｚｎの量が０．００５％以上 の構成のものである。 イ 被告各製品は，被告が製造販売する上記型式番号の各製品のうち本件構 成を有するものとして特定されているから，特定に不備はない。そして， 後記のとおり，被告による被告各製品の製造及び販売等は本件特許権の侵 害に当たるから，原告は，被告に対し，被告各製品の製造及び販売等の差 止めを求めることができる。 （被告の主張） ア 被告が製造販売する製品は型式番号により特定された製品であり，その うちの一部が本件構成を有すると主張するのであれば，原告は，本件構成 を有する製品を工番等により特定すべきである。また，Ｎｉ及びＳｉの具 体的な含有量を主張して，これが「Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ ％）比が２．７〜５．１」の構成であることを具体的に主張すべきである。 イ 特許権侵害に基づく差止めを求めるためには，対象製品について，社会 通念上差止めの対象として他と区別できる程度に特定する必要がある。原 告は，特定の型式番号の製品のうち特許請求の範囲と同じ本件構成を有す る製品を差止めの対象として特定するが，原告による被告各製品の特定は 社会通念上差止めの対象として他の製品と区別することが不可能であり， 不適法である。 (2) 争点２（本件訂正発明２の技術的範囲の属否）について （原告の主張） ア 構成要件Ｂ'の充足 被告各製品は，被告が製造販売する製品のうち，更に構成１−ｂ'及び ２−ｂ'を有する製品であるから，構成要件Ｂ'の「Ｓｉに対するＮｉの含 有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１」を充足する。 イ 構成要件Ｄの充足 (ア) 「残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり」の解釈 「不可避的不純物」とは，最終製品を得るまでの製造過程において， 意図して導入するまでもなく鉄鋼材料中に存在することが自明であり， その存在は不要であるが，微量であることから鉄鋼製品の特性に必ずし も影響を及ぼさないため存在するままにされている不純物を意味し，不 可避的不純物に当たるか否かの判断は発明の作用効果との関係によるべ きであり，当該成分が積極的に残存されたか否かといった製造者の主観 的意図によるべきではない。 また，「残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり」とは，残部に不可 避的不純物が含まれていても含まれていなくてもよく，さらに，合金の 特性に影響を与える元素でなければ不可避的不純物以外の成分を残存さ せる場合も含まれると解される。 (イ) 構成１−ｄによれば，被告製品１が含有するホウ素（Ｂ）はごく微 量であるため，強度，電気伝導率，曲げ加工性，エッチング性及びめっ き性とは無関係であるから，「不可避的不純物」に当たる。仮に，「不 可避的不純物」に当たらないとしても，合金の特性に影響を与える元素 ではないから，「残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり」に当たる。 構成２−ｄによれば，被告製品２は不可避的不純物を含まないが，前 記(ア)のとおり不可避的不純物を含まない場合も「残部がＣｕ及び不可 避的不純物からなり」に当たる。 したがって，被告各製品は，構成要件Ｄを充足する。 ウ 構成要件Ｆ''の充足 (ア) 介在物個数が「４５個／ｍu以下」の解釈 「４５個／ｍu以下」とは，０個／ｍuの場合を当然に含む。 原告は，本件意見書において，引用文献に酸化物や硫化物を小さくす ることまでは記載されていないことに言及したにすぎず，酸化物及び硫 化物を含めた介在物が０個／ｍuである場合を除外するような主張はし ていない。 (イ) 被告各製品は，構成１−ｆ及び２−ｆのとおり，５〜１０μｍの大 きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で０個／ｍu，導電率が４０ ％ＩＡＣＳ以上，引張強さが６７０Ｎ／ｍu以上であるから，構成要件 Ｆ''を充足する。 エ その余の構成要件の充足 構成１−ａ及び１−ａ'，１−ｃ及び１−ｃ'，１−ｅ，１−ｇ，２−ａ 及び２−ａ'，２−ｃ及び２−ｃ'，２−ｅ，２−ｇによれば，構成要件Ａ ’，Ｃ'，Ｅ及びＧも充足するから，被告各製品は本件訂正発明２の技術 的範囲に属する。 （被告の主張） ア 構成要件Ｂ'の非充足 被告が製造販売する製品は，２．２〜３．２ｍａｓｓ％のＮｉ及び０． ４〜０．８ｍａｓｓ％のＳｉを含有する（構成１−ａ，１−ｂ，２−ａ， ２−ｂ）ところ，これによれば，「Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ ％）比が常に２．７〜５．１」になるとは限らない。この点は，原告が主 張する，Ｎｉの含有量が２．３２ｍａｓｓ％以上の構成（構成１−ａ'， ２−ａ'）の製品に限定したとしても同様である。 したがって，被告が製造販売する製品は，構成１−ｂ'及び２−ｂ'を有 するとはいえないから，構成要件Ｂ'を充足しない。 イ 構成要件Ｄの非充足 (ア) 「残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり」の解釈 「不可避的不純物」とは，意図して導入していないにもかかわらず鉄 鋼材料中に微量に存在しているものを意味し，良い影響を及ぼすために 添加されたもの，及び積極的に添加されていなくても，良い影響がある ために敢えて除去しない不純物は「不可避的不純物」に当たらない。 また，「残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり」というためには， 残部がＣｕ及び不可避的不純物のみから成ることを要し，Ｃｕ及び不可 避的不純物以外の成分を含有する場合はこれに当たらない。 (イ) 被告が製造販売する「Ｍ７０２Ｓ」はＢを含有しているが（構成１ −ｄ），Ｂは積極的に残存させた成分であるから，「不可避的不純物」 には当たらない。したがって，上記製品は，Ｃｕ及び不可避的不純物の ほかにＢを含むものであるから，「Ｃｕ及び不可避的不純物からなり」 とはいえず，構成要件Ｄを充足しない。 ウ 構成要件Ｆ''の非充足 (ア) 介在物個数が「４５個／ｍu以下」の解釈 原告は，本件意見書において，本件発明の意義は粗大な介在物の分布 の概念を新たに導入し，介在物の分布の許容範囲を見いだした点にある 旨記載しており，このような記載によれば，原告は，本件発明は５〜１ ０μｍの大きさの介在物が存在することを前提としてその許容範囲を見 いだした点に特徴があると述べていることが明らかである。 このように，原告は，出願経過において，介在物個数が０個／ｍuの 場合を除外する主張をしていたのであるから，本件訴訟において，構成 要件Ｆ''について，介在物個数が０個／ｍuの場合を含むと主張するこ とは許されない。 (イ) 被告が製造販売する製品は，構成１−ｆ及び２−ｆのとおり，５〜 １０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で０個／ｍuで あるから，構成要件Ｆ''を充足しない。 (3) 争点３（無効理由の有無）について （被告の主張） ア 乙３文献に基づく新規性又は進歩性欠如 (ア) 新規性欠如 乙３文献には，@ 段落【００２１】及び【００２２】の合金例１８， １９，３１，３２，３３欄に，構成要件Ａ'，Ｂ'，Ｃ'の構成が，A 【請求項１】に構成要件Ｄの構成が，B 段落【００２３】及び【００ ２４】の合金例１８，１９，３１，３２，３３欄に，構成要件Ｆ''の 「導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張強さが６７０Ｎ／ｍu以上 であることを特徴とする」構成が，C 段落【０００１】及び【００３ ９】に構成要件Ｇの構成がそれぞれ記載されている。 また，構成要件Ｅ及びＦ''の「介在物」とは，析出物，晶出物，酸化 物及び硫化物を意味するが，走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により銅合金 を観察しても，析出物，晶出物，酸化物及び硫化物のいずれであるかを 区別することはできない。そうすると，実施例の銅合金の析出物又は晶 出物の大きさを走査型電子顕微鏡により測定した結果３μｍ以下であっ た旨の乙３文献の記載（段落【００１４】，【００２０】【００２３】 及び【００２４】）は，酸化物及び硫化物を含む介在物の大きさが３μ ｍ以下であることと同義であり，段落【００１９】にはこのような銅合 金の製造方法も記載されている。以上によれば，乙３文献には，構成要 件Ｅ及び構成要件Ｆ''の「且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧 延方向に平行な断面で４５個／ｍu以下であり」の構成（ただし，０個 ／ｍuを含むとした場合。以下，無効理由の主張について同じ。）の開 示もある。 したがって，本件特許には新規性欠如の無効理由がある。 (イ) 進歩性欠如 仮に，本件訂正発明２と乙３文献記載の発明について，本件訂正発明 ２は，酸化物及び硫化物を含む介在物の大きさが１０μｍ以下であり， かつ，５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４ ５個／ｍu以下という構成を有する（構成要件Ｅ及びＦ''）のに対し， 乙３文献記載の発明には，酸化物及び硫化物の大きさや個数を限定する 構成を有していないという点で相違するとしても，本件特許の特許出願 当時，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金の分野において，酸化物及び硫化物は， 銅合金の製造過程で不可避的に生じる不純物であって，作用効果の向上 に寄与しない一方で，めっき性等を悪化させるものであり，その大きさ が小さい方が好ましいことは当業者の技術常識であり，酸化物及び硫化 物を含む介在物の大きさを３μｍ未満に抑える技術が確立され，開示さ れていたことからすれば，乙３文献記載の発明にこのような周知技術を 組み合わせることにより，本件訂正発明２の構成に容易に想到すること ができる。 したがって，本件特許には進歩性欠如の無効理由がある。 イ カタログ（乙５）に基づく新規性欠如 (ア) 本件特許出願前である平成１０年３月に頒布された刊行物であるカ タログ「三菱電機 高強度・高導電銅合金 Ｍ７０２Ｃ・Ｍ７０２Ｓ」 （乙５。以下「乙５文献」という。）には，「Ｍ７０２Ｓ」の構成とし て，構成要件Ａ'，Ｃ'，Ｇの構成及び構成要件Ｆ''の「導電率が４０％ ＩＡＣＳ以上であり，引張強さが６７０Ｎ／ｍu以上であることを特徴 とする」構成が開示され，さらに，「不可避的不純物」に関する原告の 解釈を前提とすると，構成要件Ｄの構成も開示されている。 (イ) 乙５文献に記載されたＮｉ及びＳｉの含有量についてそれぞれの上 限と下限の値の中間値を用いて計算すると，Ｓｉに対するＮｉの含有量 （ｍａｓｓ％）比は２．７〜５．１の範囲内となるから，構成要件Ｂ' の構成も開示されている。 (ウ) 乙５文献の「Ｍ７０２Ｓ」の断面写真（以下「乙５写真」という。 なお，これを拡大したものは乙２７。）は，圧延方向に垂直な断面を撮 影したものであり，乙５写真によれば，「介在物の大きさが１０μｍ以 下であり，５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面 で４５個／ｍu以下であること」が明らかであって，構成要件Ｅ及びＦ ''の構成も開示されている。 (エ) 以上によれば，本件特許には新規性欠如の無効理由がある。 ウ 公然実施に基づく新規性欠如 (ア) 被告は，本件特許出願前に，型式番号Ｍ７０２Ｃの銅合金（以下 「Ｍ７０２Ｃ」という。）を製造し，ＣＨＩＮＦＯＮ Ｓ＆Ｔ ＴＷＮ 社等に対し，公然と引き渡した。 (イ) Ｍ７０２Ｃは，構成要件Ａ'，Ｂ'，Ｃ'，Ｄ，Ｅ，Ｇの構成及び構 成要件Ｆ''のうち「且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向 に平行な断面で４５個／ｍu以下であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上 であり」の構成を有する。 Ｍ７０２Ｃの引張強さは６７０Ｎ／ｍu以上ではないが，製造上６７ ０Ｎ／ｍu以上とすることに特段の困難はなく，当業者として同一製品 とみなすことができる範囲であるから，Ｍ７０２Ｃは構成要件Ｆ''の 「引張強さは６７０Ｎ／ｍu以上」の構成をも有する。 (ウ) したがって，本件訂正発明２と公然実施されたＭ７０２Ｃは同じ構 成を有するから，本件特許には新規性欠如の無効理由がある。 エ 訂正要件違反 構成要件Ｃを構成要件Ｃ’のとおり訂正することは，特許請求の範囲を 拡張するものである。すなわち，@ ２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ 及び，A ０．２〜１．４ｍａｓｓ％のＳｉを含有し， Ｓｉに対するＮ ｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１であって，B Ｚｎを１． ５ｍａｓｓ％，Ｓｎを０．５ｍａｓｓ％，Ａｌを０．０００１ｍａｓｓ％ 含有する銅合金について，訂正の前後における技術的範囲の属否を検討す ると，訂正前の発明では，Ａｌは構成要件Ｃの成分であるから，「（Ｚｎ， Ｓｎ，Ａｌ…のうち１種以上を）総量で０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含 有し」（構成要件Ｃ）を充足しないのに対し，訂正後の発明ではＡｌは 「不可避的不純物」（構成要件Ｄ）に該当し，構成要件Ｃ'及びＤを充足 する。 したがって，本件特許には特許法126条5項違反の無効理由がある。 オ 訂正により生じたサポート要件違反 本件訂正１により付加された「Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ ％）比が２．７〜５．１になるように調整し」（構成要件Ｂ'）に関し， 願書に添付した明細書及び本件訂正１後の明細書には，ＳｉとＮｉの含有 量比をこのような数値範囲に限定する技術的意義の記載がなく，「願書に 添付した明細書に記載した事項の範囲内」の訂正とはいえないから特許法 126条5項違反であり，また，本件訂正１による訂正後の明細書の発明 の詳細な説明に記載がないから同条７項，同法36条6項1号違反である。 （原告の主張） ア 乙３文献に基づく新規性又は進歩性欠如 (ア) 乙３文献は，特許出願手続に際して審査官が引用した審査引例であ り，本件特許の出願審査並びに本件訂正１及び本件訂正２の審査請求の 際に，乙３文献との関係での新規性及び進歩性は認められている。 (イ) 本件訂正発明２と乙３文献は，本件訂正発明２は「介在物の大きさ が１０μｍ以下であり，かつ，５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧 延方向に平行な断面で４５個／ｍu以下」である（構成要件Ｅ及び構成 要件Ｆ''）のに対し，@ 乙３文献には酸化物や硫化物について言及が ない点，A 乙３文献は「圧延方向に平行な断面」での介在物の個数の 評価もされていない点で相違する。 @について，走査型電子顕微鏡及びこれに付属しているＥＰＭＡ装置 により，析出物及び晶出物といった合金そのものと酸化物及び硫化物を 区別することができるから，乙３文献の走査型電子顕微鏡により測定し たという記載は，析出物，晶出物のみを測定したと理解することが可能 である。 また，Aについて，圧延を経た銅合金の介在物は，中央部分よりも表 面に近い部分の方が個数が多く大きさも大きいから，断面観察の方が表 面観察よりも粗大な介在物の個数が多いはずである。乙３文献はエッチ ング処理を行わずに表面観察をしているから，「圧延方向に平行な断 面」における介在物個数及び大きさを評価していない。 (ウ) 以上によれば，本件訂正発明２と乙３文献の発明が同一であるとは いえないし，本件訂正発明２が乙３文献から容易に想到し得たものであ るともいえないから，本件特許に無効理由は存在しない。 イ 乙５文献に基づく新規性欠如 (ア) 乙５文献は，本件特許の特許出願前ではなく，平成１５年前後に頒 布されたものである。 (イ) 乙５文献に，Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．８ 〜８．０となる構成が記載されているとしても，本件訂正発明２は数値 範囲を限定した選択発明であるから，構成要件Ｂ’の「Ｓｉに対するＮ ｉの含有量（ｍａｓｓ％）比は２．７〜５．１」より広い数値範囲が記 載されていることにより新規性違反の問題は生じない。 乙５写真は，カタログ用の写真で介在物の大きさや分布は感得できな いこと，介在物を観察するのに充分なエッチング処理が行われていない ことから，乙５写真に構成要件Ｅ及びＦ''の構成が開示されているとは いえない。 (ウ) 以上によれば，本件訂正発明２と乙５文献の発明は同一であるとは いえず，本件特許に無効理由は存在しない。 ウ 公然実施に基づく新規性欠如 (ア) 被告が，本件特許出願前に，製造及び引渡しをしたＭ７０２Ｃはサ ンプル品であり公然実施していたとはいえない。 (イ) Ｍ７０２Ｃが「介在物の大きさが１０μｍ以下であり，かつ，５〜 １０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ｍu 以下」（構成要件Ｅ，Ｆ’’）の構成を有していたかは明らかではない。 (ウ) 以上によれば，本件訂正発明２と公然実施品が同一であるとはいえ ず，本件特許に無効理由は存在しない。 エ 訂正要件違反 訂正後の発明において「不可避的不純物」（構成要件Ｄ）と解される成 分は，訂正前の発明においても「不可避的不純物」と解すべきである。し たがって，被告が例に挙げた銅合金は，訂正前後の発明の構成要件Ｃない しＣ'及びＤを充足するものと解されるから，当該訂正が特許請求の範囲 を拡張するものとはいえず，訂正要件に反することはない。 オ 訂正により生じたサポート要件違反 「Ｓｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１になる ように調整し」（構成要件Ｂ'）は，願書に添付した明細書及び本件訂正 １後の明細書の発明の詳細な説明の記載に基づくものであり，特許法１２ 6条5項及び７項，同法36条6項1号に反するものではない。 (4) 争点４（原告の損害額）について （原告の主張） 平成２２年１１月９日から平成２４年５月３１日までの被告各製品の売上 げは５億０５０８万円を下らない。 原告が第三者に本件特許を実施許諾する場合の実施料率は５％を下らない から，原告が被告各製品の製造販売行為に対し受けるべき金員の額は２５２ ５万４０００円であり，同額が本件特許権侵害による原告の損害である（特 許法102条3項）。 よって，原告は，被告に対し，上記損害の一部である１６２０万円及びこ れに対する不法行為の後である平成２４年６月１５日（訴状送達日の翌日） から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める。 （被告の主張） 争う。 第３ 当裁判所の判断 １ 争点２（本件訂正発明２の技術的範囲の属否）について (1) 争点１のとおり被告各製品の構成には争いがあるが，構成要件Ｆ’’に 対応する構成（構成１−ｆ，２−ｆ）に関しては争いがないので，同構成要 件の充足性についてまず検討することとする。 (2) 原告は，被告各製品は５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に 平行な断面で０個／ｍuである（構成１−ｆ，２−ｆ）から，構成要件Ｆ'' の「５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ ｍu以下」を充足すると主張する。これに対し，被告は，原告は本件特許の 出願手続において「４５個／ｍu以下」には０個／ｍuの場合が含まれない ことを前提とする主張をしたから，原告が本件訴訟において「４５個／ｍu 以下」（構成要件Ｆ’’）は０個／ｍuを含むと主張することは許されない とする。 (3) そこで検討するに，後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば以下の事実が 認められる。 ア 本件明細書の発明の詳細な説明には，次の趣旨の記載がある（甲４０の ３）。 (ア) 【発明が解決しようとする課題】 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は，銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ 系金属間化合物粒子が析出することにより強度と導電率が上昇するが， 反面強度の向上に寄与しない粗大な晶出物がマトリックス中に残存し 易く，またＳｉが活性で，酸化物等が発生し易いため，マトリックス 中にこれら晶出物，酸化物等の比較的大きな粒子が介在した組織とな り易い。これらの粗大な粒子が存在すると，エッチング時のスマット の発生量が増え，エッチング後のリードの端面に突起として残存し， めっき加工する際突起部に異常電着し，短絡等電気的障害が発生する ことがあり，また，めっきを行なった際のめっき剥がれ，めっき脹れ， 染み，突起（つぶ）の発生という問題を引き起こす可能性があり，さ らには，曲げ加工を行った際にクラック発生の起点となり製品の加工 性を低下させる要因となるという問題点があった。本件訂正発明２は 上述した問題解決のため，十分な強度及び電気伝導度を有しつつ，曲 げ加工性，エッチング性及びめっき性に優れた電子材料用銅合金を提 供することを目的としている。（段落【０００５】，【０００６】） (イ) 【課題を解決するための手段】 上記の問題点を解決するため，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の成分調整を 行った上で，必要に応じＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ， Ａｌ，Ｐ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｂｅを含有させるとともに，製造条件を制御・ 選定してマトリックス中の析出物，晶出物，酸化物等の介在物の分布の 制御を行うことにより，電子材料用銅合金として好適な素材を提供でき ることを見いだした。本件訂正発明２は，上記知見を基にして完成され たもので，２．３２〜４．８ｍａｓｓ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｍａ ｓｓ％のＳｉを含有し，且つＳｉに対するＮｉの含有量（ｍａｓｓ％） 比が２．７〜５．１になるように調整し，さらにＭｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｆ ｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｍｎ，Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量 で０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含有し，残部がＣｕ及び不可避的不純 物からなり，そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり，且つ５〜１ ０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ｍu以 下であり，導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であり，引張強さが６７０Ｎ／ ｍu以上であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅 合金であり，リードフレーム，端子，コネクター用として十分な強度と 電気伝導性を兼備せしめ，さらには曲げ加工性，エッチング性，めっき 性も良好な銅合金に関する。（段落【０００７】，【０００８】）。 (ウ) 【発明の実施の形態】 本件訂正発明２において，「介在物」とは，鋳造時の凝固過程に生じ る一般に粗大である晶出物並びに溶解時の溶湯内での反応により生じる 酸化物，硫化物等，更には，鋳造時の凝固過程以降，すなわち凝固後の 冷却過程，熱間圧延後，溶体化処理後の冷却過程及び時効処理時に固相 のマトリックス中に析出反応で生じる析出物であり，本銅合金のＳＥＭ 観察によりマトリックス中に観察される粗大な粒子を包括するものであ る。「介在物の大きさ」は，介在物をＳＥＭ観察下でその介在物を含む 最小円の直径をいう。「介在物の個数」とは，材料の圧延方向に平行な 断面においてエッチング後ＳＥＭ観察により多数箇所で実際に数えた単 位平方ｍｍ当たりの介在物個数である。（段落【０００９】） 介在物について，この合金系ではマトリックス中に介在物の粒子が存 在することがあるところ，この合金に必要な強度を得るための析出物は 微細であり，０．５μｍを超える粗大な析出物，晶出物等の介在物は強 度に寄与しないばかりか，特に大きさが１０μｍを超える粗大なものは 曲げ加工性，エッチング性，めっき性を著しく低下させる。このような 不具合を起こさないためには，この粗大な介在物の大きさの上限を１０ μｍとする必要がある。また本発明者は，介在物の分布と曲げ加工性， エッチング性，めっき性との相関を調査し，５〜１０μｍの粗大な介在 物であっても，圧延方向に平行な断面において５０個／ｍu未満であれ ば，これらの特性を損なうことがないことを見いだした。（段落【００ １２】） (エ) 【実施例】 実施例及び比較例の各合金につき諸特性の評価を行うに際し，介在物 個数は，材料の圧延方向に平行な断面をエッチング後ＳＥＭで観察し， 多数箇所において実際に数えた単位平方ｍｍ当たりの大きさ５〜１０μ ｍの介在物個数である。（段落【００１９】） イ 本件特許の出願経過に関し，次の事実が認められる（乙１〜４）。 (ア) 本件拒絶理由通知には次の趣旨の記載がある。 乙２文献には，本件発明に係る合金と合金組成が重複し析出物粒子の 粒径が５μｍ以下である電子材料用銅合金及び当該銅合金についてめっ き密着性の向上が求められていると記載されているが，乙２文献と合金 組成が類似する銅合金において析出物及び晶出物粒子の粒径を５μｍ以 下とし，めっき密着性の向上を図る技術は周知である（乙３文献）。し たがって，乙２文献記載の銅合金において，晶出物粒子の粒径を５μｍ 以下とし，めっき密着性の更なる向上を図ることに困難事由はなく，本 件発明は進歩性を欠く。 (イ) 乙２文献（昭和５８年７月公開）には，本件発明と合金組成が重複 し，析出粒子を５μｍ以下とする，強度，半田付け性，めっき密着性に 優れた半導体機器用リード材が記載されている。また，乙３文献（平成 １０年４月公開）には，晶出物又は析出物の大きさを３μｍ未満とする， 打ち抜き加工性，めっき性等に優れた電子機器用銅合金が記載されてい る。 (ウ) 原告は，本件拒絶理由通知を受けて，次のとおりの記載のある本件 意見書（下線は出願人による。）を提出した。 「従来から，粗大な介在物は有害であることが知られていましたが，本 願発明においては，上記した，『これら粗大な介在物の分布』について 許容範囲を見出した点が大きな特徴であります。」 「引用文献１（判決注：乙２文献）は析出物に関する記載はあるものの， 晶出物，酸化物，硫化物等粗大な介在物を形成する粒子に関する記載は ありません。また，その析出物の粒径は５μｍ以下という大きさのみの 規定で，本願発明の『所定の大きさの介在物の単位面積当りの個数とい った，介在物の分布』に関する記載はありません。」 引用文献２（判決注：乙３文献）において「晶出物又は析出物の大き さを３μｍ未満とする理由は，３μｍ以上では貴金属めっきの密着性や めっき層の耐加熱膨れ性が低下するためです（引用文献２段落[００１ ４]）。 引用文献２においても，引用文献１と同様に晶出物，析出物は小さく することのみに注目し，介在物の分布を制御することは記載されていま せん。」 「以上，本願発明は，析出物だけでなく，晶出物，酸化物，硫化物等 を含めた介在物の分布に注目し，５〜１０μｍの大きな粒径の介在物で あっても許容できる単位面積当たりの個数（５０個／ｍu以下）を規定 したものですが，引用文献１及び２は粗大な介在物の有害性について， 記載されているものの，その大きさを小さくする技術しか開示されてい ません。」 「介在物粒子を小さくすれば特性改善が図れることは容易に判断でき ますが，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金は，活性な（酸化され易い）Ｓｉを 含有する溶解鋳造が難しい合金系であります。本願発明では，この合金 系において，単に介在物の大きさだけでなく，引用文献１，２では開示 されていない，単位面積当りの個数で表される，『介在物の分布』の概 念を新たに導入しました。すなわち，粒径がある程度大きな介在物があ っても，その分布状態によっては，曲げ加工性，エッチング性，めっき 性が低下せず，良好な特性が得られる事が判明しました。その結果とし て，介在物の許容範囲を広げ，この合金系の製造を容易にし，本願発明 は，工業的にも非常に有意義な発明であり，引用文献１，２を寄せ集め ることにより，容易に発明できたものではありません。」 (4) 上記事実関係に基づいて判断するに，本件訂正発明２の特許請求の範囲 にいう「以下」とは基準となる数量（４５個）と同じ又はこれより少ない数 量を意味するものであるから，その文言上は，０個の場合を含むと解するこ とが可能である。 しかし，本件明細書の記載によれば，本件訂正発明２は，「介在物の分布 の制御を行うことにより」従来技術の問題点を解決するものであり（前記 (3)ア(イ)），５〜１０μｍの粗大な介在物の分布が圧延方向に平行な断面 において４５個／ｍu未満であれば曲げ加工性等の特性を損なうことがない との知見（同(ウ)参照）に基づくものである。そして，５〜１０μｍの粗大 な介在物が０個であれば「粗大な介在物の分布」は問題とならないから，本 件明細書の記載を考慮すると，上記大きさの介在物が０個の場合はその技術 的範囲に属しないと解することができる。 これに加え，原告は，析出物及び晶出物粒子の粒径をすべて５μｍ以下と することは容易である旨をいう本件拒絶理由通知に対し，本件意見書におい て，介在物を小さくすれば銅合金の特性改善が図れることは知られていたが， 粗大な介在物が存在してもその個数が一定限度であれば良好な特性が得られ るという，粗大な介在物の分布の概念を新たに導入した点に本件発明の意義 がある旨を述べたものである。本件意見書の上記記載は，５〜１０μｍの大 きさの介在物が存在する場合にのみ本件発明の技術的意義が認められ，５〜 １０μｍの介在物が０個の場合はその技術的範囲に含まれないことを前提と しているものと解される。 そうすると，原告は，構成要件Ｆにいう「５〜１０μｍの大きさの介在物 個数が…５０個／ｍu未満」であることの意義につき，これが０個／ｍuの 場合を含まない旨を本件意見書において言明し，これにより本件拒絶理由通 知に基づく拒絶を回避して特許登録を受けることができたものであるから， 本件訴訟において上記介在物の個数が構成要件Ｆ’’の「４５個／ｍu以 下」に０個／ｍuの場合が含まれると主張することは，上記出願手続におけ る主張と矛盾するものであり，禁反言の原則に照らし許されないというべき である。 したがって，構成要件Ｆ’’にいう「４５個／ｍu以下」には０個／ｍu の場合が含まれないと判断することが相当である。 (5) これに対し，原告は，本件意見書は，本件拒絶理由通知の引用文献に酸 化物及び硫化物を小さくすることが記載されていないことを述べたものであ り，５〜１０μｍの介在物個数が０個／ｍuの場合を除外したものではない と主張する。 しかし，本件意見書には酸化物及び硫化物の大きさを小さくすることが本 件発明の特徴であるとの記載はなく，かえって，従来の技術常識から介在物 粒子を小さくすれば特性改善が図れることは容易に判断できるが，介在物の 分布の概念を導入したことが本件発明の特徴であることが記載されている。 そうすると，本件意見書の記載内容については上記(4)のように解するのが 相当であり，原告の主張は採用できない。 (6) 以上のとおり，構成１−ｆ，２−ｆは構成要件Ｆ’’を充足せず，した がって，被告が製造販売する製品は，本件訂正発明２の技術的範囲に属しな い。 ２ 争点３（無効理由の有無）について 前記１で判断したとおり，構成要件Ｆ’’にいう「４５個／ｍu以下」には 介在物個数が０個／ｍuの場合を含まないと解すべきものであるが，その文言 上はこれを含むと解することもできるので，そのように解した場合に本件特許 に無効理由があるかについて念のため検討する。 (1) 乙３文献に基づく新規性欠如について ア 乙３文献には次の趣旨の記載がある（乙３）。 (ア) Ｎｉを０．４〜４．０ｗｔ％，Ｓｉを０．１〜１．０ｗｔ％含み， ０．０５〜１．５ｗｔ％のＺｎ，０．０１〜０．５ｗｔ％のＭｇ，０． ０１〜０．５ｗｔ％のＭｎ，０．００１〜０．３ｗｔ％のＡｇの中から 選ばれる１種又は２種以上を総計で０．００１〜１．５ｗｔ％含み，更 にＰｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃａ，Ｔｅ，Ｐ，Ｂａ，希土類元素の中か ら選ばれる１種以上を総計で０．００２〜０．２ｗｔ％含み，Ｓ，Ｏ２ の含有量が各々０．００５ｗｔ％未満であり，残部Ｃｕ及び不可避的不 純物からなる組成の銅合金であって，前記銅合金の晶出物又は析出物の 大きさが ３μｍ未満，結晶粒度が１０μｍ未満であることを特徴とす る電子機器用銅合金。（【請求項１】） (イ) 実施例及び比較例として得られた板材について，@ 結晶粒の大き さ，A 晶出物又は析出物の大きさ，B 強度，C 導電率，D めっ き性，E 半田付性，F 打抜加工性を調査した。A晶出物又は析出物 の大きさは走査型電子顕微鏡 (５０００倍) により測定した。（段落 【００１９】，【００２０】） 実施例及び比較例の組成（ただし，Ｎｉ／Ｓｉは乙３文献の記載から 計算して求めた。小数第２位以下四捨五入。），晶出物又は析出物の大 きさ，導電率及び強度は次のとおりである。（段落【００２１】〜【０ ０２４】，【表１】〜【表４】） No. Ｎｉ Ｓｉ Ni/Si 他の元素 晶出物又は析出 導電率 強度 (wt％) (wt％) (wt％) 物大きさ(μm) (%IACS) (N/ｍu ) 18 2.56 0.59 4.3 Zn,Mn,Pの総量0.59 1.3 52 685 19 2.52 0.60 4.2 Zn,Mn,Pの総量0.63 1.7 54 705 31 2.47 0.58 4.3 Zn,Mnの総量0.52 1.8 50 670 (ウ) 本発明の電子機器用銅合金は，強度と導電性に優れ，又貴金属めっ き性，半田付性，打抜加工性にも優れる。（段落【００３９】） イ 以上によれば，乙３文献には， (ア) ２．４７〜２．５６ｗｔ％のＮｉ及び， (イ) ０．５８〜０．６０ｗｔ％のＳｉを含有し，かつＳｉに対するＮｉ の含有量（ｗｔ％）比が４．２〜４．３であり， (ウ) さらに，Ｚｎ及びＭｎ又はＺｎ，Ｍｎ及びＰを総量で０．５２〜０． ６３ｗｔ％含有し， (エ) 残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり， (オ) 走査型電子顕微鏡（５０００倍）により測定した晶出物又は析出物 の大きさが１．３〜１．８μｍであり， (カ) 導電率が５０〜５４％ＩＡＣＳ，強度が６７０〜７０５Ｎ／ｍuで ある， (キ) 強度及び導電性の優れた銅合金 の構成が記載されている（以下，これに記載された発明を「乙３発明」と いう。）。 乙３文献における「ｗｔ％」及び「強度」は，本件訂正発明２における 「ｍａｓｓ％」及び「引張強さ」に相当するから，上記(ア)〜(エ)，(カ) 及び(キ)によれば，乙３文献には，本件訂正発明２の構成要件Ａ'，Ｂ'， Ｃ'，Ｄ及びＧの構成並びに構成要件Ｆ''のうち「導電率が４０％ＩＡＣ Ｓ以上であり，引張強さが６７０Ｎ／ｍu以上」の構成が開示されている ことが明らかである。 ウ そこで，乙３文献に，「介在物の大きさが１０μｍ以下であり，５〜１ ０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ｍu以 下」（構成要件Ｅ及びＦ''）の構成が開示されているかについて検討する。 被告は，乙３発明の「走査型電子顕微鏡（５０００倍）により測定した 晶出物又は析出物の大きさが１．３〜１．８μｍ」との構成（前記イ (オ)）について，(ア) 「晶出物又は析出物」は本件訂正発明２の「介在 物」と同視でき，(イ) そうすると，乙３発明の上記構成は，介在物の大 きさが５μｍ未満という構成と同義であるから，乙３発明には「介在物の 大きさが１０μｍ以下であり，５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延 方向に平行な断面で４５個／ｍu以下（ただし，０個／ｍuの場合を含む ものとした場合）」の構成が開示されていると主張する。 (ア) まず，乙３発明の「晶出物又は析出物」を本件訂正発明２の「介在 物」と同視できるかを検討すると，証拠（乙３２）及び弁論の全趣旨に よれば，@ 銅合金を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察すると，二次 電子像（いわゆるＳＥＭ画像）により，晶出物，析出物，酸化物，硫化 物等の粗大な粒子の大きさ及び個数を測定することができるが，晶出物， 析出物，酸化物，硫化物等のいずれであるかの区別はできないこと，A ＥＰＭＡ装置により特性Ｘ線を検出してＳ及びＯを同定する分析を行い， これにより得られるＳを同定したＥＰＭＡ画像及びＯを同定したＥＰＭ Ａ画像とＳＥＭ画像とを対照すれば，ＳＥＭ画像で観察した粒子から酸 化物及び硫化物を除外することが可能であること，B ＥＰＭＡ画像を 撮影して分析するためには，単にＳＥＭ画像を撮影して分析するのに比 し，数十倍の時間を要することが認められる。 他方，乙３文献には，「晶出物又は析出物の大きさ」の測定のために， 上記@のＳＥＭ画像の観察のほかに，上記AのＥＰＭＡ装置による分析 を行ったことの記載はない。また，乙３文献には，有害な不純物である Ｓ及びＯ２の量を厳密に規定した（段落【００１３】）ことの記載はあ るが，酸化物及び硫化物の粒子の大きさに関する記載はなく，ＳＥＭ画 像で観察される粗大な粒子に酸化物及び硫化物が含まれていることを示 唆する記載もない。 そうすると，乙３発明について上記AのＥＰＭＡ装置による分析を行 ったとは認められず，乙３発明の「晶出物又は析出物の大きさ」（前記 イ(オ)）は，上記@のＳＥＭ画像により観察された粗大な粒子の大きさ を意味するものと解される。 さらに，本件明細書（甲４０の３）には，介在物個数はＳＥＭで観察 したものであること（段落【００１９】）が記載されているから，本件 訂正発明２の「介在物」も，ＳＥＭ画像により観察される粗大な粒子で あると解される。 以上によれば，乙３発明の「晶出物又は析出物」も本件訂正発明２の 「介在物」もＳＥＭ画像により観察される粗大な粒子であり，測定の対 象は同じであるから，乙３発明の「晶出物又は析出物」（前記イ(オ)） は，本件訂正発明２の「介在物」（構成要件Ｅ及びＦ''）と同視できる というべきである。 (イ) 次に，乙３発明の「大きさが１．３〜１．８μｍ」という構成（前 記イ(オ)）について検討する。 乙３発明は「晶出物又は析出物の大きさが３μｍ未満」とする発明に 係る実施例ないし比較例であること，乙３文献には，晶出物又は析出物 の大きさが３μｍ以上だとめっき性等が悪化するとの記載がある（段落 【００１４】）ことからすれば，乙３発明における「晶出物又は析出物 の大きさ」とは，これらの粒子の大きさの最大値をいうものと解される。 したがって，乙３発明における「大きさが１．３〜１．８μｍ」には， 粒子の大きさが５μｍ未満である構成が開示されているものと解される。 そして，前記(ア)のとおり，乙３発明における「晶出物又は析出物」 は，本件訂正発明２における「介在物」と同視できるから，乙３発明は， 「介在物の大きさが１０μｍ以下であり，かつ，５〜１０μｍの大きさ の介在物個数が圧延方向に平行な断面で４５個／ｍu以下（０個／ｍu の場合を含む。）」（構成要件Ｅ及びＦ''）の構成を実質的に開示する ものである。 エ これに対し，原告は，@ 乙３文献にはエッチング処理をしたことが記 載されていないから，乙３発明の「晶出物又は析出物の大きさ」はエッチ ング処理をせずに銅合金の表面を観察したもので，測定方法が不適切であ ること，A 銅合金の介在物の大きさは，表面に近い部分より中央部分の 方が大きいから，「圧延方向に平行な断面」の観察を行っていない乙３発 明に，「５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で４ ５個／ｍu以下」の構成が開示されているとはいえないことを主張する。 しかし，@について，証拠（甲１２，３７，乙６，３０，３１）及び弁 論の全趣旨によれば，電子顕微鏡により銅合金を観察する際には必要に応 じて薬液によるエッチング処理を行うのが一般的であり，また，エッチン グ処理をしていない表面からは介在物の大きさの最大値は観察できないこ とが認められる。前記ウ(イ)のとおり，乙３発明は粒子の大きさの最大値 に着目して測定するものであるから，測定に先立って適切なエッチング処 理をするのは当然であり，乙３文献に明示されていないからといって，エ ッチング処理を行わずに表面を観察したものであることにはならない。 次に，Aについて，原告の主張する，銅合金の表面に近い部分より中央 部分の方が介在物が大きいことを認めるに足りる証拠はない。乙３文献に は，銅合金を切断した旨の記載はないから，銅合金の表面に適切なエッチ ング処理をし，上方から観察したものと解されるところ，このように観察 した介在物の大きさが１．３〜１．８μｍであれば，これを圧延方向に平 行な断面で観察したとしても「５〜１０μｍの大きさの介在物個数が４５ 個／ｍu」を上回ることはないものと推認することができる。 したがって，原告の主張はいずれも採用できない。 オ 以上によれば，乙３発明は本件訂正発明２と実質的に同一の構成を開示 するものである。そして，乙３文献には乙３発明の製造方法が説明され， 当業者が当該構成を実施し得る程度の記載があると認められるから，本件 訂正発明２は新規性を欠くものというべきである。 (2) したがって，本件訂正発明２に係る特許は特許無効審判により無効にさ れるべきものと認められるから，特許法104条の3第1項により，原告は， 本件特許権を行使することができない。 ３ 結論 以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，原告の請求はいず れも理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。 東京地方裁判所民事第４６部 裁判長裁判官 長 谷 川 浩 二 裁判官 清 野 正 彦 裁判官 橋 彩 （別紙） 被告製品目録 １ Ｍ７０２Ｓ ただし，Ｎｉ含有量が２．３２ｍａｓｓ％以上，Ｓｉに対するＮｉの含有量 （ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１，Ｚｎ，Ｓｎ及びＡｇの総量が０．００５〜 ２．０％のもの ２ Ｍ７０２Ｕ ただし，Ｎｉ含有量が２．３２ｍａｓｓ％以上，Ｓｉに対するＮｉの含有量 （ｍａｓｓ％）比が２．７〜５．１，Ｚｎの量が０．００５％以上のもの （別紙） 被告各製品の構成 １ Ｍ７０２Ｓ １−ａ ２．２〜３．２ｍａｓｓ％のＮｉ及び １−ｂ ０．４〜０．８ｍａｓｓ％のＳｉを含有し， １−ｃ さらにＺｎ，Ｓｎ及びＡｇを含有し １−ｄ 残部がＣｕからなり，さらに，最大０．１ｍａｓｓ％のＢを含み， １−ｅ そして１０μｍよりも大きい介在物がなく， １−ｆ 且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で０個 ／ｍuであり，導電率が４０％ＩＡＣＳであり，引張強さが７５０〜８５ ０Ｎ／ｍuであり， １−ｇ ９０°曲げ試験結果が圧延方向及びこれと直角な方向において夫々１． ０max（厚さが０．２０ｍｍを超える場合には２．０max）Ｒ／ｔである高 強度・高導電銅合金 ２ Ｍ７０２Ｕ ２−ａ ２．２〜３．２ｍａｓｓ％のＮｉ及び ２−ｂ ０．４〜０．８ｍａｓｓ％のＳｉを含有し， ２−ｃ さらにＺｎを含有し， ２−ｄ 残部がＣｕからなり， ２−ｅ そして１０μｍよりも大きい介在物がなく， ２−ｆ 且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で０個 ／ｍuであり，導電率が５０％ＩＡＣＳであり，引張強さが７５０〜８５ ０Ｎ／ｍuであり， ２−ｇ ９０°曲げ試験結果が圧延方向と直角な方向において１．５max（厚さ が０．３ｍｍを超える場合には２．０max）Ｒ／ｔである高強度・高導電 銅合金 |