ポートフォリオ機能
この判例には、下記の判例・審決が関連していると思われます。
| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成24行ケ10295審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10118審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成24行ケ10314審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10155審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 平成25行ケ10036審決取消請求事件 | 判例 | 特許 |
| 元本PDF |
裁判所収録の全文PDFを見る
 |
|---|
| 事件 |
平成
24年
(行ケ)
10433号
審決取消請求事件
|
|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2013/09/19 |
| 権利種別 | 特許権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
|
判例全文
平成２５年９月１９日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官 平成２４年（行ケ）第１０４３３号 審決取消請求事件 口頭弁論終結日 平成２５年８月２２日 判 決 原 告 日立電線株式会社訴訟承継人 日 立 金 属 株 式 会 社 訴訟代理人弁理士 長 谷 川 芳 樹 荒 井 寿 王 城 戸 博 兒 阿 部 寛 平 野 裕 之 沖 川 寛 被 告 特 許 庁 長 官 指 定 代 理 人 服 部 秀 男 樋 口 信 宏 守 屋 友 宏 星 野 浩 一 主 文 １ 特許庁が不服２０１１−２８１５５号事件につい て平成２４年１１月５日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 事実及び理由 第１ 請求 主文１項と同旨 第２ 事案の概要 １ 特許庁における手続の経緯等 (1) 日立電線株式会社（以下「日立電線」という。）は，平成１６年８月１３日， 発明の名称を「太陽電池用平角導体及びその製造方法並びに太陽電池用リード線」 とする特許出願（特願２００４−２３５８２３号。請求項の数６）をした（甲１）。 特許庁は，平成２３年９月３０日付けで拒絶査定をしたため，日立電線は，同年 １２月２８日，これに対する不服の審判を請求した。 (2) 特許庁は，これを不服２０１１−２８１５５号事件として審理し，平成２４ 年１１月５日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下「本件審 決」という。）をし，その謄本は，同月２０日，日立電線に送達された。 (3) 日立電線は，平成２４年１２月１９日，本件審決の取消訴訟を提起した。 (4) 原告は，平成２５年７月１日，日立電線を吸収合併した。 ２ 特許請求の範囲の記載 本件審決が判断の対象とした特許請求の範囲の請求項１の記載（平成２２年９月 ２４日付け手続補正書（甲６）による補正後のもの）は，次のとおりである（以下， 請求項１に記載された発明を「本願発明」といい，本願発明に係る明細書（甲１， ３，６）を，図面を含めて「本願明細書」という。）。 体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下で，かつ引張り試験における０．２％耐力値が ９０ＭＰａ以下（ただし，４９ＭＰａ以下を除く）であることを特徴とする太陽電 池用平角導体。 ３ 本件審決の理由の要旨 (1) 本件審決の理由は，別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本願発明 は，特願２００６−５１３６９８号（国際出願日：平成１７年（２００５年）５月 １８日）が優先権主張の基礎とする特願２００４−１５２５３８号（平成１６年５ 月２１日出願。以下「先願基礎出願」という。）の願書に最初に添付された明細書 又は図面（甲１０。以下，明細書及び図面を総称して，「先願基礎明細書」とい う。）に記載された発明（以下「先願基礎発明」という。）と実質的に同一である， というものである。 (2) 本件審決が認定した先願基礎発明は，次のとおりである。 体積抵抗率が２．３μΩ・ｃｍ以下で，かつ耐力が１９．６〜４９ＭＰａである 太陽電池用芯材 (3) 対比 ア 一致点 体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下で，かつ引張り試験における０．２％耐力値が ９０ＭＰａ以下である太陽電池用平角導体 イ 相違点 本願発明は，引張り試験における０．２％耐力値について，「（ただし，４９Ｍ Ｐａ以下を除く）」とされている点 (4) 判断の要旨 先願基礎発明は，芯材を低耐力材とすることにより，半導体基板にはんだ付けす る際に生じる熱応力を軽減解消することができ，半導体基板にクラックが生じ難く するものであり，芯材の耐力について，半導体基板にクラックが生じない範囲とし て４９ＭＰａ以下に特定したものであるが，クラックの発生が芯材の耐力によって のみ影響されるものでないことは当業者に明らかであり，さらに，半導体基板の厚 さにも依存するものであると認められるから，上記耐力の範囲は，中間層の構成や 半導体基板の厚さ等に応じて適宜決定されるべき設計事項というべきであり，芯材 の耐力が４９ＭＰａ以下である構成は，かかる設計事項を特定したものである。 そうすると，前記相違点に係る本願発明の構成である「（ただし，４９ＭＰａ以 下を除く）」とされる点は，先願基礎発明において適宜決定されるべき設計事項の 相違にとどまるものであって，技術的思想すなわち発明として格別の差異を生じる ものとは認められない。 したがって，本願発明は，先願基礎発明と実質的に同一のものというべきである。 ４ 取消事由 本願発明と先願基礎発明との実質的同一性に係る判断の誤り 第３ 当事者の主張 〔原告の主張〕 １ 一致点の認定について 先願基礎出願当時の「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」では，耐力はオフセット法，永久伸 び法，又は全伸び法のいずれかの方法によって算出するとされており，０．２％耐 力値は，オフセット法の備考欄に耐力の式によって例示されているのみであるから， 「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」に規定された方法の引張試験で測定した耐力が０．２％耐 力値であるとは限らないというべきである。 先願基礎発明の耐力は，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」に規定されたいずれかの方法で 測定したか不明である以上，０．２％耐力値であると一義的にいうことはできない。 したがって，先願基礎発明の耐力が本願発明と同様に０．２％耐力値であるか否 か不明であるにもかかわらず，先願基礎発明と本願発明とが引張り試験における０． ２％耐力値が９０ＭＰａ以下の点で一致するとした本件審決の認定は誤りである。 ２ 相違点に係る判断について (1) 本願発明は，シリコンセルの反りに着目し，反りを生じ難くすることを解決 課題とし，「０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下（ただし，４９ＭＰａ以下を除 く）」とする課題解決手段を採用することにより，太陽電池モジュールの生産性や 信頼性の低下を抑制するという効果を奏するものである。 他方，先願基礎発明は，クラック（シリコンセルの割れ目やひび割れ）に着目し， クラックを生じ難くすることを解決課題とした上で，半導体基板の厚さを因子とせ ず，「耐力を１９．６〜４９ＭＰａ」とする課題解決手段を採用するものであり， 先願基礎明細書には，シリコンセルの反り及び反りに起因する弊害を低減すること に関する記載及び示唆はない。 (2) 先願基礎発明は，クラックを生じ難くするために特定の耐力に係る数値範囲 を規定しているのに対し，本願発明は，反りを生じ難くするために，先願基礎発明 が積極的に排除した数値範囲を発明特定事項とするものである。 先願基礎発明における「１９．６〜４９ＭＰａの耐力範囲」は，先願基礎発明の 本質的部分であって，設計上適宜定められるものではない。先願基礎明細書におい て，その数値範囲以外の耐力値でクラックを生じ難くしようとする発明が開示され ているわけではないから，先願基礎発明の数値範囲が設計上適宜定められるにすぎ ないものと理解されることはあり得ない。 (3) 本件審決は，先願基礎明細書の表１（以下「表１」という。）の試料Ｎｏ． ３及び５の結果に基づいて，クラックの発生が芯材の耐力によってのみ影響される ものではないとし，また，シリコン基板として，厚さが２００μｍより厚いものを 採用すれば，耐力の上限として，４９ＭＰａより大きいもの，すなわち先願基礎発 明が排除している耐力の値を採用し得るとする。 しかしながら，表１の試料Ｎｏ．３は，体積抵抗率が大きいことから，比較例と されたものであるし，原告による実験結果（甲１９）によれば，表１のＮｏ．３に 関する記載は，クラック発生の有無に関する結果の信憑性に乏しい。また，試料Ｎ ｏ．５は，先願基礎発明及び本願発明から除外されている従来例にすぎない。 先願基礎発明は，半導体基板の厚さによらずに，耐力を１９．６ないし４９ＭＰ ａとすることによって半導体基板におけるクラックの発生を防止しようというもの であるから，「１９．６〜４９ＭＰａの低耐力材で芯材が形成されると半導体基板 にクラックが生じ難い」ことをその本質的部分としており，先願基礎明細書におい て，クラックの発生に関する他の因子は特定されていない。にもかかわらず，本件 審決は，試料Ｎｏ．３及び５の結果から，直ちに，クラックの発生が芯材の耐力に よってのみ影響されるものではないと判断し，先願基礎発明が排除している耐力に 係る数値範囲を採用できるとしているから，本件審決の判断は誤りである。 (4) 以上のとおり，本願発明と先願基礎発明とでは，発明の本質的部分である耐 力に係る数値範囲が互いに相容れない。これに加えて，両者における課題及び効果 に関する数値限定の技術的意義も互いに異なっているから，両発明が実質的に同一 の発明であるということはできない。 〔被告の主張〕 １ 一致点の認定について 「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」により測定される耐力は，オフセット法，永久伸び法又 は全伸び法のいずれかにより算出されるものであるところ，永久伸び法は耐力が規 定に合格するか否かを定める場合に，全伸び法は全伸びλ％が明らかである場合に， それぞれ用いられる方法であり，先願基礎発明の芯材のように，降伏点が明瞭でな い材料（銅等）については，一般的にはオフセット法が用いられるものである。し かも，特に規定のない場合，永久伸びの値を０．２％とするのが一般的であるから， 先願基礎発明における耐力が０．２％耐力であることは明らかである。 したがって，本件審決の一致点の認定に誤りはない。 ２ 相違点に係る判断について (1) クラックが発生するか否かは，芯材の耐力のみが影響するものではなく，半 導体基板の厚さにも依存するものであって，先願基礎発明の耐力は，中間層の構成 や半導体基板の厚さ等に応じて設計上適宜に定められたものということができる。 本願発明及び先願基礎発明は，いずれもシリコン結晶ウェハを薄板化した際に生 じる問題を解決するために，平角導体（芯材）を塑性変形させることによってはん だ付けする際の熱応力を低減させる点において，共通の技術的思想に基づく発明で ある。本願明細書において，０．２％耐力値として４９ＭＰａ以下を除くことの技 術的意義に関する記載はなく，本願発明の耐力に係る数値範囲について，９０ＭＰ ａ以下から４９ＭＰａ以下を除くことに格別の技術的意義を見いだすことはできな いから，当該事項について設計的事項を定めた以上のものということはできない。 (2) 先願基礎発明の耐力に係る数値範囲（１９．６〜４９ＭＰａ）も，設計上適 宜に定められたものにすぎないから当該数値範囲に限られるものではなく，本願発 明及び先願基礎発明における耐力に係る数値範囲の特定についての相違は，発明の 実施に際し適宜定められる設計的事項の相違にとどまるものであって，発明として 格別差異を生じさせるものではない。 (3) 原告は，実験結果を根拠として，表１のＮｏ．３に関する記載はクラック発 生の有無に関する結果の信憑性に乏しいなどと主張するが，当該主張は，先願基礎 明細書の記載に基づかない主張である。 (4) 以上のとおりであるから，本願発明は，先願基礎発明と実質的に同一である とした本件審決の判断に誤りはない。 第４ 当裁判所の判断 １ 本願発明について 本願発明の特許請求の範囲は，前記第２の２に記載のとおりであるところ，本願 明細書（甲１，３，６）には，おおむね次の記載がある。 (1) 技術分野 本願発明は，太陽電池のシリコンセルとはんだ接続してもシリコンセルの反りが 少なく，かつ，電気的特性にも優れた太陽電池用の平角導体及びその製造方法並び に太陽電池用リード線に関する発明である（【０００１】）。 (2) 背景技術 基板上にシリコン結晶を成長させた太陽電池では，通常，シリコン結晶ウェハ （シリコンセル）の所定の領域に接合した接続用リード線を通じて電力を伝送する 構成としており（【０００２】），この接続用リード線には，平角導体の表面に， セルとの接続のためのはんだめっき膜が形成される（【０００３】）。 太陽電池を構成する部材では，シリコン結晶ウェハが材料コストの大半を占める ことから，製造コストの低減を図るべく，シリコン結晶ウェハの薄板化が検討され ている。しかし，シリコン結晶ウェハを薄板化すると，接続用リード線のはんだ接 合時における加熱プロセスや，太陽電池使用時における温度変化により，はんだめ っきを介して接続したシリコンセル及び接続用リード線が反ったり，破損したりす るおそれがあるため，例えば熱膨張が小さいインバー（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎ ｉ）を銅材でクラッドし，表面にはんだめっき膜を形成したもののように，熱膨張 が小さい接続用リード線のニーズが高まっている（【０００４】【０００５】）。 (3) 発明が解決しようとする課題 銅−インバー−銅（Ｃｕ／Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ／Ｃｕ）の材料特性を，Ｃ ｕ単独，インバー単独（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ），シリコン単独の材料特性と 比較すると，低熱膨張であるインバーを用いて，銅−インバー−銅をクラッドした 平角導体では，シリコンとの熱膨張整合が可能になるものの，Ｃｕに比べて体積抵 抗率が増大するため，導電率が低下して太陽電池としての発電効率が下落するし， インバーにはニッケルが３６％程度も含まれているため，高価になってしまう （【０００６】〜【０００８】【表１】）。 また，銅−インバー−銅の３層構造では，インバーの両側に配置されている銅材 料の結晶の配向又は結晶粒の不均一によって，反りなどの変形が生ずることがあり， これらは，太陽電池モジュールの生産性低下や，長期間使用した際の発電効率低下 等，信頼性を低下させる原因となっていた。加えて，側面の銅−インバー−銅接合 部が水分にさらされることにより，局部電池化し，腐食する恐れもあった。 したがって，本願発明の目的は，シリコン結晶ウェハを薄板化した場合でも接続 用リード線の接合時にシリコン結晶ウェハの反り若しくは破損が生じにくく，導電 率が良好な太陽電池用平角導体及び太陽電池用リード線を提供することにある （【０００９】【００１１】【００１２】）。 (4) 課題を解決するための手段 前記課題を解決するため，本願発明は，体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下で，か つ引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下（ただし，４９ＭＰａ以下 を除く）の導体を平角状に形成したことを特徴とする（【００１４】）。 (5) 発明の効果 本願発明は，導体の０．２％耐力値を低減させているので，はんだ接続後の導体 の熱収縮によって発生する，セルを反らせる力を低減できる。そのため，シリコン セルとはんだ接続後の熱収縮の際，セルの反りを減少させることができる。 また，体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の導体を用いているので，高導電性を有 する太陽電池の接続用リード線を提供することができる（【００２０】）。 (6) 発明を実施するための最良の形態 本願発明の実施形態の１つとしての太陽電池用平角導体は，セルヘのはんだ接続 が容易となるように，軟質材の導体の外形形状が平角状とされている（【００２ ２】【図１】）。 導体は，太陽電池の発電ロスを軽減する観点から，体積抵抗率が比較的小さい導 体材料（例えば，体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の材料）を用いることが好まし い。体積抵抗率が比較的小さい導体材料としては，Ｃｕのほか，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ などがあるが，この中で体積抵抗率が最も低いのはＡｇであり，発電効率を最大限 にすることが可能である。他方，低コスト化を優先する場合，Ｃｕが良く，軽量化 を図る場合，Ａｌを選択するのが望ましい（【００２３】【００２４】【表２】）。 一般に熱膨張率の異なる異種金属を高温で接続した場合，温度変化に熱膨張率と ヤング率とを積算した値が反りを発生させる力となる。しかし，太陽電池のように 接続する両部材の剛性が著しく異なり，また，はんだ接続温度も２００℃以上と高 温のものでは，断面積が少ない導体の方が降伏してしまい，熱膨張率とヤング率と による力がそのまま反り発生力とはならない（【００２５】）。 導体の場合，降伏応力が小さいと少ない力で塑性変形してしまい，それ以上の変 形抵抗とならない。低強度及び低耐力であるほど，接合時のシリコン結晶ウェハへ の負荷が軽減する。そのため，塑性変形の指標として引張り試験における０．２％ 耐力値を用い，導体の０．２％耐力が９０ＭＰａ以下，好ましくは８０ＭＰａ以下， より好ましくは７０ＭＰａ以下とする。０．２％耐力値の低い軟質の導体を選択す ることにより，シリコン結晶ウェハヘ導体接合の際の熱応力を低減することができ る。また，０．２％耐力を８０ＭＰａ以下にすることにより，銅−インバー−銅の クラッド材よりもシリコン反りを低減することが可能となり，実用上大きな効果が 得られる（【００２６】）。 本実施形態の太陽電池用平角導体及び太陽電池用リード線は，導体の０．２％耐 力値として９０ＭＰａ以下のものを用いているので，はんだ接続後の導体の熱収縮 によって発生する，セルを反らせる力を低減できる。このため，シリコンセルとは んだ接続後の熱収縮の際に，セルの反りを減少させることができる。また，体積抵 抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の高導電性を有する導体を用いているので，太陽電池と しての発電効率を良好に維持することができる（【００３１】）。 (7) 実施例 幅２．０ｍｍ，厚さ０．１６ｍｍのＣｕ材料を平角線状に圧延成形して導体とし， その周囲をＳｎ−３％Ａｇ−０．５％Ｃｕ系の鉛フリーはんだで被覆してはんだめ っき膜を形成し，太陽電池用リード線とした。熱処理条件を変えて種々の０．２％ 耐力の太陽電池用リード線を製作し，縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ，厚み２００μ ｍのシリコンセルにはんだ接続したものの反りを調べたところ，０．２％耐力の低 下とともに反りも低減した（【００３３】〜【００３５】【表３】）。 ２ 先願基礎発明について 先願基礎明細書（甲１０）には，おおむね次の記載がある。 (1) 特許請求の範囲 【請求項１】体積抵抗率が２．３μΩ・ｃｍ以下で，かつ耐力が１９．６〜４９Ｍ Ｐａである芯材と，前記芯材の表面に積層形成された溶融はんだめっき層を備えた 太陽電池用電極線材。 (2) 技術分野 本願発明は，例えば太陽電池などの電子部品の接続用リード線として用いられる 電極線材に関する発明である（【０００１】）。 (3) 背景技術 太陽電池は，ＰＮ接合を有するシリコン半導体で形成された半導体基板と，半導 体基板の表面に線状に設けられた複数の表面電極にはんだ付けされた接続用リード 線を備えており，通常，所望の起電力を得るために複数の太陽電池を直列に接続し て使用される（【０００２】）。 従来，接続用リード線の素材となる電極線材は，タフピッチ銅で形成された丸形 断面の銅線が圧延されて平坦状に潰された潰し銅線を芯材とし，その表面に溶融は んだめっき層が積層形成されたものが用いられていた。溶融はんだめっき層は，芯 材の上に付着した溶融はんだが凝固する際に表面張力の作用によって，芯材の幅方 向の端部から中央部にかけて膨らんだ山形になる（【０００３】）。 電極線材を半導体基板にはんだ付けする際，電極線材の芯材を形成する銅と半導 体基板を形成するシリコン等との熱膨張率が相違するため，加熱温度は，はんだ材 の融点近傍の温度に厳格に制御される。すなわち，高価な半導体基板にクラックを 発生させる原因となる熱応力をできるだけ小さくするように，電極線材は低温では んだ付けされる（【０００４】）。 半導体基板は，従来，その厚さが３００μｍ程度のものが用いられてきたが，近 年，コスト低減を目的として薄肉化する傾向にあり，最近では２５０μｍ程度のも のが用いられるようになってきた。このため，従来の潰し導線を芯材とした電極線 材では，はんだ付けの際に半導体基板にクラックが発生しやすいという問題があっ た。このようなクラックを防止するため，近年では半導体材料との熱膨張差の小さ い導電性材料（Ｆｅ，Ｎｉの合金であるインバー（代表的組成：Ｆｅ−３６％Ｎ ｉ）で形成された中間層の両面に銅層を積層一体化したクラッド材等）を芯材とし て用いるようになってきた（【０００５】）。 (4) 発明が解決しようとする課題 クラッド材を芯材とする電極線材（クラッド電極線材）は，半導体基板に生じる 熱応力を軽減することができるものの，体積抵抗率が比較的高いＦｅ−Ｎｉ合金や Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの合金材によって中間層が形成されるため，電気抵抗が 高くなり，太陽電池の発電効率が低下するという問題がある（【０００７】）。 本発明は，従来のクラッド電極線材と代替可能であり，はんだ付けの際，太陽電 池用半導体基板にクラックが生じ難く，しかも導電性に優れた太陽電池用電極線材 を提供することを目的とする（【０００８】）。 (5) 課題を解決するための手段及び発明の効果 本発明の太陽電池用電極線材は，体積抵抗率が２．３μΩ・ｃｍ以下で，かつ耐 力が１９．６ないし４９ＭＰａである芯材と，芯材の表面に積層形成された溶融は んだめっき層とを備えるものである。この電極線材によれば，芯材の耐力が１９． ６ないし４９ＭＰａとされているので，溶融はんだめっき処理やその後の取扱い上， 過度に変形することがなく，取扱い性が良好であり，しかも半導体基板にはんだ付 けする際，凝固過程で生じた熱応力により自ら塑性変形して熱応力を軽減解消する ことができるので，半導体基板にクラックが生じ難い。また，体積抵抗率が２．３ μΩ・ｃｍ以下なので，導電性に優れるため，優れた発電効率を得ることができる （【０００９】【００１５】）。 (6) 発明を実施するための最良の形態 本発明の電極線材は，帯板状の芯材と，芯材の表面及び裏面に積層形成された溶 融はんだめっき層を有し，芯材は体積抵抗率が２．３μΩ・ｃｍ以下で，かつ耐力 が１９．６ないし４９ＭＰａの低耐力金属で形成されている。芯材の側面にも溶融 はんだめっき層がめっき処理の際に不可避的に形成される（【００１６】【図 １】）。 本発明には，純銅，純銀などの導電性，はんだ付け性の良好な各種金属材を用い ることができるが，材料コストの点からは，純銅が好ましく，銅の純度は高いほど 良い（【００１７】）。 溶融はんだめっき収容用凹部が形成された本発明の電極線材を用いて接続用リー ド線を形成した太陽電池は，ＰＮ接合を有するシリコン半導体で形成された半導体 基板と，その表面に線状に設けられた複数の表面電極にはんだ付けされた接続用リ ード線を備えている。半導体基板の裏面には，４０ないし８０ｍｍ２程度の大形表面 の裏面電極が複数個設けられている（【００２９】【図５】）。 接続用リード線がはんだ付けされる前の半導体基板には，複数の線状表面電極に 導通するように，これらの表面電極に直交して配置されたはんだ帯が形成されてい る。このはんだ帯に沿って，電極線材の溶融はんだめっき層がはんだ帯に当接する ように電極線材を半導体基板に載置し，半導体基板のはんだ帯及び電極線材の溶融 はんだめっき層をともに溶融して電極線材を半導体基板の表面にはんだ付けする。 これにより，半導体基板に電極線材によって形成された接続用リード線が接合され る（【００３０】）。 この太陽電池によれば，電極線材のはんだ付けの際，電極線材が熱応力によって 塑性変形し，半導体基板に生じる熱応力を緩和するので，半導体基板にクラックが 入り難く，しかも電極線材は体積抵抗率が低いため，導電性に優れ，発電効率を向 上させることができる。電極線材には溶融はんだめっき収容用凹部が形成され，こ れに表面が平坦状とされた溶融はんだめっき層が形成されるので，はんだ付け性に 優れ，接続用リード線が強固に半導体基板に接合されることになり，接続用リード 線が半導体基板から外れ難く，耐久性に優れる（【００３１】）。 (7) 実施例 アルミニウムやインバーからなる中間層の両面に無酸素銅を圧接，拡散焼鈍によ り積層形成したクラッド材（芯材素材。全体厚さ１６０μｍ）を製作した。クラッ ド材をスリットして幅２ｍｍの帯板材を製作し，これを長さ１５０ｍｍに切断して 芯材片を得た。この芯材片の一部に対して軟化焼鈍（５００℃×１分）を施した。 また，無酸素銅からなる圧延シートを用いて，同様に芯材片を製作し，一部のもの に焼鈍を施した。さらに，タフピッチ銅からなる潰し銅線（厚さ１６０μｍで，幅 ほぼ２ｍｍ）を長さ１５０ｍｍに切断し，焼鈍を施すことなく芯材片とした。 各芯材片を用いて，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」に規定の方法により長さ方向に引っ 張る引張試験を行い，耐力を測定した。また，「ＪＩＳ Ｈ ０５０５」に規定の方 法により，芯材の体積抵抗率を測定した（【００３３】【００３７】【表１】）。 さらに，芯材片の表面をアセトンで清浄後，溶融はんだめっき浴（はんだ組成： Ｓｎ−３．５ｍａｓｓ％Ａｇ，融点：２２０℃，浴温：３００℃）に浸漬し，速や かに引き上げて芯材片の表面に厚さが片面平均４０μｍ程度の溶融はんだめっき層 を形成した（【００３４】）。 これらの電極線材を太陽電池用シリコン基板（厚さ２００μｍ）のはんだ帯に当 接させ，２６０℃で１分間保持してはんだ付けした。はんだ帯は，シリコン基板に 形成された複数の表面電極を縦断するように基板の表面に付着形成されたものであ る。はんだ付け後，シリコン基板のクラックの有無を調べたところ，実施例の電極 線材（試料Ｎｏ．１，２，４）は，単層タイプ，クラッドタイプを問わず，耐力が ４９ＭＰａ以下であるため，２００μｍの薄形シリコン基板であってもクラックは 皆無であった。他方，無酸素銅を用いた電極線材でも，軟化焼鈍を行わず，加工の ままのもの（試料Ｎｏ．７）では耐力が１４７ＭＰａと高くなり，シリコン基板に クラックが生じた。また，本発明の実施例の電極線材（試料Ｎｏ．１，２，４）は， 体積抵抗率が従来の中間層をインバーで形成したクラッド電極線材（試料Ｎｏ． ５）よりも低く，優れた導電性を有することが確認された（【００３５】〜【００ ３７】【表１】）。 ３ 一致点の認定について (1) 先願基礎明細書の記載 前記２(7)によると，先願基礎明細書には，耐力を，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定 の方法」により，長さ方向に引っ張る引張試験を行って測定した旨の記載がある。 (2) 「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」に関する文献の記載 ア 「ＪＩＳ Ｚ ２２４１ 金属材料引張試験方法」（甲２０。財団法人日本規 格協会発行）には，耐力について，おおむね次の記載がある。 耐力は，次のいずれかの方法によって算出する。 (ア) オフセット法 (イ) 永久伸び法 耐力が規格に合格するか否かを決めるだけでよい場合，日本 工業規格の材料規格における既定値に原断面積を乗じて得た力を１５秒間加え，こ れを除いて測定した標点間の永久伸びが規定値以下かどうかによって判定してもよ い。 (ウ) 全伸び法 規定の永久伸びε％が得られる力（Ｆλ）での全伸びλ％が明ら かである場合，全伸び法を用いてもよい。 イ 「図解 金属材料技術用語辞典（第２版）」（乙１。日刊工業新聞社発行） には，耐力について，おおむね次の記載がある。 引張試験において降伏点が明瞭でない材料では，規定された永久伸びを起こすと きの応力を塑性変形の開始点としている。特に規定のない場合は，永久伸びの値を ０．２％とする。応力−ひずみ線図から耐力を求めるには３つの方法があるが，一 般にオフセット法が用いられる。 ウ 「ＪＩＳハンドブック３非鉄」（乙２。財団法人日本規格協会発行）には， 耐力の定義について，おおむね次の記載がある。 耐力：引張試験において，規定された永久伸びを生じるときの荷重を試験片の平 行部の原断面積で除した値（ＪＩＳ Ｚ ２２４１） 降伏点が明瞭でない伸銅品では，降伏応力の代わりに耐力が用いられる。なお， 伸銅品では，通常，オフセット法が用いられ，特に規定のない場合には，永久伸び の値を０．２％とする。 (3) 検討 ア 前記(1)のとおり，先願基礎明細書には，芯材の耐力を，「ＪＩＳ Ｚ ２２４ １に規定の方法」である引張試験により測定することが記載されているが，当該芯 材の降伏点に関する記載はない。 そして，前記(2)のとおり，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定の方法」である金属材料 引張試験方法により測定される耐力は，オフセット法，永久伸び法，全伸び法のい ずれかにより算出されるものであるが，永久伸び法は耐力が規格に合格するか否か を決めるだけでよい場合に用いられ，全伸び法は全伸びλ％が明らかである場合に 用いられる方法であって，引張試験において降伏点が明瞭でない材料では，一般的 にはオフセット法が用いられ，特に規定のない場合には，永久伸びの値を０．２％ とするものとされている。 したがって，先願基礎発明における耐力は，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定の方 法」において，降伏点が明瞭でない材料に対して一般的に採用される，永久伸びの 値を０．２％としたオフセット法により算出した耐力，すなわち，本願発明と同様 に，「引張り試験における０．２％耐力値」であるということができる。 イ 原告は，この点について，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」では，耐力はオフセット 法，永久伸び法，又は全伸び法のいずれかの方法によって算出するとされており， ０．２％耐力値は，オフセット法の備考欄に耐力の式によって例示されているのみ であるから，「ＪＩＳ Ｚ ２２４１」に規定された方法の引張試験で測定した耐力 が０．２％耐力値であるとは限らないと主張する。 しかしながら，前記のとおり，降伏点が明瞭でない材料に対しては，一般的にオ フセット法における０．２％耐力値が用いられるとされている以上，先願基礎明細 書に接した当業者は，０．２％耐力値が用いられるものと理解するというべきであ る。 したがって，原告の前記主張は，採用することができない。 (4) 以上によると，先願基礎発明の「耐力」が，本願発明と同様の「引張試験に おける０．２％耐力値」と認められるとした本件審決の判断に誤りはない。 ４ 相違点に係る判断について (1) 本願発明について 前記１によると，本願発明は，従来，太陽電池を構成する部材であるシリコン結 晶ウェハを薄板化することに伴って生じる，シリコンセルや接続用リード線が反っ たり破損したりすることを防止することを目的とするものである。本願発明は，太 陽電池用平角導体の体積抵抗率を５０μΩ・ｍｍ以下とすることにより，太陽電池 としての発電効率を良好に維持し，高導電性を有する接続用リード線を提供できる のみならず，引張り試験における０．２％耐力値を９０ＭＰａ以下（ただし，４９ ＭＰａ以下を除く）とすることによって，はんだ接続後の導体の熱収縮によって生 じるセルを反らせる力を，平角導体を塑性変形させることで低減し，セルの反りを 減少させることができるという効果を奏するものである。 (2) 先願基礎発明について 前記２によると，先願基礎発明は，従来，はんだ付けの際に半導体基板に生じる 熱応力を軽減し，半導体基板の薄肉化によるクラックの発生を防止するために，半 導体材料と熱膨張差の小さい導電性材料からなるクラッド材を用いると，体積抵抗 率が比較的高い合金材によって中間層が形成されるため，電気抵抗が高くなり，太 陽電池の発電効率が低下するという問題を解決課題とするものである。先願基礎発 明は，芯材の体積抵抗率を２．３μΩ・ｃｍ（２３μΩ・ｍｍ）以下とすることに より，優れた導電性及び発電効率を得ることができるとともに，耐力を１９．６な いし４９ＭＰａとすることによって，過度に変形することがなく，取扱い性が良好 であり，半導体基板にはんだ付けする際に凝固過程で生じた熱応力により自ら塑性 変形して熱応力を軽減解消することができるので，半導体基板にクラックが生じ難 いという効果を奏するものである。 ? 耐力に係る数値範囲について ア 前記(1)及び(2)によれば，本願発明と先願基礎発明とは，体積抵抗率が２３ μΩ・ｍｍ以下である太陽電池用平角導体である点で一致する（その点で，体積抵 抗率が５０μΩ・ｍｍ以下で，かつ引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰ ａ以下で一致するとする本件審決の認定は相当ではない。）にすぎず，引張り試験 における０．２％耐力値については，本願発明は９０ＭＰａ以下で，かつ４９ＭＰ ａ以下を除いているため，先願基礎発明の耐力に係る数値範囲（１９．６〜４９Ｍ Ｐａ）を排除している。 したがって，本願発明と先願基礎発明とは，耐力に係る数値範囲について重複部 分すら存在せず，全く異なるものである。 イ 先願基礎発明は，耐力に係る数値範囲を１９．６ないし４９ＭＰａとするも のであるが，先願基礎明細書（甲１０）には，太陽電池用平角導体の０．２％耐力 値を，本願発明のように，９０ＭＰａ以下（ただし，４９ＭＰａ以下を除く）とす ることを示唆する記載はない。また，半導体基板に発生するクラックが，半導体基 板の厚さにも依存するものであるとしても，耐力に係る数値範囲を本願発明のとお りとすることについて，本件出願当時に周知技術又は慣用技術であると認めるに足 りる証拠はないから，先願基礎発明において，本願発明と同様の０．２％耐力値を 採用することが，周知技術又は慣用技術の単なる適用であり，中間層の構成や半導 体基板の厚さ等に応じて適宜決定されるべき設計事項であるということはできない。 したがって，本願発明と先願基礎発明との相違点に係る構成（耐力に係る数値範 囲の相違）が，課題解決のための具体化手段における微差であるということはでき ない。 ウ 本願発明は，前記(1)のとおり，耐力に係る数値範囲を９０ＭＰａ以下（ただ し，４９ＭＰａ以下を除く）とすることによって，はんだ接続後の導体の熱収縮に よって生じるセルを反らせる力を平角導体を塑性変形させることで低減させて，セ ルの反りを減少させるものである。 これに対し，先願基礎発明は，前記(2)のとおり，耐力に係る数値範囲を１９．６ ないし４９ＭＰａとすることによって，半導体基板にはんだ付けする際に凝固過程 で生じた熱応力により自ら塑性変形して熱応力を軽減解消させて，半導体基板にク ラックが発生するのを防止するというものである。 そうすると，両発明は，はんだ接続後の熱収縮を，平角導体（芯材）を塑性変形 させることで低減させる点で共通しているものの，本願発明は，セルの反りを減少 させることに着目して耐力に係る数値範囲を決定しており，他方，先願基礎発明は， 半導体基板に発生するクラックを防止することに着目して耐力に係る数値範囲を決 定しているのであって，両発明の課題が同一であるということはできない。 ? 被告の主張について 被告は，本願発明及び先願基礎発明は，いずれもシリコン結晶ウェハを薄板化し た際に生じる問題を解決するために，平角導体（芯材）を塑性変形させることによ って，はんだ付けする際の熱応力を低減させる点において，共通の技術的思想に基 づく発明であるところ，本願発明の耐力に係る数値範囲から４９ＭＰａ以下を除く ことに格別の技術的意義を見いだすことはできないから，当該事項について設計的 事項を定めた以上のものということはできず，先願基礎発明の耐力に係る数値範囲 も，設計上適宜に定められたものにすぎないから，当該数値範囲に限られるもので はなく，本願発明及び先願基礎発明における耐力に係る数値範囲の特定についての 相違は，発明の実施に際し，適宜定められる設計的事項の相違にとどまるものであ って，発明として格別差異を生じさせるものではないと主張する。 しかしながら，前記のとおり，本願発明はセルの反りを減少させることに，先願 基礎発明はクラックを防止することに，それぞれ着目して，耐力に係る数値範囲を 決定しているのであるから，両発明の課題は異なり，共通の技術的思想に基づくも のとはいえないから，被告の主張は，その前提自体を欠くものである。 また，前記のとおり，本願発明の耐力に係る数値範囲から４９ＭＰａ以下を除く ことが，設計上適宜に定められたものにすぎないということはできず，先願基礎発 明の耐力に係る数値範囲についても，同様に，設計上適宜に定められたものにすぎ ないということはできない。 したがって，被告の上記主張は，採用することができない。 (5) まとめ よって，本件審決の相違点に係る判断は誤っている旨の原告の取消事由の主張は 理由がある。 ５ 結論 以上のとおり，本願発明と先願基礎発明とは，実質的に同一の発明であるという ことはできないから，本願発明は先願基礎発明と実質的に同一の発明であるとした 本件審決の認定及び判断には誤りがある。 よって，本件審決には違法があるから，これを取り消すこととし，主文のとおり 判決する。 知的財産高等裁判所第４部 裁判長裁判官 富 田 善 範 裁判官 田 中 芳 樹 裁判官 荒 井 章 光 |